曲铭浩
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：景德镇陶瓷学院更多>>
- 发文基金：江西省教育厅科技计划项目江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- 用HW-MWECRCVD系统沉积大面积均匀氢化非晶硅薄膜的研究
- 2009年
- 通过紫外-可见透射谱技术,计算得到薄膜各个位置的拟合厚度值,研究了a-Si∶H薄膜的厚度均匀性;通过对紫外-可见透射谱的分析和对红外吸收谱峰宽度的分析,研究了a-Si∶H薄膜的结构均匀性。研究发现对于单磁场线圈MWECRCVD系统,ECR区的不均匀性和沉积室的磁场梯度的不均匀,是影响a-Si∶H薄膜均匀性的主要原因。通过改进矩形耦合波导和热丝辅助及减小磁场线圈电流的方法,采用HW-MWECRCVD系统,在直径为6cm的衬底上沉积了厚度不均匀性<3.5%的a-Si∶H薄膜。
- 王立富胡跃辉张祥文陈光华曲铭浩谢耀江
- 关键词：均匀性氢化非晶硅薄膜
- 高介电氧化钽薄膜制备与介电性能分析被引量：1
- 2009年
- 在较低衬底温度下,通过磁控溅射得到的非晶态Ta2O5薄膜,在氧气氛750℃条件下进行化学热退火,得到晶化的Ta2O5薄膜,其相对介电常数为34.3,漏电流密度小于10-7A/cm2。电容量测试时,为了较好地消除高温退火时产生的SiO2的介质层对电容测试值的影响,用不同厚度氧化钽薄膜为介质层做成金属-绝缘体-金属(MIM)结构的电容器,对这些电容器的电容测试数据,进行Sigmoidal拟合,得到极限电容,从而计算出Ta2O5薄膜的介电常数。
- 曲铭浩胡跃辉冯景华谢耀江王立富
- 关键词：介电常数
