王立富
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江西省自然科学基金景德镇市科技局项目江西省科技支撑计划项目更多>>
- 相关领域：化学工程电气工程更多>>
- 用MWECR CVD系统制备具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜研究
- 2010年
- 用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)系统制备了具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜,研究了沉积温度和沉积压力等对制备微晶硅薄膜的结构和电学特性的影响。结果表明:较低的反应压和较高的衬底温度有利于获得非晶/微晶两相结构的硅薄膜,当反应压为0.7 Pa、衬底温度为170℃时,得到非晶/微晶两相结构的硅薄膜晶相体积比约为30%;具有这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜,μτ乘积值约为10-5量级左右,比不含微晶成分的氢化非晶硅样品的μτ乘积值大约2个量级,同时这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜的光敏性在103～104左右,其兼具很好的光电导稳定性和优良的光电特性,是制备非晶硅太阳电池的器件级本征层材料。
- 谢耀江胡跃辉肖仁贤陈光华徐海军陈义川王立富
- 用HW-MWECRCVD系统沉积大面积均匀氢化非晶硅薄膜的研究
- 2009年
- 通过紫外-可见透射谱技术,计算得到薄膜各个位置的拟合厚度值,研究了a-Si∶H薄膜的厚度均匀性;通过对紫外-可见透射谱的分析和对红外吸收谱峰宽度的分析,研究了a-Si∶H薄膜的结构均匀性。研究发现对于单磁场线圈MWECRCVD系统,ECR区的不均匀性和沉积室的磁场梯度的不均匀,是影响a-Si∶H薄膜均匀性的主要原因。通过改进矩形耦合波导和热丝辅助及减小磁场线圈电流的方法,采用HW-MWECRCVD系统,在直径为6cm的衬底上沉积了厚度不均匀性<3.5%的a-Si∶H薄膜。
- 王立富胡跃辉张祥文陈光华曲铭浩谢耀江
- 关键词：均匀性氢化非晶硅薄膜
- 高介电氧化钽薄膜制备与介电性能分析被引量：1
- 2009年
- 在较低衬底温度下,通过磁控溅射得到的非晶态Ta2O5薄膜,在氧气氛750℃条件下进行化学热退火,得到晶化的Ta2O5薄膜,其相对介电常数为34.3,漏电流密度小于10-7A/cm2。电容量测试时,为了较好地消除高温退火时产生的SiO2的介质层对电容测试值的影响,用不同厚度氧化钽薄膜为介质层做成金属-绝缘体-金属(MIM)结构的电容器,对这些电容器的电容测试数据,进行Sigmoidal拟合,得到极限电容,从而计算出Ta2O5薄膜的介电常数。
- 曲铭浩胡跃辉冯景华谢耀江王立富
- 关键词：介电常数
- 材料技术在发展太阳能电池的关键作用被引量：2
- 2010年
- 环保技术可以带来可持续发展。在京瓷株式会社创始人稻盛和夫的经营理念的探讨上,本文简要回顾了第一代晶体硅和第二代薄膜太阳能电池的发展,并针对发展太阳能电池中的关键技术,材料技术的发展状况进行分析和比较,介绍了基于薄膜技术的第三代高性能太阳能电池的基本原理和发展趋势。
- 胡飞胡跃辉王立富
- 关键词：环保理念太阳能电池
