梁栋程
- 作品数：23 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术兵器科学与技术更多>>
- 一种基于神经网络的塑封电子元器件缺陷识别系统及方法
- 本发明公开了一种基于神经网络的塑封电子元器件缺陷识别系统，该系统包括超声波换能器、电动控制单元、脉冲发射接收器、相位检测单元、信号转换单元、神经网络单元和微处理控制器。该方法包括如下步骤：训练神经网络；系统状态初始化；神...
- 艾凯旋梁栋程何志刚张玉兴刘云婷胡睿季航
- 塑封铜引线集成电路开封方法被引量：3
- 2015年
- 在集成电路高速发展的时代,内引线为铜的集成电路因为低廉的价格和性能方面的优势,将越来越多地被制造和改进,破坏性物理分析(DPA)中也将会遇到大量的塑封铜引线集成电路,这类器件开封容易引起铜引线、键合点的腐蚀等问题。对这类器件研究后的开封方法是:激光开封后一定比例的混酸腐蚀能使铜线和键合点完好保留,芯片表面无塑封料残留。本文提供了一种对塑封铜引线集成电路进行开封的可靠方法。
- 龚国虎梁栋程梁倩
- 关键词：铜线集成电路破坏性物理分析
- 表贴元件镜检样品制备
- 2018年
- 表贴元件广泛地应用于各种电子设备和武器装备中,其可靠性对电子设备系统具有重要的影响。为了提高表贴元件的使用可靠性,发现产品失效或潜在失效,需要对元件进行制样镜检。通过试验对比冷、热镶嵌方法的效果,确定冷镶嵌更适合表贴元件的样品制备;通过研究研磨各个参数条件与损伤层厚度的关系,发现:研磨时损伤层越厚划痕越大,损伤层厚度与研磨时间、转速、压力和砂纸等条件都有关系,其中砂纸粒度对损伤层厚度的影响最大;最后,列举了研究成果在失效分析中的应用案例。
- 龚国虎金洪斌梁栋程何志刚
- 关键词：研磨
- 一种用于大功率音频功放的高稳定性LDO
- 设计了一种用于大功率音频功放的高稳定性低压差线性稳压器,对其电路结构和工作原理进行了分析,重点讨论了上电预冲模块,环路稳定性及电源抑制能力.采用0.18UM IP4M BCDMOS工艺,不同工艺角下,CADENCE ...
- 周庆波梁栋程王淑杰黄武康王晓敏
- 关键词：低压差线性稳压器高稳定性电源抑制
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- 银浆沾污引起的芯片损伤机理分析
- 对两只塑封器件开封后进行内部目检,发现一只样品存在金属层损伤缺陷,另一只样品芯片表面有大量多余物.利用扫描电镜和能谱仪对缺陷部位和多余物进一步进行形貌观察和元素成分分析,结果表明金属层损伤部位有导电银浆残留物,损伤形貌明...
- 梁栋程何志刚王淑杰龚国虎
- 关键词：电子芯片压应力
- 一种用于大功率音频功放的高稳定性LDO被引量：2
- 2013年
- 设计了一种用于大功率音频功放的高稳定性低压差线性稳压器(LDO),对其电路结构和工作原理进行了分析,重点讨论了上电预充模块、环路稳定性及电源抑制能力。采用0.18μm1P4M BCDMOS工艺,不同工艺角下,Cadence Spectre仿真表明,LDO的温度系数小于47.45 ppm/℃,瞬态响应最大变化量为50 mV,电源抑制大于71 dB@1 kHz,工作电压范围5 V-24 V,输出电压值为3.3 V;tt(渡越时间)模型下,工作电压为18 V时,对大功率音频功放进行系统仿真,LDO表现出约为30μs的启动时间,其输出电压值能很好地跟踪负载电流的变化。
- 周庆波梁栋程王淑杰黄武康王晓敏
- 关键词：低压差线性稳压器高稳定性电源抑制
- 半导体器件扫描电镜低电压成像技术应用被引量：2
- 2013年
- 针对使用扫描电镜(SEM)进行半导体器件破坏性物理分析(DPA)和失效分析(FA)时,芯片表面不作喷镀处理的问题,提出了减小或消除电荷累积的试验方法。试验结果表明,正确应用SEM低电压技术,选择加速电压1.0 kV-2.0 kV、电子束斑2.0,结合积分技术,可在芯片表面不作喷镀处理,并满足国军标要求下,得到分辨率和性噪比均很好的图片。
- 梁栋程周庆波王淑杰王晓敏
- 关键词：半导体器件破坏性物理分析
- 芯片表面涂胶的塑封器件开封方法研究被引量：3
- 2019年
- 开封是电子元器件破坏性物理分析(DPA)的重要环节。为了解决某些芯片表面涂覆硅凝胶的塑封器件在DPA中开封困难的问题,采用手工和化学腐蚀的方法对芯片表面涂胶的塑封器件进行了开封试验。通过对采用不同酸和不同开封温度的开封效果进行比对和分析,总结出最佳的开封工艺参数为在120～140℃之间进行浓硫酸腐蚀,对解决此类芯片表面涂硅凝胶的塑封器件的开封难题具有一定的指导意义。
- 刘云婷龚国虎梁栋程王晓敏
- 关键词：塑封器件芯片硅凝胶酸腐蚀破坏性物理分析
- 银浆沾污引起的芯片损伤机理分析
- 2018年
- 对两只塑封器件开封后进行内部目检,发现一只样品存在金属层损伤缺陷,另一只样品芯片表面有大量多余物。利用扫描电镜和能谱仪对缺陷部位和多余物进一步进行形貌观察和元素成分分析,结果表明金属层损伤部位有导电银浆残留物,损伤形貌明显为压应力造成,而芯片表面的大量多余物也含有导电银浆残留物,呈扁平状,局部区域有钝化层被压碎的形貌特征。根据微电子塑封封装工艺流程进行分析,认为芯片损伤机理为:粘接工艺控制不良导致导电银浆在芯片上残留,环氧塑封料固化过程中收缩产生的压应力通过银浆残留物将芯片金属层和钝化层压碎。
- 梁栋程何志刚龚国虎王淑杰王晓敏
- 关键词：压应力
- 外来物导致的塑封器件金属化层损伤机理分析被引量：1
- 2017年
- 对塑封器件进行破坏性物理分析(DPA),发现有样品芯片表面存在金属化层损伤。对损伤部位进行背散射电子成像和能谱分析,确定损伤部位存在钢颗粒。结合塑封封装工艺环节进一步分析损伤形貌,结果表明钢颗粒来源于塑封模具破损或老化,在环氧固化过程中产生的应力导致钢颗粒压碎金属化层。分析了具有这类缺陷的塑封器件在高可靠应用领域中的危害性。这类缺陷形成机理不常见,研究结论对改进塑封器件生产工艺具有参考价值。
- 梁栋程刘云婷何志刚王晓敏王聪唐昶宇任时成
- 关键词：破坏性物理分析
