张建
- 作品数：7 被引量：13H指数：3
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院西部之光基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响被引量：9
- 2004年
- 采用电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅和n型单晶硅,通过高温扩散金属锰的方法,可得到两种类型的热敏材料.测试发现,选择适当的扩散温度和时间,这两种类型的热敏材料一致性都较好.对n型硅掺锰,得到的是小正温度系数热敏材料,其8值在620 K左右;对p硅掺锰,得到的是负温度系数热敏材料,其B值在4 200～4300K之间.
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- 关键词：正温度系数负温度系数导电类型硅材料单晶硅
- 掺锰硅材料的电流振荡特性被引量：1
- 2006年
- 用高温扩散方法制备出补偿Si：（B，Mn）材料，并研究了这种材料的电流振荡参数与光照和电场之间的关系．结果表明：在一定光照和电场范围内（276-305V／cm），电阻率为10^4Ω·cm的材料在液氮温度下显示出电流振荡特性；在一定的电场下，电流振荡波形是固定的，不随时间变化；振荡频率随光照强度的增大而线性增大；调制系数随着光强的增强而减弱；振荡的最大值随着光照强度增大而减小，最小值随着光强增大而缓慢增大．
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- 关键词：硅掺杂电流振荡
- 高补偿硅的阻-温特性被引量：6
- 2004年
- 采用5·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅。笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K)。测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质。
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- 关键词：光敏深能级
- 补偿硅的温度敏感特性被引量：7
- 2004年
- 采用低电阻率的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅.在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×103、4.8×104、1.3×105、3.2×105Ω·cm的几种样品的温度敏感特性,其相应的B值分别为5 103,5 600,6 103,6 502 K.这种扩锰硅是一种温度敏感材料,笔者将报道这些实验结果并讨论其热敏特性.
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- 关键词：过补偿温敏特性
- 一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
- 本发明涉及一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻通过金属锰真空高温扩散或硝酸锰涂层高温扩散将锰掺入单晶硅中，锰原子形成深施主能级，硅单晶成为高度补偿的半导体材料。温度升高，深能级俘获的载流子跃迁至导带，引起材料...
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- 文献传递
- 一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
- 本发明涉及一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻通过金属锰真空高温扩散或硝酸锰涂层高温扩散将锰掺入单晶硅中，锰原子形成深施主能级，硅单晶成为高度补偿的半导体材料。温度升高，深能级俘获的载流子跃迁至导带，引起材料...
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- 文献传递
- 高补偿硅的光敏感特性被引量：3
- 2004年
- 对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。
- 张建巴维真陈朝阳丛秀云陶明德M.K.巴哈迪尔哈诺夫
