崔志明
- 作品数：7 被引量：11H指数：3
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院西部之光基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响被引量：9
- 2004年
- 采用电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅和n型单晶硅,通过高温扩散金属锰的方法,可得到两种类型的热敏材料.测试发现,选择适当的扩散温度和时间,这两种类型的热敏材料一致性都较好.对n型硅掺锰,得到的是小正温度系数热敏材料,其8值在620 K左右;对p硅掺锰,得到的是负温度系数热敏材料,其B值在4 200～4300K之间.
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- 关键词：正温度系数负温度系数导电类型硅材料单晶硅
- 一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻及其制备方法
- 本发明涉及一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用真空气相扩散方法，将锌原子作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中；利用锌在n型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值热敏电阻器。该电阻器适用于温度计(如体温计)使用的...
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- 文献传递
- 深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性被引量：5
- 2005年
- 为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关.
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- 关键词：深能级杂质费米能级多数载流子补偿度
- 一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
- 本发明涉及一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用真空气相扩散方法，将锌原子作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中；利用锌在n型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值热敏电阻器。该电阻器适用于温度计(如体温计)使用的...
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- 文献传递
- p型单晶硅涂源掺锰新方法被引量：3
- 2005年
- 研究了扩散源的浓度与掺杂后硅材料补偿度之间的关系。以MnCl2·4H2O乙醇溶液为扩散源,涂在初始电阻率为3.8?·cm的p型单晶硅片表面,在高温(1200℃)下掺杂锰后,在室温避光条件下,用SDY—5型双电测四探针仪测样品电阻率ρ。改变扩散源的浓度重复实验,用XRD对扩散后的样品进行分析,结果表明:当硅片表面浓度为23.4×10–8mol/cm2时,扩散后样品体电阻率的径向不均匀度在5%以内,扩散后硅片的补偿度最大。
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- 关键词：电子技术补偿度固相反应
- Zn掺杂n型硅材料的补偿研究被引量：3
- 2005年
- 为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅。实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化,而且随杂质投入量的增加,电阻率都有一个急剧变化的转折点。
- 蔡志军巴维真陈朝阳崔志明丛秀云
- 关键词：电子技术深能级杂质固溶度电离
- 高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究
- 2006年
- 采用4.5Ω.cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅。用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极。用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线。结果表明:经退火后镍与硅形成硅镍化合物(Ni2Si),电极正反向电阻一致,性能稳定,形成欧姆接触。
- 崔志明陈朝阳巴维真蔡志军丛秀云
- 关键词：电子技术化学沉积法
