揣荣岩
- 作品数：143 被引量：118H指数：5
- 供职机构：沈阳工业大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省科学技术基金辽宁省高校创新团队支持计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 漏电极辅控L形栅型无结晶体管
- 本发明涉及一种具有高性能高集成度漏电极辅控L形栅型无结晶体管，所设计的L形栅电极具有大写英文字母L形结构特征，嵌入于单晶硅凹槽内的栅极绝缘层上方；漏电极除与单晶硅凹槽一端的上表面接触之外，还附着在临近该端的栅极绝缘层上。...
- 靳晓诗刘溪揣荣岩
- 多晶硅纳米膜压阻特性与MEMS传感器
- 从二十世纪70年代起，多晶硅薄膜的压阻特性开始受到关注，并被用于研制力学量传感器。在随后二十年左右的时间里，多晶硅压阻理论得到了较为系统的研究。其主流的研究成果一直沿用至今，认为晶粒中性区和势垒区对多晶硅的压阻特性都有贡...
- 揣荣岩郭浩王健赵豪刘晓为杨理践
- 关键词：压阻特性压力传感器加速度传感器
- 一种以微悬臂梁传感器为核心的微全分析系统芯片
- 本发明属于微机电系统领域，涉及一种以微悬臂梁传感器为核心的微全分析系统芯片，该芯片2个进液口通过U‑型进液通道与微混合器连通，微混合器的另一端与固相萃取柱的进液端连接，固相萃取柱内填充有选择性吸附剂，固相萃取柱的出液端通...
- 张贺张英杰李新揣荣岩徐文培杨爽
- 近源栅近漏栅分立控制型无掺杂场效应晶体管
- 本发明涉及一种近源栅近漏栅分立控制型无掺杂场效应晶体管，通过采用不掺杂或掺杂浓度低的单晶硅衬底材料，利用近源栅电极、近漏栅电极两个彼此独立控制的栅电极，对比于普通有结和无结场效应晶体管，在避免掺杂工艺导致器件迁移率下降的...
- 靳晓诗刘溪揣荣岩
- 复合钝化多晶硅纳米膜应力分布仿真分析
- 2009年
- 多晶硅纳米薄膜具有优良的压阻特性,为提高其在传感器应用中的稳定性和可靠性,对这种薄膜的钝化层结构进行了研究。基于压力传感芯片的结构特点,建立了钝化层结构的有限元分析分析模型,给出了应力分布与SiO_2和Si_3N_4钝化层结构之间关系。结果表明:采用Si_3N_4-SiO_2-Si_3N_4复合钝化结构,适当控制各结构层厚度可有效降低热失配引起的内应力。从而给出了降低薄膜内应力的钝化方法,为多晶硅纳米薄膜在压阻式传感器上的应用提供了必要的技术支持。
- 揣荣岩张大为孙显龙刘斌李新
- 关键词：钝化应力分布有限元压力传感器
- 功率半导体器件的直接均流技术
- 在认真研究双极注入型功率半导体器件通态特性的基础上,结合装置整机厂的并联技术经验,从器件角度,提出了功率半导体器件的直接均流技术,这一技术已得到了成功验证。
- 高占成矫健揣荣岩潘福泉
- 关键词：功率半导体器件通态特性
- MEMS及微系统的计算机模拟与辅助设计
- 本文介绍了MEMSCAD的特点及MEMS与微系统的设计方法,对MEMSCAD系统中的系统级、器件行为级、器件物理级及工艺级等各级仿真器的特点、相互关系及在MEMSCAD中的作用进行了分析,并对MEMSCAD方法、MEMS...
- 陈伟平揣荣岩田丽张丹刘晓为
- 关键词：MEMS微系统计算机辅助设计计算机模拟仿真器
- 多晶硅纳米膜压阻超薄微梁加速度敏感结构被引量：4
- 2013年
- 随着微机电系统(MEMS)技术的迅速发展,硅基加速度传感器已经得到广泛应用。但在敏感结构设计中,普遍存在灵敏度与固有谐振频率相互制约的矛盾。为此,采用多晶硅纳米膜作应变电阻,设计了300 nm超薄微梁加速度敏感结构。这种结构的设计改善了灵敏度与谐振频率之间的矛盾,使两者乘积值提高了30余倍,从而使压阻加速度计的性能得到大幅提升。
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- 关键词：加速度传感器压阻式谐振频率
- 用于Pb^(2+)、Hg^(2+)离子选择性固相萃取的微流控芯片被引量：2
- 2017年
- 为实现微流控芯片对重金属Pb^(2+)、Hg^(2+)离子的选择性固相萃取,首先采用3-氯丙基三甲氧基硅烷和5-甲基苯并三氮唑对纳米二氧化硅进行硅烷偶联改性,随后以改性纳米二氧化硅为基础,设计并制备了可更换吸附剂的一体化填充式固相萃取芯片.测试结果表明:改性后不仅吸附剂的团聚现象得到明显改善,且当pH=5时,对Pb^(2+)的吸附率可达99.1%,对Hg^(2+)的吸附率可达98.9%,而对Cr^(3+)的吸附率为20.4%,对Mn^(2+)的吸附率仅为13.2%.即使样品中混有干扰离子(K^+、Na^+或Mn^(2+))时,对Pb^(2+)、Hg^(2+)离子的吸附率仍均可达97%以上.当进样流速≤1.5 mL/min时,微流控芯片对Pb^(2+)或Hg^(2+)的吸附率可达98%以上;以0.5 mol/L的盐酸和2%的硫代尿素为洗脱液,控制流速在0.20.3 mL/min范围内时,芯片对Pb^(2+)或Hg^(2+)的洗脱率均达到92%以上.用于Pb^(2+)、Hg^(2+)离子的选择性固相萃取芯片的成功制备,有助于微流控技术在重金属污染监测领域的应用和推广.
- 张贺刘晓为揣荣岩李新
- 关键词：微流控芯片固相萃取重金属离子
- 高集成度高迁移率源漏栅辅控型无结晶体管
- 本发明涉及一种高集成度高迁移率源漏栅辅控型无结晶体管，采用源漏控栅电极和栅电极等两个彼此独立控制的栅电极，使得器件既能够保证在低掺杂浓度的沟道内实现高迁移率，避免高掺杂浓度下随机散射效应增强所导致的器件迁移率及稳定性下降...
- 刘溪靳晓诗揣荣岩
