俞文杰
作品数: 184被引量:12H指数:2
  • 所属机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 所在地区:上海市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

刘强
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供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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母志强
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SOI NMOSFET总剂量辐射效应偏置依赖关系的模拟
本次工作使用MEDICI二维器件模拟软件,建立新型的BUSFET带体接触的SOINMOSFET器件模型,对不同偏置状态下掩埋氧化层中电场强度进行模拟.得到了不同偏置状态下器件内部的电场强度分布,通过对比分析,解释偏置状态...
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一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法
本发明提供一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法,所述制备方法至少包括以下步骤:步骤一、制备垂直结构的隧穿场效应晶体管作为转换器,所述隧穿场效应晶体管中的沟道悬空,所述沟道与源极、漏极形成垂直结构;步骤...
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三维堆叠的环栅晶体管的制备方法
本发明提供一种三维堆叠的环栅晶体管的制备方法,方法包括:1)提供SOI衬底,其绝缘层中形成有凹槽;2)形成悬空并横跨于凹槽上且向上堆叠的半导体纳米线结构;3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄;4)于沟道区表面形成注入阻挡...
刘强俞文杰任青华陈治西刘晨鹤赵兰天陈玲丽王曦
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一种绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法
本发明提供一种绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法,通过Co与Si衬底两次反应生成CoSi<Sub>2</Sub>,并通过智能剥离工艺对其进行转移,以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间插...
张波俞文杰赵清太狄增峰张苗王曦
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SOI器件总剂量辐射效应研究进展
绝缘体上的硅(Silicon on Insulator,SOI)技术凭借其全介质隔离的特殊结构,成为制造抗辐射集成电路的首选技术。然而由于埋氧化层的存在,使得SOI器件的总剂量效应比体硅器件更为复杂。本文将阐述埋氧化层中...
俞文杰张正选田浩王茹毕大伟陈明张帅刘张李
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一种大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法
本发明提供一种大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法,所述检测方法包括:提供待检测晶圆;于所述待检测晶圆底面刻蚀形成若干个互不连接的刻蚀区,所述待检测晶圆底面未经刻蚀的区域被所述刻蚀区间隔为若干个未刻蚀区;于所述待检测晶圆底...
郑理王昊俞文杰程新红俞跃辉
图形化结构的SOI衬底的制备方法
本发明提供一种图形化结构的SOI衬底的制备方法,包括:在第二半导体衬底中进行离子注入形成剥离界面;于第一绝缘层中形成凹槽,所述凹槽未贯穿所述第一绝缘层;键合第二半导体衬底及第一绝缘层,以形成空腔;进行退火工艺加强键合强度...
刘强俞文杰任青华陈治西刘晨鹤赵兰天陈玲丽王曦
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SOI衬底结构及其制备方法
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具有漏电屏蔽结构的SOI场效应晶体管及其制备方法
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刘强俞文杰
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环栅晶体管的制备方法
本发明提供一种环栅晶体管的制备方法,方法包括:1)提供SOI衬底,其绝缘层中形成有凹槽;2)形成悬空并横跨于凹槽上的半导体纳米线结构;3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄;4)于沟道区表面形成注入阻挡层,所述注入阻挡层显...
刘强俞文杰任青华陈治西刘晨鹤赵兰天陈玲丽王曦