- 一种绝缘体上Si/NiSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法
- 本发明提供一种绝缘体上Si/NiSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法，通过对Ni与Si衬底进行退火反应生成NiSi<Sub>2</Sub>，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅...
- 俞文杰张波赵清太狄增峰张苗王曦
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- 一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法
- 本发明提供一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述制备方法至少包括以下步骤：步骤一、制备垂直结构的隧穿场效应晶体管作为转换器，所述隧穿场效应晶体管中的沟道悬空，所述沟道与源极、漏极形成垂直结构；步骤...
- 赵清太俞文杰刘畅王曦
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- 一种绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法
- 本发明提供一种绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法，通过Co与Si衬底两次反应生成CoSi<Sub>2</Sub>，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间插...
- 张波俞文杰赵清太狄增峰张苗王曦
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- 一种多栅SOI-LDMOS器件结构
- 本发明提供一种多栅SOI-LDMOS器件结构，包括：SOI衬底，包括硅衬底、埋氧层及顶硅层；有源区，形成于所述顶硅层中，包括依次相连的源区、沟道区、漂移区、浅掺杂漏区、及漏区；多晶硅栅，包括结合于所述沟道区表面的栅氧层及...
- 赵清太徐大伟西格弗里德曼特尔俞跃辉程新红
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- 一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法
- 本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述方法包括步骤：步骤一、制备具有硅纳米线沟道的隧穿场效应晶体管作为转换器；步骤二、采用表面修饰剂对所述硅纳米线沟道表面进行活化修饰。所述步骤一中制备硅...
- 俞文杰刘畅赵清太王曦
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- 基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法
- 本发明提供一种基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一sSOI衬底，所述sSOI衬底的顶层应变硅的厚度为10nm~50nm；2）制作器件区域；3）形成N+源区及N+漏区及应变沟道区...
- 文娇俞文杰刘畅赵清太王曦
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- 利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法
- 本发明提供一种利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法，该方法通过将图形化和锗浓缩的方法相结合，获得一种保证产量和质量的SiGe和Ge纳米线的可控生长。本发明可以获得均匀而笔直的Ge或SiGe纳米线阵列，并且通过对氧...
- 狄增峰叶林赵清太张苗
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- 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法
- 本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Co层，然后使Co层与Si衬底两次反应生成CoSi<Sub>2</Sub>，通过...
- 张波俞文杰赵清太狄增峰张苗王曦
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- 一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法
- 本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述方法包括步骤：步骤一、制备具有硅纳米线沟道的隧穿场效应晶体管作为转换器；步骤二、采用表面修饰剂对所述硅纳米线沟道表面进行活化修饰。所述步骤一中制备硅...
- 俞文杰刘畅赵清太王曦
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- 基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法
- 本发明提供一种基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一sSOI衬底，所述sSOI衬底的顶层应变硅的厚度为10nm~50nm；2）制作器件区域；3）形成N+源区及N+漏区及应变沟道区...
- 文娇俞文杰刘畅赵清太王曦
