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1200V NPT 型IGBT 的设计和工艺研究 IGBT （绝缘栅双极晶体管）结合了双极型器件和MOSFET的特点，由于其优越的性能在家电、工业、消费电子、汽车等领域得...关键词：绝缘栅双极晶体管 参数优化 基于槽栅结构的1200V NPT -IGBT 器件的研究 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)作为一种功率半导体器件即拥有MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)...关键词：击穿电压 导通压降 模拟仿真 3300 V p^+深阱平面栅非穿通IGBT 特性 2017年 IGBT )存在寄生晶闸管,易发生闩锁失效。对p^+深阱的参数进行了优化,制备了3 300 V p^+深阱平面栅非穿通IGBT (NPT -IGBT )。对NPT -IGBT 的静态特性进行了仿真,结果表明,当p^+结深约为5.5μm,p^+深阱距离多晶硅5μm时,p^+深阱并未影响到沟道处p阱掺杂浓度,对IGBT 静态特性无明显影响。制备了不同p^+深阱注入剂量的IGBT 芯片,并将芯片封装为模块,分别进行常温和高温下的静态和动态参数测试。测试结果表明,当p^+深阱剂量低时,常温下模块关断失效;而p^+深阱剂量增大时可通过常温、高温开关测试,并通过10μs短路测试。p^+深阱注入剂量对静态特性无明显影响,对动态特性改善明显,可满足应用要求。关键词：静态特性 闩锁 电磁炉用NPT 型IGBT 的研究 IGBT )以其高耐压、低功率损耗、导通电阻小、大电流以及易于控制和驱动等优点，被广泛应用于电力电子领域，是如今最重要的新型功率半导体器件之一。NPT 型IGBT 作为IGBT 器件的杰出代表，具有高可靠性以...关键词：绝缘栅双极型晶体管 1700V/100A平面型NPT -IGBT 静态特性研究 被引量：1 2014年 NPT -IGBT ），元胞采用平面型结构，元胞注入采用自对准工艺，背发射极采用透明集电极技术，对其静态特性进行工艺仿真。仿真结果显示，调整P阱注入剂量及P阱推结时间可以改变器件的阈值电压，调整P阱及背面P^＋集电极注入剂量可以改变器件的饱和电压。将此设计进行流片验证，结果显示击穿电压在2100V以上，饱和压降在2．5～2．7V之间，阈值电压在3．9～5．9V之间，实测值和仿真值相差不大，在误差接受范围之内。关键词：绝缘栅双极晶体管 元胞 击穿电压 饱和压降 仿真研究NPT -IGBT 器件的瞬态特性 2013年 IGBT )具有驱动简单、易于并联的优点,在高端领域得到广泛应用。以1 200 V非穿通型IGBT (NPT -IGBT )为例,仿真研究IGBT 的器件结构对瞬态特性的影响(主要是开关特性和短路特性),并探讨器件短路工作过程中的自升温效应。另外,在保证导通沟道长度不变的前提下,研究pin区与MOS区所占元胞尺寸比例k对IGBT 通态电压与关断损耗折衷关系的影响,以及采用自对准工艺进行元胞设计对器件短路特性的影响。研究发现:合理设计氧化隔离层的尺寸能明显提高IGBT 的抗短路能力,从而提高器件坚固性;比例系数k越大,通态损耗越低,而开关损耗越高,设计时需综合考虑通态电压和关断损耗的折衷。适当选取k值能完成最优化的器件设计。关键词：绝缘栅双极晶体管 开关损耗 1200V NPT -IGBT 的研制 NPT )耐压层、尺寸缩小的P阱、平面栅、多级场板终端（或场环加场板）等结构的组合，完成了1200V/25A NPT -IGBT 样管的研制。利用DESSIS和TSUPRE...关键词：绝缘栅双极晶体管 击穿电压 阈值电压 分凝系数 3300V NPT -IGBT 动态特性研究 IGBT 模块市场需求强劲。在这一领域国内尚无IGBT 管芯的设计生产制造能力，...关键词：绝缘栅双极型晶体管 动态特性 仿真工具 NPT 型IGBT 器件的研究与设计IGBT )是现如今主流的功率半导体器件之一,具有高耐压,大电流,低损耗等优点,在电力电子领域内有广泛应用。目前,国内的IGBT 生产技术尚不成熟,IGBT 产品主要依赖于进口。因此,对IGBT 器件的研制有极...关键词：NPT-IGBT 导通压降 关断时间 击穿电压 终端结构 600VPT及NPT 型IGBT 产品研制 NPT 型IGBT 的产品研制及在相关领域的应用.600 V IGBT 的试验测试曲线及数据分析表明：两种方案的IGBT ,其击穿电压BVCES都满足大于600 V要求;NPT 型IGBT 的阈值电压为5...关键词：绝缘栅双极型晶体管 文献传递
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