搜索到101篇“ E-PHEMT“的相关文章
- 一种E‑PHEMT微波宽带放大器静电防护电路
- 一种E‑PHEMT微波宽带放大器静电防护电路，适用于微电子领域。电路由PIN二极管保护电路、输出保护电路、有源偏置电路组成。电路结构紧凑，体积小，工作稳定，适应性好，提高了工作效率，准确启性高、功耗低，且具有良好的抗干扰...
- 徐萍
- 文献传递
- 9～15 GHz GaAs E-PHEMT高性能线性功率放大器被引量：7
- 2017年
- 基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用栅宽比为1∶4.4的两级放大结构保证了电路的增益和功率指标满足要求;基于大信号模型实现了最优输入输出阻抗匹配;采用电磁场仿真技术优化设计的MMIC芯片尺寸为2.5 mm×1.1 mm。芯片的在片测试结果表明,静态直流工作点为最大饱和电流的35%、漏压为5 V的条件下,在9~15 GHz频率内,MMIC功率放大器小信号增益大于20 dB,1 dB压缩点输出功率不小于27 dBm,功率附加效率不小于35%,功率回退至19 dBm时三阶交调不大于-37 dBc。
- 魏碧华蔡道民武继斌
- 关键词：功率放大器GAAS
- 基于E-PHEMT技术的宽带、高线性和微型封装放大器研究
- 2016年
- 基于Ga As E-PHEMT工艺,采用负反馈和宽带有耗匹配技术,实现宽带、高线性MMIC放大器芯片;基于多层陶瓷工艺,制作密封性好、可靠性高的封装外壳。结合二者,基于多物理场联合设计、仿真和优化,实现宽带、高线性和小型化功率放大器。该放大器频率覆盖DC^3GHz,增益大于14d B,P-1功率大于23.5d Bm;P-1下PAE大于40%,OIP3大于39dbm,噪声小于3.4d B,输入驻波和输出驻波小于1.5(2GHz)。采用恒流镜像偏置,+5V单电源供电,工作电流小于110m A,封装尺寸仅为4.5mm×2.5mm×1.8mm。可广泛应用于通信等领域。
- 严评蔡道民李明磊
- 关键词：E-PHEMTMMIC高线性宽带微型封装
- E-PHEMT微波宽带放大器的静电防护电路设计被引量：1
- 2014年
- 为提升E-PHEMT微波宽带放大器的抗静电能力,在分析放大器3个端口电路结构的基础上,兼顾静电保护效果、电路尺寸、微波特性与被保护电路的有机结合,提出基于PIN二极管作为基本组成元件的微波宽带放大器静电保护电路的设计方法和思路,并研制出实物样品.通过试验对比放大器改进前后的电性能和抗静电能力,其结果表明:改进后样品的微波特性满足规范要求、抗静电能力由500V提高到2 000V.该设计方法和思路在保障放大器电特性的基础上,提升了放大器的抗静电能力.
- 王乔楠付丽欣
- 关键词：宽带放大器静电放电PIN二极管
- E-PHEMT射频功率放大器的设计与仿真被引量：1
- 2011年
- 针对实现功率放大器输出端获得最大输出功率,放大器设计主要保证能减小失真,增加线性度,就可以提高功率,为此提出了一种利用负载牵引法找出功率放大器的最大输出功率时的最佳外部负载阻抗ZL的方法。并通过实例对中心频率为3GHz,带宽为1GHz射频放大器的稳定性,输入输出负载阻抗圆,以及功率增益进行了仿真,并给出了仿真结果和最终设计电路。仿真结果表明,功率放大器设计完全满足设计指标。并对功率放大器设计提供了重要的参考依据。
- 徐琪
- 关键词：负载牵引法功率放大器功率增益
- 基于E-PHEMT的LNA电路的设计被引量：2
- 2006年
- LNA在今天的通信系统中多用在接收机前端的第一级。它的主要功能是在不添加额外噪声的情况下尽量放大输入小信号，从而在低功率点上保证所需的信噪比。另外，对于大信号，LNA应该尽量做到在不失真的情况下放大输入信号，因而在消除信道串扰。
- 吴鹏
- 关键词：E-PHEMTLNA接收机前端输入信号信道串扰小信号
- DESIGN AND PERFORMANCE OF A 1.6-2.2GHZ LOW-NOISE, HIGH GAIN DUAL AMPLIFIER IN GAAS E-PHEMT
- 文献传递网络资源链接
- E-pHEMT功放器在手机应用中的优势
- 2004年
- Daniel McNamara
- 关键词：手机GSM模块CDMA模块
- 基于GPRS的数据传输被引量：6
- 2004年
- 为了使GSM适应发展需要,ETSI提出通用分组无线服务(GPRS)技术。它是GSM Phase 2+技术,首次在GSM网络中引入分组交换模式,将无线数据通信与数据网络的融合推进了一大步。文章从各个方面简介GPRS的多种优点、总体结构、协议结构和对现有网络的影响。
- 李涛付永生
- 关键词：通用分组无线业务全球移动通信系统PLMN数据传输GGSNSGSN
- 6GHz单电压E—pHEMT FET
- 2002年
- 关键词：单电压E-PHEMTFET电源
相关作者
- 蔡道民
- 作品数：77被引量：42H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
- 研究主题：单片集成 功率附加效率 功率放大器 偏置电路 量子阱红外探测器
- 王乔楠
- 作品数：42被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
- 研究主题：限幅器 小型化 封装结构 基板 端口
- 张路
- 作品数：11被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国人民解放军空军雷达学院电子对抗系
- 研究主题：KU波段 频综 相位噪声 ADS仿真 S波段
- 翁呈祥
- 作品数：31被引量：46H指数：4
- 供职机构：空军预警学院
- 研究主题：美军 无源雷达 蜂群 无人机 LABVIEW
- 高玉良
- 作品数：89被引量：161H指数：7
- 供职机构：空军预警学院
- 研究主题：雷达 DDS 无源雷达 ADS仿真 相位噪声
