搜索到430篇“ 混合模式晶体管“的相关文章
- SOI结构P型SiGe沟道混合模式晶体管器件模型研究被引量：1
- 2003年
- 在带有应变SiGe沟道的SOIMOSFET结构中 ,把栅和衬底相连构成了新型的混合模式晶体管 (SiGeSOIBMHMT) .在SIVACO软件的器件数值模拟基础上 ,对这种结构的P型沟道管工作过程作了分析 ,并建立了数学模型 .提出在低电压 (小于 0 7V)下 ,衬底电极的作用可近似等效成栅 ,然后依据电荷增量 (非平衡过剩载流子 )的方法 ,推导出该结构的I V特性方程 .该方程的计算结果与器件模拟结果相一致 .
- 夏克军李树荣王纯郭维廉郑云光陈培毅钱佩信
- 关键词：晶体管SIGESOIMOSFET
- SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管的设计与模拟被引量：1
- 2002年
- 提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGeSOIBMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能 对不同导电类型的SiGeSOIBMHMT、SiGeSOIMOSFET、SOIBMHMT和SOIMOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟,结果表明,SiGeSOIBMHMT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高,阈值电压降低,存在衬底栅极和横向双极晶体管。
- 李树荣刘真张生才王静郭维廉郑云光陈培毅
- 关键词：SOI结构混合模式晶体管SOIMOSFET
- Si-Ge异质结基区混合模式晶体管的提出和模拟
- 2001年
- 在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入势垒的提高 ,使 IB空穴电流减小 ,从而提高了注入效率 ;迁移率增高 ,从而提高特征频率。因而这种器件具有 β高、基区电阻低、基区渡越时间短等优点。通过器件模拟证实了该器件具有输出电流大、低温放大倍数极高、常温放大倍数较高、特征频率高等优点 ,是下一代
- 郭维廉毛陆虹李树荣郑云光王静吴霞宛
- 关键词：混合模式晶体管
- Si光电负阻器件和Si-Ge异质结混合模式晶体管的模拟研究
- 该论文进行了硅光电负阻器件的基础研究工作,对两种硅光电负阻器件的机理进行了探讨.进行了二维器件模拟(简称器件模拟),对影响器件性能的主要参数进行了模拟分析,并与实验进行了对比.建立了两种光电负阻器件的电路模型,并进行了实...
- 毛陆虹
- 关键词：光电负阻器件晶体管电路模拟
- 文献传递
- 采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路被引量：4
- 1998年
- 本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路．理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近的条件下，具有更大的驱动能力，尤其在较低的工作电压下，其特点更加突出．我们用统一的标准和相同芯片面积设计了３９级带负载的ＢｉＣＭＯＳ和ＣＭＯＳ环形振荡器．实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试，表明在相同工作电压下ＢｉＣＭＯＳ优于ＣＭＯＳ．若两种电路都采用ＳＯＩ结构。
- 李树荣郭维廉郑云光刘理天李志坚
- 关键词：混合模式晶体管VLSIIC
- BMHMT－Bi－MOS混合模式晶体管被引量：4
- 1995年
- 本文提出了一种Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管──ＢＭＨＭＴ，其本质上为表面ＭＯＳ与ＬＢＪＴ共同工作的四端ＭＯＳＦＥＴ，工艺上与ＭＯＳＦＥＴ全兼容。ＢＭＨＭＴ具有比单一ＭＯＳ、单一ＬＢＪＴ及他们的简单叠加更高的电流驱动能力，ＢＭＨＭＴ作为一种发射结具有赝异质结特性的器件，在输出电流为每单位宽度０．５ｍＡ时电流放大倍数可高达２５００（Ｖ＿（ＢＳ）＝０．６２Ｖ），在小的基区电流下，ＢＭＨＭＴ的短沟效应明显小于ＭＯＳＦＥＴ。ＰＩＳＣＥＳ模拟结果与实验结果成功地证明了ＢＭＨＭＴ的以上特点。
- 陈萍李志坚刘理天
- 关键词：MOSFET双极晶体管
- Si光电负阻器件和Si-Ge异质结混合模式晶体管的模拟研究
- 2001年
- 毛陆虹
- 关键词：硅光电负阻器件锗化硅异质结晶体管
- 混合模式晶体管的常温模型
- 姜亮
- SOI/SiGe/BiCMOS的研究
- 该论文对SOI（Silicon on Insulator）应变SiGe沟道BiCMOS器件及应用电路进行了模拟和实验研究.SOI部分耗尽MOSFET相对于体硅MOSFET而言,具有许多优点：源漏结寄生电容小、工作速度快、...
- 王静
- 关键词：BICMOS混合模式晶体管
- 文献传递
- Si-Ge异质结基区BMHMT三端特性的器件模拟
- 2000年
- 在常规混合模式晶体管的基础上 ,提出了一种新的器件结构—— Si- Ge异质结基区 Bi-MOS混合模式晶体管 ( BMHMT)。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入的势垒提高 ,这样 ,一方面减小了空穴电流 IB,提高了注入效率 ;同时又增大了迁移率 ,从而提高特征频率。因此 ,这种器件具有 β高、基区电阻低。
- 毛陆虹郭维廉陈培毅牛萍娟沙亚男
- 关键词：混合模式晶体管
相关作者
- 毛陆虹
- 作品数：448被引量：404H指数：8
- 供职机构：天津大学
- 研究主题：光接收机 CMOS 标准CMOS工艺 光互连 CMOS工艺
- 郭维廉
- 作品数：253被引量：271H指数：8
- 供职机构：天津大学
- 研究主题：共振隧穿二极管 RTD 负阻器件 共振隧穿器件 负阻
- 郑云光
- 作品数：52被引量：65H指数：6
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院
- 研究主题：硅光电负阻器件 光电负阻器件 SOI 光电探测器 光电双基区晶体管
- 李树荣
- 作品数：67被引量：138H指数：7
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院
- 研究主题：硅光电负阻器件 光电双基区晶体管 光电负阻器件 光电探测器 CMOS图像传感器
- 陈培毅
- 作品数：109被引量：183H指数：7
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
- 研究主题：SIGE HBT 量子点 UHV/CVD SIGE_HBT
