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关宁

作品数：8 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

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共 13 条 记 录，以下是 1-10
陈弘达
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光子晶体 电极 垂直腔面发射激光器 CMOS 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张旭
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：CMOS 耦合电容 神经信号 电极 反馈网络
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄北举
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：石墨烯 金属接触 光电探测器 CMOS 芯片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董赞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：CMOS工艺 SOI衬底 高速电光调制器 反向偏压 工艺线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘博
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体照明 可见光通信 甚短距离 通信 并行光传输
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
裴为华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电极 垂直腔面发射激光器 绝缘层 植入 植入式
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩建强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：大动态范围 高灵敏度 读出电路 压焊 细胞组织
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈雄斌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：可见光通信 可见光 通信系统 半导体照明 甚短距离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄莉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：DSP BMI NEO 多通道 脑机接口
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 发光器件 硅基 刻蚀 标准CMOS工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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