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王莉莉

作品数：9 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 12 条 记 录，以下是 1-10
杨辉
供职机构：中国科学院地质与地球物理研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 欧姆接触电极 紫外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁骏吾
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 GAN MOCVD 硅 多晶硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙苋
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 氮化物 MOCVD INGAN 肖特基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张书明
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：氮化镓 GAN 欧姆接触电极 氮化镓基发光二极管 氮化镓基激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 GROWTH X射线衍射 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱建军
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：氮化镓 GAN 衬底 激光器 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江德生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 砷化镓 衬底 量子点 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王辉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：可调谐 欧姆接触 光电转换 激光器 可调谐激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王辉
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：MOCVD 半导体激光器 碳化硅 INGAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙元平
供职机构：烟台大学
研究主题：GAN GAAS衬底 光致发光 立方相GAN 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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