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杨光耀

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:信息产业部更多>>
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15 条 记 录,以下是 1-10
孙同年
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 晶体生长 坩埚 INP VGF
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙聂枫
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 坩埚 晶体生长 INP 籽晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈秉克
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题:半导体材料 磷化铟 大容量 INP单晶 INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹立新
供职机构:信息产业部
研究主题:INP材料 INP 磷化铟 电子特性 热稳定性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵彦军
供职机构:信息产业部
研究主题:INP单晶 半导体材料 单晶生长 直径
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
安国雨
供职机构:信息产业部
研究主题:INP单晶 半导体材料 单晶生长 直径
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘二海
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨克武
供职机构:信息产业部
研究主题:INP单晶 半导体材料 单晶生长 直径
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴霞宛
供职机构:天津大学
研究主题:介电性能 介电常数 中温烧结 介电 品质因数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐永强
供职机构:信息产业部
研究主题:INP单晶 半导体材料 单晶生长 直径
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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