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复杂介观结构的电子断层扫描解析被引量：1: 2010年; 电子断层扫描术(ET)是在透射电镜基础上发展出来的一种更为先进的表征手段,能有效地在不同尺度上解析多种材料的三维结构,利用一系列不同角度的倾转照片进行三维重构。ET技术最先应用于生物和医学等领域,目前正逐步发展并推广到材料科学研究领域用以研究纳米材料的形貌和结构。本文作者利用此技术得到不足1nm厚度的超薄ET切片,完全消除了样品厚度影响,揭示了隐藏在介孔材料内部的结构特征,成功地解析了复杂的介观结构。; 袁佩余承忠邹进; 关键词：超薄切片介观结构

Cu掺杂及应变加载对单根SnSe微米线电学性能影响的研究被引量：3: 2019年; 利用溶剂热法合成SnSe及10%Cu掺杂的SnSe,通过XRD、SEM、TEM等显微学技术对其进行形貌及结构表征分析。利用聚焦离子束技术(FIB)选取、制备多根未掺杂及10%Cu掺杂、取向为[001]的SnSe单晶微米线,结合纳米操控与电学测试系统对这些SnSe微米线进行了电学输运性能的测试研究。结果表明10%Cu掺杂的SnSe微米线较其未掺杂的微米线电导率提升了3.1倍,其平均电导率分别为156.17 S·m-1和38.02 S·m-1。同时,也对它们进行了应变加载下的电学输运特性的研究,发现随着压应变的增大,微米线电导率提升,应变在1%左右时,其电导率提升了大约30%。掺杂引起电导率提升是由于Cu+的掺杂代位Sn2+所引起的系统中空穴浓度的大幅提高;而应变引起电导率提升可能是由于应变的存在使材料原子间距发生变化从而改变材料的电子态进而降低能带带隙。本研究对基于热电材料SnSe的应用有指导意义。; 郑云志苑华磊郑坤史晓磊陈志刚邹进; 关键词：CU掺杂热电材料电学性能

用透射电镜捕捉锂离子——忆与李方华先生一起工作的日子: 2020年; 1982年,中国科学院物理研究所在李方华先生的主导下,引入了一台高分辨型透射电子显微镜。我们有幸在同年加入李方华先生课题组,开始自己的科技生涯。当年的电镜,既不及现代电镜易用,也没有亚埃分辨率,而且场发射枪和扫描透射技术均尚未成熟。高分辨者,也只是大于2?分辨率的透射模式。相干成像的透射电镜图像包含很多假象,致其可直接解释性低。所以,后期要进行一些必要的处理,最常见的是大量的图像模拟。使用弱相位物体近似,可以达到一定的可直接解释性。; 汤栋邹进; 关键词：相位物体图像模拟解释性透射电子显微镜扫描透射

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邹进