胡凤
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：重庆邮电大学光电工程学院/重庆国际半导体学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 应用于4G的两级BiCMOS射频功率放大器设计被引量：1
- 2016年
- 设计一个基于SiGe BiCMOS工艺的共源共栅结构的两级功率放大器.第一级采用差分共源放大器,将输入匹配送来的信号进行预放大,同时抑制噪声.第二级主功放采用BiFET共源共栅结构,以提高线性度.基于JAZZ0.18μm SiGe BiCMOS工艺库,采用Cadence Spectre RF对功率放大器进行仿真.实验结果表明,在3.3V电源电压下,最高功率增益达到32dB,输出1dB压缩点处功率为29dBm,有较好地线性度,在2.3~2.7GHz频段内S11和S22均小于-10dB,匹配良好.最大功率附加效率为22.1%,可用于WIMAX无线通信的2.3~2.7GHz频段.
- 王巍蔡文琪莫啸胡凤王明耀杨正琳袁军
- 关键词：射频功率放大器SIGE
- 一种宽带高效包络跟踪放大器的设计
- 2016年
- 为了高效处理宽带非恒包络信号,利用宽带包络信号功率主要集中在低频部分的特性,结合线性放大器和开关类放大器的优势,设计了一个宽带包络跟踪放大器。该放大器由一个宽带线性级和一个受线性级控制的高效开关级组成。线性级采用折叠式共源共栅放大器结构,具有AB类输出级及输出级缓冲;开关级采用同步降压型DC-DC变换器结构,包含驱动电路及"防直通"模块。整个电路采用Jazz 0.18μm BiCMOS工艺进行设计仿真,结果表明,在3.3V电源电压下,线性级单位增益带宽约为50MHz,可驱动300mA电流,具有188V/μs的摆率,包络跟踪放大器可跟踪包络信号幅度和带宽的瞬时变化,改变开关导通比以及开关频率。
- 王巍莫啸蔡文琪胡凤王明耀王冠宇袁军杨正琳
- 一种SiGe BiCMOS 3级级联60GHz LNA
- 2017年
- 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种高增益单端3级级联60GHz低噪声放大器。级间匹配采用LC谐振,以减小传输损耗,引入的级间电感L与上级输出寄生电容、下级输入寄生电容谐振,以减小寄生效应的影响。在3.3V供电电压下,60GHz频率处的功率增益S_(21)达到21.8dB,噪声系数NF为6.1dB;在58~65GHz频段内,输入和输出反射系数S_(11)和S_(22)均小于-10dB。
- 王巍胡凤鲍孝圆黄孟佳杨皓杨正琳袁军
- 关键词：低噪声放大器噪声系数
