贺凯
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：电气工程电子电信理学金属学及工艺更多>>
- 一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法
- 本发明属于硅太阳能电池技术领域，特别涉及一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法。制备过程为：以抛光石墨片为衬底，在石墨衬底上先沉积一层非晶硅薄膜，并采用快速热处理方法扩散硼，之后用氢氟酸去除表面硼硅玻璃，接着继续沉...
- 陈诺夫魏立帅贺凯王从杰孔凡迪白一鸣王淑娟
- 一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法
- 本发明属于硅太阳能电池技术领域，特别涉及一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法。制备过程为：以抛光石墨片为衬底，在石墨衬底上先沉积一层非晶硅薄膜，并采用快速热处理方法扩散硼，之后用氢氟酸去除表面硼硅玻璃，接着继续沉...
- 陈诺夫魏立帅贺凯王从杰孔凡迪白一鸣王淑娟
- 文献传递
- 多晶硅厚膜太阳电池最佳厚度理论设计被引量：1
- 2015年
- 晶体硅太阳电池是生产工艺最成熟、性能最稳定、应用最广泛的光电转换器件。目前晶体硅太阳电池的厚度一般为200μm左右,这一厚度对于光电转换效率不是最佳值。本文分别从少子扩散和入射光吸收两方面对晶体硅太阳电池厚度进行了理论分析,获得晶体硅太阳电池的最佳厚度为49 μm。今后,晶体硅太阳电池的发展趋势必然是厚度为49 μm的晶体硅厚膜结构。
- 贺凯陈诺夫孔凡迪白一鸣牟潇野杨博陶泉丽何海洋陈心一陈吉堃
- 关键词：太阳电池厚度
- 退火对铝诱导结晶锗薄膜的影响及其机理
- 2018年
- 为实现在Si衬底上制备GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池,本工作尝试利用磁控溅射和常规退火技术,采用铝诱导结晶(AIC)法在(100)晶面单晶硅衬底上制备Ge薄膜,利用金相显微镜(Metallographic microscopy)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)对其进行表征。分析了铝诱导过程中退火时间和退火温度对Ge薄膜结晶性的影响,发现退火温度越低、时间越长,制备的薄膜质量越好,确定了Ge薄膜晶化的最低退火温度为250℃,并在该温度下成功制备出了晶粒尺寸超过100nm、Ge(111)晶面择优取向度达到99%以上的Ge薄膜。
- 贺凯陈诺夫魏立帅王从杰陈吉堃
- 关键词：磁控溅射多结太阳电池
- 异质衬底锗薄膜制备及其性质分析
- 进入21世纪以后，随着传统化石能源和矿石能源的日益减少，能源危机、环境污染已经成为人类社会急需解决的问题，而随着可再生能源技术的不断成熟，可再生能源尤其是太阳能已成为当今社会经济发展的必然选择。太阳能由于其取之不尽用之不...
- 贺凯
- 单晶硅快速磷扩散研究被引量：1
- 2017年
- 采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多。使用快速热处理(RTP)方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景。使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,获得了最为理想的p-n结扩散温度及时间。通过计算快速热处理条件下磷在硅中的扩散系数以及扩散激活能,分析了与传统扩散方法不同的原因。
- 孔凡迪陈诺夫陶泉丽贺凯王从杰魏立帅白一鸣陈吉堃
- 关键词：半导体材料P-N结
- 快速光热退火制备硅基锗薄膜的机理研究
- 2018年
- 采用磁控溅射技术首先在单晶硅衬底上溅射石墨缓冲层,然后在石墨层上溅射沉积Ge薄膜。采用快速光热退火和常规热退火对Ge薄膜后续处理。通过X射线衍射及Raman光谱测试,研究不同退火条件下薄膜的晶化情况,揭示了光子在薄膜晶化中的作用。研究表明,光量子效应对锗薄膜晶化既有晶化作用,也有退晶化作用。
- 王从杰陈诺夫魏立帅陶泉丽贺凯张航白一鸣陈吉堃
- 石墨衬底上铝诱导法制备多晶硅薄膜被引量：2
- 2017年
- 利用磁控溅射技术在石墨衬底上制备了石墨/a-Si/Al和石墨/Al/a-Si叠层结构,采用常规退火(CTA)和快速热退火(RTA)对样品进行退火,系统研究了不同退火条件对多晶硅薄膜制备的影响。利用X射线衍射(XRD),拉曼光谱(Raman)对制备的多晶硅薄膜进行表征,并利用谢乐公式计算了晶粒尺寸,结果表明制备的多晶硅薄膜具有高度(111)择优取向,结晶质量良好,利于后续外延制作多晶硅厚膜电池。基于实验结果,建立了铝诱导晶化模型,很好的解释了实验现象。
- 魏立帅陈诺夫张航王从杰贺凯白一鸣陈吉堃
- 关键词：磁控溅射多晶硅薄膜
