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秦剑

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇双栅
  • 1篇氢化非晶硅
  • 1篇近似解
  • 1篇晶体管
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶硅
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇A-SI:H
  • 1篇表面势

机构

  • 1篇华南理工大学

作者

  • 1篇姚若河
  • 1篇秦剑

传媒

  • 1篇华南理工大学...

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
非对称双栅结构a-Si:H薄膜晶体管沟道电势统一模型
2016年
针对非对称双栅结构的非晶硅薄膜晶体管,根据高斯定理建立了表面势与背电势随栅压变化的隐含关联方程组,通过求解一维泊松方程推导了前、背栅压独立偏置条件下统一的沟道电势模型.该模型所需参数可由实验直接提取,数值拟合量少,在特定条件下可简化为对称双栅模型.在此基础上,文中利用数学变换及Lambert W函数提出了表面势与栅压隐含方程的近似求解方法.数值模拟结果显示,该方法具有良好的数值收敛特性,可直接用于器件仿真软件的初值设定,有效提升了模型自洽解的运算效率.
秦剑姚若河
关键词：表面势氢化非晶硅近似解
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