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彭晓磊

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：天津工业大学信息与通信工程学院更多>>
发文基金：天津市科技创新专项资金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇外量子效率
  • 1篇量子效率
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇ALGAIN...
  • 1篇LED
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇天津工业大学

作者

  • 1篇战瑛
  • 1篇王小丽
  • 1篇李晓云
  • 1篇牛萍娟
  • 1篇彭晓磊

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAs基AlGaInP LED的研究和进展被引量：4
2008年
探讨了GaAs基AlGaInP LED的最新研究与进展,介绍了AlGaInP红光LED外延材料的能带结构和基本的外延层结构以及限制外量子效率的问题,探讨了几种高效率的LED器件结构设计。着重介绍了目前一些外量子效率比较高的LED器件的制作方法以及一些提高外量子效率的AlGaInP LED器件结构,最后探讨了AlGaInP LED在作为固体光源发展过程中仍然需要面对的挑战。
战瑛牛萍娟李晓云王小丽彭晓磊
关键词：ALGAINP发光二极管外量子效率
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共1页<1>
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