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何九洲

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院武汉物理与数学研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 3篇低频噪声
  • 3篇电路
  • 3篇电桥
  • 3篇电桥电路
  • 3篇增益开关
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇放大电路
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 3篇参考源
  • 3篇差分放大
  • 3篇差分放大电路
  • 2篇单光子
  • 2篇单光子源
  • 2篇能级
  • 2篇囚禁
  • 2篇囚禁离子
  • 2篇微腔

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇陈亮
  • 5篇冯芒
  • 5篇何九洲
  • 5篇李冀
  • 5篇刘志超
  • 3篇陈义和

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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基于单个囚禁离子的单光子源
本发明公开了基于单个囚禁离子的单光子源，包括真空室、离子阱芯片和钙原子炉，离子阱芯片包括掺砷硅基片、第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，掺砷硅基片上设置有基片通孔，基片通孔的相对的侧壁分别设置有光纤固定槽，两个光纤固定槽内分...
陈亮何九洲李冀刘志超冯芒
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一种无低频噪声的半导体激光器数字温控系统
本发明公开了一种无低频噪声的半导体激光器数字温控系统，包括正弦信号源电路、热敏电桥电路、差分放大电路、混频器、有源低通滤波电路、A/D转换器、中央处理器、增益开关，还包括D/A转换器和TEC驱动电路模块，中央处理器与串口...
刘志超陈亮何九洲李冀陈义和冯芒
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基于单个囚禁离子的单光子源
本发明公开了基于单个囚禁离子的单光子源，包括真空室、离子阱芯片和钙原子炉，离子阱芯片包括参砷硅基片、第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，参砷硅基片上设置有基片通孔，基片通孔的相对的侧壁分别设置有光纤固定槽，两个光纤固定槽内分...
陈亮何九洲李冀刘志超冯芒
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一种无低频噪声的半导体激光器数字温控系统
本发明公开了一种无低频噪声的半导体激光器数字温控系统，包括正弦信号源电路、热敏电桥电路、差分放大电路、混频器、有源低通滤波电路、A/D转换器、中央处理器、增益开关，还包括D/A转换器和TEC驱动电路模块，中央处理器与串口...
刘志超陈亮何九洲李冀陈义和冯芒
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一种无低频噪声的半导体激光器数字温控系统
本实用新型公开了一种无低频噪声的半导体激光器数字温控系统，包括正弦信号源电路、热敏电桥电路、差分放大电路、混频器、有源低通滤波电路、A/D转换器、中央处理器、增益开关，还包括D/A转换器和TEC驱动电路模块，中央处理器与...
刘志超陈亮何九洲李冀陈义和冯芒
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