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杨晓萍

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：天津理工大学电子信息工程学院更多>>
发文基金：天津市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射法

机构

  • 1篇天津理工大学

作者

  • 1篇熊瑛
  • 1篇孙大智
  • 1篇杨晓萍

传媒

  • 1篇天津理工大学...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
射频磁控溅射法LiNbO_3薄膜的制备及其影响因素研究被引量：2
2008年
采用射频磁控溅射法在Si(111)和Si(100)上制备LiNbO3薄膜.通过XRD技术探讨了硅基片取向和所制备的薄膜的取向之间的联系,研究了不同靶材对薄膜的影响,讨论了热处理温度、工艺和所制备的薄膜取向的关系.报道了在Si(111)基片上制备高c轴取向的LiNbO压电薄膜的制备方法.
孙大智熊瑛杨晓萍
关键词：射频磁控溅射
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