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胡晓斌

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩光电二极...
  • 1篇图像
  • 1篇图像应用
  • 1篇光电
  • 1篇光电二极管
  • 1篇二极管
  • 1篇暗电流
  • 1篇APD
  • 1篇GA
  • 1篇AS

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇宋国峰
  • 1篇徐云
  • 1篇李晓敏
  • 1篇白霖
  • 1篇于海龙
  • 1篇李慧梅
  • 1篇胡晓斌

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As雪崩光电二极管的数值模拟研究被引量：1
2016年
建立了SACM型In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As雪崩光电二极管(APD)的分析模型,通过数值研究和理论分析设计出高性能的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As APD。器件设计中,一方面添加了In0.52Al0.48As势垒层来阻挡接触层的少数载流子的扩散,进而减小暗电流的产生;另一方面,雪崩倍增区采用双层掺杂结构设计,优化了器件倍增区的电场梯度分布。最后,利用ATLAS软件较系统地研究并分析了雪崩倍增层、电荷层以及吸收层的掺杂水平和厚度对器件电场分布、击穿电压、IV特性和直流增益的影响。优化后APD的单位增益可以达到0.9 A/W,在工作电压(0.9 Vb)下增益为23.4,工作暗电流也仅是纳安级别(@0.9 Vb)。由于In0.52Al0.48As材料的电子与空穴的碰撞离化率比In P材料的差异更大,因此器件的噪声因子也较低。
李慧梅胡晓斌白霖李晓敏于海龙徐云宋国峰
关键词：暗电流图像应用
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