俞鹏飞
- 作品数:5 被引量:8H指数:2
- 供职机构:西北工业大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种碲锌镉晶体的气相退火改性方法
- 本发明涉及一种碲锌镉晶体的气相退火改性方法,技术特征在于:采用两步气相退火,第一步是用非金属Te作为气相退火介质,通过退火提高晶体的电阻率和探测器的能量分辨率。第二步是用Cd/Zn金属合金作为气相退火介质,通过退火消除晶...
- 俞鹏飞介万奇王涛徐亚东何亦辉
- CdZnTe晶体光致发光谱“负热淬灭”现象研究被引量:2
- 2010年
- 采用改进的垂直布里奇曼法生长了直径为60mm的CdZnTe晶体,测试了其在10K~150K范围的PL谱。对760nm和825nm处的峰积分强度随温度变化关系进行研究发现,在30~50K范围内,PL谱峰的强度呈现反常温度依赖现象,即随着温度的升高而减小,也就是所谓的"负热淬灭"现象,这在CdZnTe晶体中属首次观察到。进一步分析表明,随着温度的增加,其PL谱强度变化的过程包含了三个无辐射过程和一个负热淬灭过程。与没有发生"负热淬灭"现象的CdZnTe晶体对比,两者XRD图谱呈现明显差异。讨论了发生负热淬灭现象的原因以及可能路径。
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- 关键词:CDZNTEPL谱
- 低阻值In掺杂CdZnTe晶体的退火改性被引量:4
- 2010年
- 以Cd1-yZny合金作退火源,对采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)生长的In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶片进行退火改性。结果表明:与退火前相比,退火后晶片的成分均匀性提高,Cd、Zn和Te三种元素的含量更接近理想的化学计量比,平均红外透过率由12%提高到59%,电阻率从3.5×106Ω.cm提高到5.7×109Ω.cm,且在PL谱中出现了代表晶体质量的(D0,X)发光峰。在合适的条件下对低阻值In掺杂的CdZnTe晶体进行退火改性可较好的提高晶体的性能。
- 俞鹏飞介万奇
- 关键词:CDZNTE晶体退火红外透过率PL谱
- CdZnTe晶体中微米级富Te相与PL谱的对应关系被引量:3
- 2011年
- 采用红外透过显微镜(IRTM)观察了不同条件下生长的CdZnTe晶体中微米级富Te颗粒.结合实际生长条件分析了不同富Te颗粒的产生以及形态演化.通过低温光致发光(PL)谱研究了CdZnTe晶体中杂质、缺陷的状态,以及晶体的结晶质量,并测试了相应晶体的电阻率.归纳出不同富Te颗粒的产生与对应晶体10 K温度下PL谱中特征发光峰之间的关系.研究表明:富Te条件下生长的晶体存在圆形、六边形以及三角形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)峰强度占主导;按化学计量比生长的晶体存在十字交叉的富Te颗粒,PL谱中DAP峰强度占主导;Cd过量生长的晶体存在星形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)半峰宽较宽.
- 徐亚东介万奇王涛俞鹏飞杜园园何亦辉
- 关键词:CDZNTE晶体PL谱
- 一种碲锌镉晶体的气相退火改性方法
- 本发明涉及一种碲锌镉晶体的气相退火改性方法,技术特征在于:采用两步气相退火,第一步是用非金属Te作为气相退火介质,通过退火提高晶体的电阻率和探测器的能量分辨率。第二步是用Cd/Zn金属合金作为气相退火介质,通过退火消除晶...
- 俞鹏飞介万奇王涛徐亚东何亦辉