您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 5篇晶体
  • 3篇退火
  • 3篇PL谱
  • 3篇CDZNTE...
  • 2篇能量分辨率
  • 2篇气相
  • 2篇碲锌镉
  • 2篇碲锌镉晶体
  • 2篇晶体质量
  • 2篇辐射探测器
  • 1篇低阻值
  • 1篇阻值
  • 1篇微米
  • 1篇微米级
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇红外透过率
  • 1篇发光

机构

  • 5篇西北工业大学

作者

  • 5篇介万奇
  • 5篇俞鹏飞
  • 4篇王涛
  • 4篇徐亚东
  • 3篇何亦辉
  • 1篇杜园园
  • 1篇查钢强
  • 1篇傅莉

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种碲锌镉晶体的气相退火改性方法
本发明涉及一种碲锌镉晶体的气相退火改性方法,技术特征在于:采用两步气相退火,第一步是用非金属Te作为气相退火介质,通过退火提高晶体的电阻率和探测器的能量分辨率。第二步是用Cd/Zn金属合金作为气相退火介质,通过退火消除晶...
俞鹏飞介万奇王涛徐亚东何亦辉
CdZnTe晶体光致发光谱“负热淬灭”现象研究被引量:2
2010年
采用改进的垂直布里奇曼法生长了直径为60mm的CdZnTe晶体,测试了其在10K~150K范围的PL谱。对760nm和825nm处的峰积分强度随温度变化关系进行研究发现,在30~50K范围内,PL谱峰的强度呈现反常温度依赖现象,即随着温度的升高而减小,也就是所谓的"负热淬灭"现象,这在CdZnTe晶体中属首次观察到。进一步分析表明,随着温度的增加,其PL谱强度变化的过程包含了三个无辐射过程和一个负热淬灭过程。与没有发生"负热淬灭"现象的CdZnTe晶体对比,两者XRD图谱呈现明显差异。讨论了发生负热淬灭现象的原因以及可能路径。
王涛俞鹏飞徐亚东查钢强傅莉介万奇
关键词:CDZNTEPL谱
低阻值In掺杂CdZnTe晶体的退火改性被引量:4
2010年
以Cd1-yZny合金作退火源,对采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)生长的In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶片进行退火改性。结果表明:与退火前相比,退火后晶片的成分均匀性提高,Cd、Zn和Te三种元素的含量更接近理想的化学计量比,平均红外透过率由12%提高到59%,电阻率从3.5×106Ω.cm提高到5.7×109Ω.cm,且在PL谱中出现了代表晶体质量的(D0,X)发光峰。在合适的条件下对低阻值In掺杂的CdZnTe晶体进行退火改性可较好的提高晶体的性能。
俞鹏飞介万奇
关键词:CDZNTE晶体退火红外透过率PL谱
CdZnTe晶体中微米级富Te相与PL谱的对应关系被引量:3
2011年
采用红外透过显微镜(IRTM)观察了不同条件下生长的CdZnTe晶体中微米级富Te颗粒.结合实际生长条件分析了不同富Te颗粒的产生以及形态演化.通过低温光致发光(PL)谱研究了CdZnTe晶体中杂质、缺陷的状态,以及晶体的结晶质量,并测试了相应晶体的电阻率.归纳出不同富Te颗粒的产生与对应晶体10 K温度下PL谱中特征发光峰之间的关系.研究表明:富Te条件下生长的晶体存在圆形、六边形以及三角形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)峰强度占主导;按化学计量比生长的晶体存在十字交叉的富Te颗粒,PL谱中DAP峰强度占主导;Cd过量生长的晶体存在星形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)半峰宽较宽.
徐亚东介万奇王涛俞鹏飞杜园园何亦辉
关键词:CDZNTE晶体PL谱
一种碲锌镉晶体的气相退火改性方法
本发明涉及一种碲锌镉晶体的气相退火改性方法,技术特征在于:采用两步气相退火,第一步是用非金属Te作为气相退火介质,通过退火提高晶体的电阻率和探测器的能量分辨率。第二步是用Cd/Zn金属合金作为气相退火介质,通过退火消除晶...
俞鹏飞介万奇王涛徐亚东何亦辉
共1页<1>
聚类工具0