顾文
- 作品数：14 被引量：9H指数：2
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 柔性OLED器件薄膜封装研究被引量：6
- 2012年
- 把有机发光二极管(OLED)制备在柔性基底上,以此来实现柔性显示是未来显示技术发展的一个重要方向。但柔性基底相对于玻璃基底来说对水、氧气的阻挡能力较弱。为了延长柔性OLED器件寿命,就需要在柔性基底上进行有效的封装。文章首先介绍了柔性OLED的器件结构和常规的封装方法,然后重点介绍了目前比较热门的Barix封装技术以及ALD技术,这两种技术都能够对器件进行有效的封装,将薄膜阻挡层的水汽渗透率降到一个较低的范围内,能够满足OLED在柔性显示和发光方面的需要,但是在效率和成本方面仍然需要进一步的改善。
- 张浩顾文桑仁政张建华
- 关键词：有机发光二极管封装技术
- 铜硫化物/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种采用铜硫化物中间薄层来提高氧化锌基LED透明电极与p型氮化镓之间的欧姆接触，与单纯的采用金属作为中间插入层对比，铜硫化物在光透过率方面有明显提高，同时也能够和p型氮化镓形成较好的欧姆接触。本发光二极管包括：...
- 张建华顾文
- 文献传递
- AgO_x界面插入层对GZO电极LED器件性能的影响
- 2012年
- 采用磁控溅射的方法在p-GaN上制备了GZO透明导电薄膜,通过在p-GaN和GZO界面之间插入AgOx薄层来改善LED器件的接触性能。研究结果表明:氮气退火后,采用界面插入层的AgOx/GZO薄膜电阻率为5.8×10-4Ω.cm,在可见光的透过率超过80%。AgOx界面插入层有效地降低了GZO与p-GaN之间的接触势垒,表现出良好的欧姆接触特性,同时使LED器件的光电性能获得了显著的提高。在50 mA的注入电流下,相比于常规的GZO电极LED器件,AgOx/GZO电极LED器件的正向电压由9.68 V降至6.92 V,而发光强度提高了13.5%。
- 顾文石继锋李喜峰张建华
- 关键词：欧姆接触
- 自生长石墨烯电极发光二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种自生长石墨烯电极发光二极管及其制备方法，依次由衬底层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、金属插入层和石墨烯电极层结合形成，通过金属插入层作为CVD法制备石墨烯电极的催化剂，实现石墨烯的自生长，使金属插入...
- 杨连乔冯伟顾文张建华
- 文献传递
- 柔性显示器件技术综述
- 本文介绍了当前主要的柔性显示技术的研究进展，包括柔性液晶显示、柔性有机电致发光器件、柔性电泳显示等，对比分析了各自的优缺点及其存在的关键问题，包括柔性基板材料、柔性TFT基板，卷对卷制备工艺及其在柔性显示中的应用。最后，...
- 张浩桑仁政顾文曹进冯涛张建华
- 关键词：显示技术柔性基板
- 文献传递
- 基于金属酞菁化合物的OTFT的研究
- 顾文
- 关键词：有机薄膜晶体管酞菁双极型
- 自生长石墨烯电极发光二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种自生长石墨烯电极发光二极管及其制备方法，依次由衬底层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、金属插入层和石墨烯电极层结合形成，通过金属插入层作为CVD法制备石墨烯电极的催化剂，实现石墨烯的自生长，使金属插入...
- 杨连乔冯伟顾文张建华
- 文献传递
- 一种氧化锌透明电极发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种氧化锌透明电极发光二极管，包括蓝宝石衬底、缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、氧化锌保护层、氧化锌基透明电流扩展层、p型金属电极和n型金属电极；所述缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中...
- 张建华顾文
- 文献传递
- 基于有机绝缘层的低电压有机薄膜晶体管
- 顾文靳卫鹏王军
- 铜硫化物/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制备方法
- 本专利涉及一种采用铜硫化物中间薄层来提高氧化锌基LED透明电极与p型氮化镓之间的欧姆接触，与单纯的采用金属作为中间插入层对比，铜硫化物在光透过率方面有明显提高，同时也能够和p型氮化镓形成较好的欧姆接触。本发光二极管包括：...
- 张建华顾文
- 文献传递
