张志华
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 不同基区Ge组分分布对SiGe HBT特性的影响被引量：3
- 2013年
- 研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210K～410K范围内对SiGe HBT特性的影响。借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的电流增益β,厄尔利电压VA,截止频率fT随着温度升高而降低;靠近基区发射结的Ge组分越高,β越大;基区Ge组分梯度升高,VA增大,fT增大。提出了一种优化的Ge分布,与传统Ge分布相比,该分布器件的电流增益β对温度的敏感性分别降低72.1%,56.4%和58.7%,扩大了器件的应用领域。
- 张志华刘玉奎谭开洲崔伟申均张静
- 关键词：SIGEHBT电流增益截止频率
- 分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法
- 本发明公开一种分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法，涉及半导体技术领域，本发明将单元胞放电管的阴极发射区N1和N3的面积进行等分，分割成多个正方形的阴极发射区，将等分分割之后形成的正方形的阴极发射区在基区上横向和纵向展...
- 唐政维左娇谢欢蒋龙向导张盼盼徐佳张志华罗嵘赵卫峰李文富
- 文献传递
- 分布式多元胞集成半导体放电管的设计与工艺
- 2012年
- 介绍了一种分布式多元胞集成半导体放电管的结构设计和工艺方法。在保持传统单元胞放电管器件表面总面积和放电管纵向剖面NPNPN五层结构不变的情况下,将放电管发射区等分成2(N+1)2个(N取0,1,2,3,4),构成在基区中心对称的多元胞结构。该结构优化了放电管阴极发射区的分布,使浪涌电流在整个芯片平面上趋于均匀,降低了发射区的热量集中效应;同时增加了电流放大系数,减少了放电管的开通时间。采用镓扩散、玻璃钝化等工艺流程,制作出分布式多元胞集成半导体放电管,解决了单元胞放电管散热不均匀、响应速度慢及可靠性差的问题。雷电波冲击电流测试表明,该结构提高了器件的抗电涌能力,可广泛应用于通信领域的雷电防护。
- 唐政维徐佳张志华左娇谢欢罗嵘
- 关键词：放电管半导体器件多元胞
- 分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法
- 本发明公开一种分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法，涉及半导体技术领域，本发明将单元胞放电管的阴极发射区N1和N3的面积进行等分，分割成多个正方形的阴极发射区，将等分分割之后形成的正方形的阴极发射区在基区上横向和纵向展...
- 唐政维左娇谢欢蒋龙向导张盼盼徐佳张志华罗嵘赵卫峰李文富
- 一种提高SiGe HBT器件电学特性的Ge组分分布被引量：1
- 2014年
- 介绍了一种提高SiGe HBT器件电学特性的基区Ge组分分布方式。这种优化的Ge分布模型在靠近发射极与集电极处为均匀分布,中间为梯度分布。借助于TCAD仿真工具,在基区Ge组分总量不变的条件下,相比于传统的Ge分布和其他文献中的Ge分布,该Ge分布极大地增加了器件厄尔利电压VA以及击穿电压BVCEO。同时,厄尔利电压增益积βVA分别提高了53%和91%,品质因子fT*BVCEO分别提高了10.3%和14.1%。
- 张志华刘玉奎谭开洲崔伟申均张静
- 关键词：SIGEHBT击穿电压
