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沙江波
作品数:
83
被引量:139
H指数:7
供职机构:
北京航空航天大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家教育部博士点基金
教育部“新世纪优秀人才支持计划”
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相关领域:
金属学及工艺
一般工业技术
理学
航空宇航科学技术
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合作作者
邓增杰
西安交通大学材料科学与工程学院
徐惠彬
北京航空航天大学材料科学与工程...
周春根
北京航空航天大学材料科学与工程...
张虎
北京航空航天大学材料科学与工程...
周惠久
西安交通大学材料科学与工程学院
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作者
83篇
沙江波
13篇
徐惠彬
13篇
邓增杰
12篇
周春根
11篇
周惠久
11篇
张虎
10篇
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2007
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2006
1篇
2005
1篇
2000
3篇
1998
共
83
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超高温Nb-Si金属间化合物基高温合金的研究进展
超高温Nb-Si金属间化合物基高温合金有望替代传统的Ni基高温合金,用于新一代高性能航空发动机的热端部件。概述了该合金在合金化、定向凝固和热处理工艺与组织控制、熔炼和精密成型方法、抗氧化涂层设计与制备技术等方面的近期研究...
张虎
贾丽娜
周春根
沙江波
关键词:
高温合金
文献传递
J积分断裂准则在弹塑性Ⅰ-Ⅱ复合型加载下的应用探讨
被引量:6
1994年
在分解J积分法调制的弹塑性大变形有限元程序计算基础上,用阻力曲线法研究了两种油井钻杆材料不同Ⅰ-Ⅱ复合比下的J积分阻力特性,结果表明:随Ⅱ型分量增加,以J积分形式表示的断裂抗力降低,提出了一个适于钻杆钢等中低强度、塑韧性较好的材料的复合型延性断裂准则:Jc=JⅡc—(α—1)JⅡ(其中α为一材料常数,但在实验范围内,试样尺寸对α还有一定影响).并结合复合延性断裂微观过程的观察,对该准则和α值做了解释和讨论。
朱平
沙江波
邓增杰
关键词:
J积分
复合材料
采用高通量技术制备梯度Nb-Si基合金薄膜的方法
本发明公开了一种采用高通量技术制备梯度Nb‑Si基合金薄膜的方法,包括如下步骤:(1)制备Nb‑16Si‑6Cr‑24Ti‑6Al基体;(2)制备Cr靶材;(3)制备xNb‑ySi‑zTi‑kAl合金靶材,其中,x=55...
周春根
沙江波
姜威
文献传递
一种铸造用镍基单晶合金籽晶的切割制备方法
本发明公开了一种铸造用镍基单晶合金籽晶的切割制备方法,所述方法首先对用于制备籽晶的试棒或者试板进行机械加工后得到具有上、下平行截面的试块,对试块的其中一个平行截面进行磨光处理,得到磨光面;将试块磨光面朝上固定于X射线应力...
宫声凯
尚勇
李树索
裴延玲
沙江波
徐惠彬
文献传递
一种3D打印铌合金及其制备方法
本发明提供了一种3D打印铌合金的制备方法,利用纳米TiC作为形核剂,可使形核率大大增加,协同3D打印,使合金晶界裂纹消除,晶粒尺寸显著细化,具有抗热裂性能更好的近等轴晶,降低其各向异性,提升室温强度、高温强度和塑性延伸率...
沙江波
刘达
廖军华
王苑宇恒
一种改善Nb-Si基多元合金室温断裂韧性的方法
本发明公开一种改善Nb?Si基多元合金室温断裂韧性的方法,属于超高温结构材料领域。本发明应用等离子旋转电极雾化法,以Nb?Si基多元合金棒作为旋转电极,以等离子束为加热源,通过合理的旋转速度和等离子束功率参数设置,在真空...
沙江波
费腾
张虎
郭跃岭
文献传递
一种采用氢化脱氢制备Nb-Si基合金粉末的方法
本发明公开了一种采用氢化脱氢制备Nb‑Si基合金粉末的方法,包括以下步骤:S1、配料,按照成分配比称取Nb、Si、Ti、Al、Cr、Hf、Sc纯金属原料;S2、熔炼,将称取好的原料放入熔炼炉内进行熔炼;S3、氢化,将Nb...
沙江波
廖军华
魏振河
彭徽
郭洪波
逄淑杰
一种铱铪锆超高温合金
本发明公开了一种铱铪锆超高温合金,该合金由75at%~96at%的铱(Ir)、3at%~15at%的铪(Hf)和1at%~10at%的锆(Zr)组成。该合金材料在1950℃屈服强度为40MPa~175MPa,变形率大于3...
沙江波
徐惠彬
宫声凯
文献传递
复合型启裂韧度 J_(MC) 的测定方法和断裂准则的探讨
1997年
应用有限元方法和断裂实验对铝合金材料Ly12和40CrNiMo钢在Ⅰ+Ⅱ型载荷下启裂韧度JMC的测定方法及弹塑性断裂行为进行了研究,给出了2种材料复合断裂的J积分准则.结果表明:1)根据复合型JR阻力曲线,应用裂纹延伸区零扩张量法测定的不同复合比下的启裂韧度JMC值能够满足工程精度,且简便易行;2)不同复合比下的启裂韧度JMC值满足一定的关系式.只要能得到材料的JⅠC、JⅡC值,任何复合比下的JMC值都可由一定的关系式计算得到.另外。
沙江波
邓增杰
周惠久
关键词:
金属材料
一种具有Mo-Si-B-O高温抗氧化涂层的C/SiC复合材料及其制备方法
本申请公开了一种具有Mo‑Si‑B‑O高温抗氧化涂层的C/SiC复合材料,包括Mo‑Si‑B‑O涂层和C/SiC基体,Mo‑Si‑B‑O涂层与C/SiC基体之间不存在互扩散区,Mo‑Si‑B‑O涂层主要由MoSi<Sub...
沙江波
李腾
温斯涵
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