王玉彬
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信更多>>
- RSD器件通态损耗对脉冲电流峰值的影响研究
- 反向开通复合管RSD基于反向预充开通方式,具有在整个芯片面积上均匀导通、容易串并联、高电流上升率、寿命长等优点。本文在不同电阻负载下,进行了高电压试验。试验结果表明,负载相同时,RSD在开通大电流时,器件损耗对电路影响很...
- 彭亚斌余岳辉梁琳王玉彬刘建超
- 关键词：脉冲开关放电电压电路参数高电压试验电阻负载
- 文献传递
- RSD器件通态损耗对脉冲电流峰值的影响研究
- 基于反向预冲电流下在器件内建立均匀等高子体层的开通原理，反向开通复合管具有在整个芯片面积上均匀开通、容易串并联的优点。本文通过理论和试验研究，得到了在不同放电电压、不同电阻负载下电压与脉冲电流峰值的关系.结果表明：同一负...
- 彭亚斌余岳辉梁琳王玉彬
- 关键词：脉冲开关脉冲功率源
- 文献传递
- 基于RSD的脉冲放电系统主回路仿真与试验被引量：4
- 2007年
- 研究了基于RSD开关的脉冲放电主回路,应用ATPDraw软件仿真了不同主电容、主电压、负载电阻条件下的输出电流波形,并在测试平台上进行了相应的开通试验。试验研究了不同叠片片数和不同主电压下磁开关的输出电压波形,为其配合RSD使用、保证合适延迟时间提供了依据。进行了直径40mm的RSD管芯极限通流试验,200μs脉宽下获得峰值电流42kA,与经验公式吻合。计算和试验结果都反映了RSD开通电压随峰值电流增大而增大的趋势。
- 梁琳余岳辉彭亚斌王玉彬
- 关键词：反向开关晶体管脉冲功率磁开关主回路
- RSD短脉冲放电应用中的集肤效应研究
- 本文讨论了大功率超高速半导体开关RSD(Reversely SwitchedDynistor)导通时的集肤效应，在考虑了大注入效应和强场引起的雪崩电离效应的RSD模型基础上，得到了在集肤效应影响下的芯片上的电流密度分布，...
- 梁琳余岳辉邓林峰王玉彬
- 关键词：半导体开关脉冲放电集肤效应
- 文献传递
