朱家俊
- 作品数：4 被引量：12H指数：2
- 供职机构：湖南大学物理与微电子科学学院更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的计算模型被引量：1
- 2007年
- 采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应,建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用该模型数值,研究了Si3N4/SiO2、Al2O3/SiO2、HfO2/SiO2和La2O3/SiO2四种堆叠栅介质结构MOS器件的栅极漏电流随栅极电压和等效氧化层厚度变化的关系。依据计算结果,讨论了堆叠栅介质MOS器件按比例缩小的前景。
- 杨红官朱家俊喻彪戴大康曾云
- 关键词：直接隧穿MOS器件
- 制备及钝化条件对多孔硅发光性能的影响被引量：7
- 2003年
- 研究了氧化电流密度对多孔硅 (PS) PL 谱的影响。结果表明 ,随着氧化电流密度增大 ,PS的微晶 Si平均尺寸减小 ,且尺寸大的微晶 Si数量也减少 ,说明制备条件对钝化 PS的发光有影响 ;PS经适当的高温氧化处理后 ,其 PL 谱会发生明显变化 ;选用含有胺基的正丁胺 ,采用射频辉光放电法对 PS进行钝化处理 ,在一定程度上提高了 PS的发射强度伴随发光峰位的较大蓝移 ;其钝化 PS的荧光谱随钝化温度和钝化时间变化 ,说明钝化条件对钝化 PS的发光有直接影响。由此 ,可以通过调节制备和钝化条件来获得最大的发光效率和所需要的发光颜色。
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- 关键词：多孔硅发光效率
- 输运层对双层器件电致发光效率的影响
- 2002年
- 建立了双层器件载流子输运与复合发光的多势垒的理论模型 ,用以描述高场下载流子输运与复合发光的机理 ,并详细讨论了输运层势垒及外加电压对器件复合效率的影响 .结果表明 :双层器件的发光是载流子隧穿内界面后在两有机层 (输运层 )中的复合发光 ,输运层的势垒宽度和高度对器件发光效率的影响很大 ,且阴极区 (阳极区 )的势垒宽度双势垒高度对其影响更大 ;
- 李宏建谢自芳朱家俊瞿述许雪梅赵楚军彭景翠
- 关键词：势垒高度
- 一种恒跨导轨对轨输入级运算放大器的设计被引量：4
- 2006年
- 提出了一种恒跨导轨对轨输入级的结构,从理论上详细分析了这种结构的可行性和优越性,在输入MOS差分对管处于强反型区和弱反型区时,它都能提供几乎不变的跨导,且采用0.6μmCMOS工艺对这种运算放大器进行了模拟仿真,其结果与理论值很相符合。
- 谢强李宏建朱家俊
- 关键词：CNOS运算放大器恒跨导轨对轨
