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李晓敏

作品数:9 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇牺牲层
  • 4篇外延片
  • 4篇LED阵列
  • 3篇半导体
  • 2篇导体
  • 2篇电极
  • 2篇雪崩
  • 2篇雪崩光电二极...
  • 2篇延展性
  • 2篇预拉伸
  • 2篇图形化
  • 2篇转印
  • 2篇无机
  • 2篇金属互连
  • 2篇互连
  • 2篇光电
  • 2篇光电二极管
  • 2篇光效
  • 2篇光效率
  • 2篇二极管

机构

  • 9篇中国科学院
  • 1篇四川大学

作者

  • 9篇宋国峰
  • 9篇徐云
  • 9篇李晓敏
  • 8篇白霖
  • 5篇江宇
  • 2篇王磊
  • 2篇于海龙
  • 2篇李慧梅
  • 1篇陈良惠
  • 1篇李健
  • 1篇胡晓斌

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种高响应度雪崩光电二极管制备方法
本发明公开了一种垂直型雪崩光电二极管及其制备方法。所述雪崩光电二极管的制备方法包括:刻蚀垂直台面至In<Sub>0.53</Sub>Ga<Sub>0.47</Sub>As牺牲层;钝化台面侧壁及上表面;腐蚀去除In<Sub...
陈良惠李慧梅李晓敏李健于海龙宋国峰徐云
文献传递
基于无机半导体材料的柔性LED阵列的制备方法
本发明公开了一种无机柔性LED阵列的制备方法,包括:在半导体衬底上生长具有牺牲层的LED外延片,光刻形成环形图形化的光刻胶掩膜,刻蚀至LED外延片下接触层;光刻刻蚀工艺制作侧面钝化层;形成图形化的金属图形,退火合金化之后...
宋国峰李晓敏徐云江宇白霖
文献传递
一种可延展无机柔性LED阵列的制备方法
本发明公开了一种用石墨烯作透明互联的可延展无机柔性LED阵列的制备方法,该制备方法包括:铜箔/镍箔基底的石墨烯转移到PDMS;将PDMS上的石墨烯转移到预拉伸胶带;预拉伸胶带回缩;利用半导体工艺技术,在LED外延片上形成...
宋国峰白霖徐云李晓敏
文献传递
适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法
本发明公开了一种适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法,该制备方法包括:生长带有牺牲层的无机半导体外延片,传统功能单元制备;牺牲层钻蚀;涂覆柔性聚合物材料及其图形化;腐蚀牺牲层;完成适用于转印的超薄无机半导体功能单...
徐云宋国峰李晓敏江宇王磊白霖
文献传递
In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As雪崩光电二极管的数值模拟研究被引量:1
2016年
建立了SACM型In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As雪崩光电二极管(APD)的分析模型,通过数值研究和理论分析设计出高性能的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As APD。器件设计中,一方面添加了In0.52Al0.48As势垒层来阻挡接触层的少数载流子的扩散,进而减小暗电流的产生;另一方面,雪崩倍增区采用双层掺杂结构设计,优化了器件倍增区的电场梯度分布。最后,利用ATLAS软件较系统地研究并分析了雪崩倍增层、电荷层以及吸收层的掺杂水平和厚度对器件电场分布、击穿电压、IV特性和直流增益的影响。优化后APD的单位增益可以达到0.9 A/W,在工作电压(0.9 Vb)下增益为23.4,工作暗电流也仅是纳安级别(@0.9 Vb)。由于In0.52Al0.48As材料的电子与空穴的碰撞离化率比In P材料的差异更大,因此器件的噪声因子也较低。
李慧梅胡晓斌白霖李晓敏于海龙徐云宋国峰
关键词:暗电流图像应用
一种可延展无机柔性LED阵列的制备方法
本发明公开了一种用石墨烯作透明互联的可延展无机柔性LED阵列的制备方法,该制备方法包括:铜箔/镍箔基底的石墨烯转移到PDMS;将PDMS上的石墨烯转移到预拉伸胶带;预拉伸胶带回缩;利用半导体工艺技术,在LED外延片上形成...
宋国峰白霖徐云李晓敏
文献传递
适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法
本发明公开了一种适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法,该制备方法包括:生长带有牺牲层的无机半导体外延片,传统功能单元制备;牺牲层钻蚀;涂覆柔性聚合物材料及其图形化;腐蚀牺牲层;完成适用于转印的超薄无机半导体功能单...
徐云宋国峰李晓敏江宇王磊白霖
文献传递
基于无机半导体材料的柔性LED阵列的制备方法
本发明公开了一种无机柔性LED阵列的制备方法,包括:在半导体衬底上生长具有牺牲层的LED外延片,光刻形成环形图形化的光刻胶掩膜,刻蚀至LED外延片下接触层;光刻刻蚀工艺制作侧面钝化层;形成图形化的金属图形,退火合金化之后...
宋国峰李晓敏徐云江宇白霖
基于外延剥离技术的薄膜LEDs的电流扩展和热效应研究
2016年
随着外延剥离技术和转印技术的发展,柔性无机半导体集成器件引起人们的广泛关注.柔性无机发光二级管(LED)的研制是高精度转印技术和应用于生物传感的柔性混合集成技术的迫切需求.薄膜发光二级管(TF-LEDs)的电流扩展和热管理是研制TF-LEDs性能的关键.该文采用光刻胶微支撑结构,制备了两种结构的TF-LEDs,并将其转印到柔性衬底聚二甲基硅氧烷(PDMS)上,测试TF-LEDs的电学特性.采用二维有限元模拟仿真,综合考虑复合机制、晶格温度等对LEDs电学特性的影响,分析了条形电极结构TF-LEDs和环形电极结构TF-LEDs的电流扩展问题,说明环形电极结构TF-LEDs电流分布均匀性好,自发热效应较小;在柔性衬底上,可以在相对较大的功率下连续工作而不会因为温度过高而造成器件损坏.
李晓敏宗约瀚江宇白霖宋国峰徐云
关键词:电流扩展热效应
共1页<1>
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