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刘宝林

作品数：73 被引量：96H指数：5
供职机构：厦门大学嘉庚学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 59篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 7篇专利

领域

  • 52篇电子电信
  • 19篇理学
  • 3篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 14篇发光
  • 14篇GAN
  • 14篇INGAAS...
  • 13篇激光
  • 12篇二极管
  • 11篇发光二极管
  • 10篇半导体
  • 8篇INP
  • 7篇多量子阱
  • 7篇应变量子阱
  • 7篇量子
  • 7篇磷化铟
  • 7篇晶格
  • 7篇激光器
  • 7篇光电
  • 7篇LP-MOC...
  • 7篇MOCVD
  • 7篇超晶格
  • 7篇INGAAS
  • 5篇氮化镓

机构

  • 60篇厦门大学
  • 11篇吉林大学
  • 4篇兰州大学
  • 4篇集成光电子学...
  • 1篇北京大学
  • 1篇新疆大学

作者

  • 73篇刘宝林
  • 19篇刘式墉
  • 14篇陈松岩
  • 13篇黄美纯
  • 13篇杨树人
  • 10篇王本忠
  • 9篇陈朝
  • 9篇张保平
  • 8篇朱丽虹
  • 8篇陈佰军
  • 7篇陈龙海
  • 6篇尹以安
  • 5篇黄瑾
  • 5篇陈伯军
  • 4篇陈光华
  • 4篇毛明华
  • 4篇崔敬忠
  • 4篇李晓莹
  • 4篇郑清洪
  • 3篇甘润今

传媒

  • 14篇半导体光电
  • 9篇厦门大学学报...
  • 6篇固体电子学研...
  • 4篇光电子．激光
  • 4篇吉林大学自然...
  • 3篇光子学报
  • 3篇兰州大学学报...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇物理学报
  • 2篇发光学报
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇集美大学学报...
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇沈阳航空工业...
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇光电技术应用

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
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  • 7篇2007
  • 1篇2005
  • 5篇2004
  • 2篇2002
  • 3篇2001
  • 4篇2000
  • 9篇1998
  • 4篇1997
  • 2篇1996
  • 3篇1995
共 73 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于OEIC的InP MISFET的研制被引量：1
2000年
用MOCVD方法生长了n＋－InP/n－InP/SI－InP材料，以HfO2为介质膜，用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InPMISFET。直流特性测量表明，跨导gm=80－115ms/mm，开启电压VT－3.62V，沟道的有效电子迁移率ueff=674cm2/V·S，界面态密度NSS=9.56×1011cm－2。设计计算的特征频率fT97.1GHz，最高特征频率fmax64.7GHz，尚未发现器件性能的漂移现象。本器件可作为InP基的单片光电子集成器件(OEIC)的放大部分。
陈朝傅仁武陈松岩刘宝林S.A.Malyshev
关键词：磷化铟光电集成
激光光源显示装置
本发明提出一种激光光源显示装置，其特征在于，包括：壳体、激光光源和填充物；所述壳体至少有一部分为显示面，显示面之外部分为不透光壳；所述不透光壳任一部分的内侧面为反光面或吸光面；所述不透光壳上设有使入射光能够进入壳体内部的...
刘宝林杨小芳周牡丹
LP－MOCVD生长伸张应变InGaAs／InP多量子阱的研究
1995年
首先从理论上研究了在应变情况下量子阱中能级的计算，然后利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ组份的控制及生长条件，最后生长伸张应变为０．５％的四个量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ结构材料，利用ＰＬ光谱测量得最小阶宽为１．８ｎｍ。
刘宝林杨树人陈佰军刘式墉
关键词：半导体
氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性被引量：3
2004年
用电化学腐蚀法制备了多孔硅 (PS) ,在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理 ,并进行了光致发光 (PL)谱和原子力显微镜 (AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化 ,也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带 ,我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在 42 0～ 45 0℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带 ( 3 .2 4eV ,3 82nm) ,其发光机理有待于进一步研究。
陈松岩谢生何国荣刘宝林蔡加法陈丽荣黄美纯
关键词：多孔硅氢等离子体蓝光发射原子力显微镜热退火
多量子阱结构的MOVPE生长
1997年
利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质量分析，Ｘ射线双晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度。
陈松岩陈龙海黄美纯刘宝林洪火国李玉东王本忠刘式墉
关键词：多量子阱气相沉积MOVPE光电器件
MOCVD侧向外延生长GaN的研究被引量：1
2008年
在低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统中利用侧向外延生长(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技术进行了二次外延GaN的研究。SEM观察结果表明,翼区和窗口区宽度比值不同的图形衬底,侧向和纵向的生长速率不同;其AFM表面形貌图像表明,长平的ELO-GaN表面平整,位错密度较低。ELO-GaN的光致发光(PL)谱的带边峰比传统方法生长的GaN的带边峰红移了14.0 meV,表明ELO-GaN的应力得到部分释放,晶体质量提高。ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高,A1(TO)模的出现说明其晶轴取向相对于(0001)方向发生微小的偏移。
朱丽虹李晓莹刘宝林
关键词：氮化镓原子力显微镜扫描电子显微镜
准二维天然超晶格物质Mo_4O_(11)的输运现象
1998年
报告了准二维天然超晶格物质η-Mo4O11（在105K和35K呈现两次电荷密度波转变）在温度4．2－300K，脉冲磁场40T范围内的输运性质。动态和静态的温度特性均在转变温度附近呈现出明显异常。对其高压下的特性也作了报道。
高文秀黄美纯朱梓忠刘宝林陈松岩
关键词：输运性质温度特性电荷密度波氧化钼
LP-MOCVD生长InGaN及InGaN/GaN量子阱的研究被引量：2
2002年
利用 MOCVD系统在 Al2 O3衬底上生长 In Ga N材料和 In Ga N/ Ga N量子阱结构材料。研究发现 ,In Ga N材料中 In组份几乎不受 TMG与 TMI的流量比的影响 ,而只与生长温度有关 ,生长温度由 80 0℃降低到 74 0℃ ,In组份的从 0 .2 2增加到 0 .4 5 ;室温 In Ga N光致发光光谱 (PL)峰全半高宽 (FWH M)为 15 .5 nm;In Ga N/ Ga N量子阱区 In Ga N的厚度 2 nm,但光荧光的强度与 10 0 nm厚 In Ga N的体材料相当。
刘宝林陈松岩吴正云陈朝陈丽蓉黄美纯
关键词：LP-MOCVDINGANINGAN/GAN
一种激光图形显示方法
本发明涉及一种激光图形显示方法。该方法：S1、采用透明介质制作一用于容纳需显示图形的几何体；S2、在几何体内，设置一平行于几何体上、下底面的平面，并在该平面内嵌入荧光粉，且使荧光粉分布呈需显示图形的形状；S3、在几何体内...
刘宝林时金钰
用于OEIC的InP MISFET的研制
用MOCVD方法生长了n<'+>-InP/n-InP/SI-InP材料，以HfO<,2>为介质膜，用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InP MISFE。直流特性测量...
陈朝傅仁武陈松岩刘宝林
关键词：磷化铟光电集成
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