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杨志斌

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：湘潭大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 4篇晶体管
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇铁电
  • 3篇铁电薄膜
  • 2篇电场
  • 2篇电容效应
  • 2篇电子器件
  • 2篇氧化铪
  • 2篇硬盘
  • 2篇硬盘式
  • 2篇栅极
  • 2篇铁电薄膜材料
  • 2篇铁电场效应晶...
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子器件
  • 2篇机械硬盘
  • 2篇摆幅
  • 2篇存储器
  • 1篇电学性能

机构

  • 6篇湘潭大学

作者

  • 6篇杨志斌
  • 5篇周益春
  • 4篇廖敏
  • 1篇杨琼
  • 1篇傅燕翔
  • 1篇姚湘
  • 1篇李迎新
  • 1篇蒋振华
  • 1篇罗建平

传媒

  • 1篇湘潭大学学报...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2015
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种双栅极场效应晶体管及其制备方法
本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种双栅极场效应晶体管及其制备方法。本发明的场效应晶体管包括：衬底自下而上依次设置基底层和第一氧化物层；底部栅极自下而上依次设置第一金属层、第一氧化铪基负电容层及第二氧化物层；半导体层...
周益春杨志斌曾斌建廖敏
LaFeO3缓冲层对BaTiO3铁电薄膜电学性能的调控
2019年
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了BTO、LFO/BTO和LFO/BTO/LFO三种结构的BTO铁电薄膜,旨在通过LFO缓冲层来调控BTO薄膜的电学性能.研究发现:LFO缓冲层的引入减小了BTO铁电薄膜的漏电流,提高了其电滞回线的矩形度,获得了更高的剩余极化、饱和极化和更低的矫顽电压.这种调控作用在LFO/BTO/LFO薄膜中的效果要比在LFO/BTO中更加明显.结果表明,通过合理地设计LFO缓冲层,可以有效地改善BTO铁电薄膜的宏观电学性能.
陈周宇杨志斌刘文燕杨琼姜杰周益春
关键词：电学性能
辅助钉钉子装置
一种辅助钉钉子装置，它主要是解决现有的辅助装置适用范围窄、定位不准确和无法导向而引发的钉子弯曲、歪斜、砸手等技术问题。其技术方案要点是：它形状为一个底面水平、顶面倾斜的类圆柱体，包括中心磁铁（2）和套装在中心磁铁（2）上...
姚湘李迎新杨志斌蒋振华罗建平傅燕翔
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一种双栅极场效应晶体管及其制备方法
本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种双栅极场效应晶体管及其制备方法。本发明的场效应晶体管包括：衬底自下而上依次设置基底层和第一氧化物层；底部栅极自下而上依次设置第一金属层、第一氧化铪基负电容层及第二氧化物层；半导体层...
周益春杨志斌曾斌建廖敏
一种铁电薄膜材料存储介质的硬盘式存储器及其制备方法
本发明公开了一种铁电薄膜材料存储介质的硬盘式存储器及其制备方法，涉及存储器技术领域，首先准备洁净的衬底；然后采用原子层沉积工艺，在衬底上沉积铁电层，铁电层的材料为Hf<Sub>0.5</Sub>Zr<Sub>0.5</S...
周益春杨志斌曾斌建廖敏
一种铁电薄膜材料存储介质的硬盘式存储器及其制备方法
本发明公开了一种铁电薄膜材料存储介质的硬盘式存储器及其制备方法，涉及存储器技术领域，首先准备洁净的衬底；然后采用原子层沉积工艺，在衬底上沉积铁电层，铁电层的材料为Hf<Sub>0.5</Sub>Zr<Sub>0.5</S...
周益春杨志斌曾斌建廖敏
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