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余洋

作品数：28 被引量：10H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金四川省应用基础研究计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 4篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理

主题

  • 13篇导通
  • 13篇导通电阻
  • 13篇电阻
  • 13篇比导通电阻
  • 9篇终端结构
  • 8篇氧化层
  • 8篇栅氧化
  • 8篇栅氧化层
  • 6篇多窗口
  • 6篇曲率
  • 6篇接触区
  • 6篇结终端
  • 5篇漂移区
  • 5篇高压器件
  • 5篇横向高压器件
  • 5篇场板
  • 4篇电场
  • 4篇电极
  • 4篇重掺杂
  • 4篇耐压

机构

  • 27篇电子科技大学

作者

  • 27篇余洋
  • 23篇乔明
  • 22篇张波
  • 12篇章文通
  • 6篇肖倩倩
  • 4篇李珂

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 5篇2019
  • 2篇2018
  • 8篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2009
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种SOILDMOS器件辐射效应仿真研究被引量：5
2018年
通过Sentaurus TCAD对一种SOI LDMOS进行辐射损伤模拟仿真。使用了Sentaurus TCAD仿真辐射效应适用的模型,分析了SOI LDMOS的总剂量辐射、中子辐射和瞬时剂量率辐射特性,为抗辐射的SOI LDMOS器件提供设计指导。
余洋乔明
关键词：仿真模型总剂量辐射
安全关键分布式实时任务调度技术研究
分布式实时系统，特别是安全关键应用领域的分布式实时系统，对实时性以及安全性都有严格的要求。随着当前国防科研以及军事应用等安全关键领域的应用对安全性的要求越来越高，安全性已经成为分布式实时系统的重要设计约束。如何在分布式实...
余洋
关键词：分布式实时系统遗传算法最短路径算法任务调度
文献传递
一种消除高电场的器件
本发明提供一种消除高电场的器件，其元胞结构包括衬底、源极接触电极、漏极接触电极、栅电极、栅氧化层、第二类型漂移区、第二类型条、第一类型条、第二类型buffer区、第一类型阱区、第二类型重掺杂区、第一类型重掺杂区、第三类型...
章文通詹珍雅李珂余洋梁龙飞乔明张波
文献传递
横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、P型区、源极P<Sup>+...
乔明肖倩倩余洋詹珍雅张波
文献传递
一种横向高压器件
本发明提供一种横向高压器件，包括介质槽，介质槽的下方、左侧、右侧至少一个位置设有不同掺杂类型交替设置的掺杂条交叠结构，还包括介质层、体场板、多晶硅栅、栅下氧化层、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、P型重掺杂区，P阱区、...
乔明余洋章文通王正康詹珍雅张波
一种超结半导体器件终端结构
本发明属于纵向超结半导体器件技术领域，具体的说涉及一种超结半导体器件终端结构。本发明的终端结构，第一种导电类型半导体漂移条宽度可调节，达到从元胞区到边界的一个渐变，使终端电荷能够更好的平衡，从而提高器件耐压；其次本发明的...
乔明黄琬琰章文通余洋张波
文献传递
一种横向高压器件
本发明提供一种横向高压器件，Z方向交叠的第一型掺杂条与第二型掺杂条形成横向超结结构，降低器件导通电阻的同时提高耐压；引入介质槽可有效降低器件表面积，同时承受耐压，降低了器件的比导通电阻的同时保持器件高耐压；在介质槽内引入...
乔明余洋章文通詹珍雅王正康梁龙飞张波
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移动数据集市及基于CRM系统的数据挖掘分析与设计
我国自电信重组以来,逐步形成了多家运营商共同竞争的市场格局。技术的不断进步带来电信产业非常激烈的竞争,企业的发展必须以对客户的需求和消费行为的了解为主要考量,否则将会流失重大的商机,造成企业的损失。随着3G市场的深入以及...
余洋
关键词：CRM系统数据挖掘客户细分
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一种横向高压器件
本发明提供一种横向高压器件，包括介质槽区域，介质槽区域包括下部分的介质槽区和上部分的低K介质槽，还包括介质层、体场板、多晶硅栅、栅下氧化层、介质层、漏极接触电极、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、源极金属、P型重掺杂区...
乔明余洋章文通王正康詹珍雅张波
文献传递
横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、P型区、源极P<Sup>+...
乔明肖倩倩余洋詹珍雅张波
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