您的位置： 专家智库 > >

连延杰

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇会议论文

主题

  • 4篇半导体
  • 2篇淀积
  • 2篇掩模
  • 2篇掩模板
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇接触孔
  • 2篇金属
  • 2篇晶体管
  • 2篇绝缘栅
  • 2篇绝缘栅双极型...
  • 2篇半导体工艺
  • 1篇电子系统
  • 1篇压降
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐射
  • 1篇总剂量辐射效...
  • 1篇截面

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇李泽宏
  • 4篇连延杰
  • 3篇张波
  • 3篇钱梦亮
  • 1篇谭开洲
  • 1篇刘勇

传媒

  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法
一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，属于半导体工艺制造领域。本发明主要制造步骤包括：N<Sup>+</Sup>衬底的制备，N<Sup>－</Sup>外延生长，栅氧氧化，多晶硅淀积及掺杂，淀积二氧化硅，刻出多晶硅...
李泽宏钱梦亮连延杰张波
文献传递
非均匀沟道MNOS总剂量辐射效应
分析了非均匀沟道MNOS结构器件总剂量辐射效应，建立了MNOS的总剂量辐射阈值电压变化公式。辐射情况下，分析不同的二氧化硅厚度对非均匀沟道MNOS结构阈值电压的影响。结果表明，非均匀沟道MNOS的二氧化硅厚度为12nm时...
连延杰李泽宏谭开洲刘勇
关键词：总剂量辐射效应结构参数
一种VDMOS器件
一种VDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的VDMOS器件结构中引入一层掺杂层：对于N沟道VDMOS器件而言，该掺杂层为位于P型基区(5)和N<Sup>－</Sup>漂移区(6)之间的N<Sup>+</...
李泽宏连延杰钱梦亮张波
文献传递
一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法
一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，属于半导体工艺制造领域。本发明主要制造步骤包括：N<Sup>+</Sup>衬底的制备，N<Sup>-</Sup>外延生长，栅氧氧化，多晶硅淀积及掺杂，淀积二氧化硅，刻出多晶硅...
李泽宏钱梦亮连延杰张波
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0