魏彦峰
- 作品数：18 被引量：58H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 镶嵌在SiO_2薄膜中的纳米InSb颗粒的制备被引量：11
- 1998年
- 用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .通过控制热处理的条件 ,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒 .InSb颗粒的尺寸与热处理温度和时间成正比 ,但是并不满足t1/3 的关系 .另外 ,还通过X射线衍射以及X射线光电子能谱对InSb SiO2
- 朱开贵石建中魏彦峰张立德
- 关键词：磁控溅射二氧化硅薄膜锑化铟
- 碲镉汞富汞热处理技术的研究
- 本文利用自行研制的垂直开管富汞热处理设备,研究了碲镉汞(HgCdTe)富汞热处理技术。经富汞条件下300℃热处理和后续的常规N型热处理,As掺杂的Hg1-xCdxTe分子束外延材料中的As原子已被激活成P型受主,As原子...
- 张传杰杨建荣吴俊魏彦峰何力
- 关键词：红外探测器红外焦平面碲镉汞材料
- 文献传递
- 一种天线耦合碲镉汞太赫兹探测器
- 本发明公开一种天线耦合碲镉汞太赫兹探测器，具有探测灵敏度高，响应速度快，室温工作，结构紧凑可大规模集成的优点，可以对太赫兹信号进行实时探测成像。该探测器基于窄禁带半导体的热载流子吸收效应，选用适当组成的碲镉汞材料，设计合...
- 黄志明陆金星黄敬国周炜沈学民魏彦峰侯云高艳卿褚君浩
- 天文应用红外焦平面读出电路研究被引量：1
- 2024年
- 成功设计了一款天文应用的640×512短波红外焦平面读出电路。由于红外天文观测具有极低背景辐射、光子通量低的特点,为了实现探测器的高信噪比,需要降低器件的暗电流和电路噪声。电路采用有效的功耗管理策略,在保证电路正常工作的前提下尽可能地降低电路功耗以减小电路辉光对器件暗电流的影响。同时,研究非破坏性读出的数字功能,实现了超长的积分时间和信号的多帧累积,并作为一种斜坡采样的策略有效地降低读出噪声。短波HgCdTe焦平面的测试结果符合理论设计预期,开启电路非破坏性读出功能,设置6 000 s的积分时间,当电路功耗调低至14.04 mW时暗电流为0.9 e-·pixel^(-1)·s^(-1)。读出噪声在两档增益下分别为50 e-(10 fF)和27 e-(5 fF),非线性度低于0.1%。
- 梁清华魏彦峰陈洪雷郭晶丁瑞军
- 关键词：红外焦平面读出电路低功耗
- 纤锌矿GaN薄膜光学性质的研究被引量：6
- 2007年
- 在测试大量纤锌矿GaN外延薄膜透射光谱基础上,通过对有代表性的四个样品的透射光谱进行拟合,获取了GaN外延薄膜的光学常量并计算了薄膜厚度.结果表明：GaN外延薄膜的折射率差异较小,但在370～800 nm波长范围内消光系数差异很大,GaN薄膜的消光系数差异在一定程度上可用以评价外延薄膜的质量.
- 李雪魏彦峰龚海梅方家熊
- 关键词：GAN透射光谱消光系数
- HgCdTe薄膜的反局域效应被引量：2
- 2013年
- 利用液相外延法制备了Hg0.77Cd0.23Te薄膜样品,在对样品的低温磁输运测试中观察到反局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.通过Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)局域模型加上Drude电导模型拟合磁电导曲线,得到了电子的退相干时间和自旋-轨道散射时间.研究结果表明,电子的退相规律符合Nyquist退相机制.
- 魏来明刘新智俞国林高矿红王奇伟林铁郭少令魏彦峰杨建荣何力戴宁褚君浩
- 关键词：自旋-轨道耦合
- 带有预测化合物半导体合成裂管实时监控装置的合成炉
- 本实用新型公开了一种带有预测化合物半导体合成裂管实时监控装置的合成炉。实时监控装置有控温热电偶、二只欧陆表、可控硅、监视热电偶、计算机和报警器组成。一只欧陆表根据计算机控制软件设定的控温程序通过可控硅控制炉体温度。另一只...
- 方维政刘从峰魏彦峰涂步华杨建荣何力
- 文献传递
- Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点被引量：20
- 1999年
- 介绍了研制Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径———自组织生长ＺｎＯ量子点微晶结构．ＺｎＯ已经实现了室温下光泵激发的受激发射．它将是继Ⅱ－Ⅵ族硒化物、Ⅲ－Ⅴ簇氮化物之后的又一种半导体激光器材料．
- 柯炼缪熙月魏彦峰王杰王迅
- 关键词：量子点受激发射半导体激光器氧化锌
- 一种天线耦合碲镉汞太赫兹探测器
- 本发明公开一种天线耦合碲镉汞太赫兹探测器，具有探测灵敏度高，响应速度快，室温工作，结构紧凑可大规模集成的优点，可以对太赫兹信号进行实时探测成像。该探测器基于窄禁带半导体的热载流子吸收效应，选用适当组成的碲镉汞材料，设计合...
- 黄志明陆金星黄敬国周炜沈学民魏彦峰侯云高艳卿褚君浩
- 文献传递
- 椭偏测量技术在碲镉汞液相外延材料上的应用
- 本文采用椭圆偏振技术,对液相外延(LPE)生长的碲镉汞薄膜材料的组分及其组分的纵向分布进行了测量和研究.结果发现经P型热处理后的外延材料存在组分较低的表面层;去除表面效应和界面处组分互扩散的影响,薄膜材料的组分纵向分布具...
- 徐庆庆陈新强魏彦峰杜美蓉巫艳杨建荣何力
- 关键词：液相外延碲镉汞
- 文献传递
