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沈勤我

作品数：49 被引量：62H指数：4
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇期刊文章
  • 13篇专利
  • 7篇会议论文
  • 5篇科技成果

领域

  • 18篇电子电信
  • 10篇理学
  • 9篇一般工业技术
  • 7篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 17篇磁电
  • 17篇磁电阻
  • 15篇巨磁电阻
  • 11篇磁电阻效应
  • 9篇巨磁电阻效应
  • 8篇过渡层
  • 8篇衬底
  • 6篇多孔硅
  • 6篇绝缘层
  • 6篇键合
  • 5篇电路
  • 5篇电子束蒸发
  • 5篇多层膜
  • 5篇半导体
  • 5篇SOI材料
  • 5篇衬底材料
  • 4篇单晶
  • 4篇纳米
  • 4篇绝缘层上硅
  • 3篇电阻材料

机构

  • 29篇中国科学院上...
  • 20篇中国科学院
  • 1篇温州大学
  • 1篇香港城市大学

作者

  • 49篇沈勤我
  • 26篇林成鲁
  • 18篇邹世昌
  • 18篇沈鸿烈
  • 16篇刘卫丽
  • 15篇李铁
  • 11篇王连卫
  • 8篇宋志棠
  • 6篇祝向荣
  • 6篇封松林
  • 6篇李冠雄
  • 6篇林梓鑫
  • 6篇章宁琳
  • 5篇安正华
  • 4篇刘波
  • 3篇谢欣云
  • 3篇多新中
  • 3篇张苗
  • 2篇张苗
  • 2篇李兆峰

传媒

  • 12篇功能材料与器...
  • 2篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇电子显微学报
  • 2篇第十四届全国...
  • 2篇第十届全国磁...
  • 1篇物理
  • 1篇核技术
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第十届全国磁...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 7篇2004
  • 6篇2003
  • 5篇2002
  • 8篇2001
  • 2篇2000
  • 12篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
共 49 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有覆盖层的Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应研究被引量：1
2001年
研究了覆盖层为铁磁性的 Fe和非铁磁性的 Ti、 Cu的 Co/Cu/Co三明治在室温和低温下 的巨磁电阻效应。实验结果表明，室温下有覆盖层时 , Co/ Cu/Co三明治的巨磁电阻效应值 没有明显变化，但以 Fe为覆盖层的样品的矫顽力和饱和场明显减小，而 Ti、 Cu覆盖层对三 明治样品的矫顽力和饱和场无太大的影响。温度降低时，覆盖层使 Co/Cu/Co三明治的巨 磁电阻值显著增加，表明样品的巨磁电阻效应与覆盖层及其与上层 Co所形成的界面密切相关。
潘强沈鸿烈祝向荣李铁沈勤我邹世昌
关键词：巨磁电阻效应覆盖层金属多层膜
Co/Cu/Co三明治膜的巨磁电阻效应研究被引量：1
1999年
采用超高真空电子束蒸发方法在硅单晶衬底上制备了Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ 三明治膜，研究了衬底晶向、过渡层材料和生长室温度对三明治膜中巨磁电阻效应的影响；结合原子力显微镜表面形貌观察，探讨了三明治膜表面（ 界面）粗糙度与其巨磁电阻效应的内在关系；还分析了三明治膜经高温热退火后巨磁电阻效应退化的物理机制。
沈鸿烈李铁沈勤我李冠雄潘强邹世昌
关键词：磁电阻效应电子束蒸发多层膜
NiO/Co/Cu/Co自旋阀中反铁磁NiO层钉扎作用的研究
1999年
本文通过研究不同方向外加磁场下ＮｉＯ７０ｎｍ／Ｃｏ ５．５ｎｍ／Ｃｕ ３．５ｎｍ／Ｃｏ ５ ．５ｎｍ 自旋阀结构中磁电阻的变化，探讨了ＮｉＯ 反铁磁层对相邻的Ｃｏ 层的钉扎作用。研究发现，材料中的钉扎方向是唯一确定的，只有沿着钉扎方向反向增大外场，才能获得高的巨磁电阻效应和磁灵敏度。
李铁沈鸿烈沈勤我徐梅娣邹世昌
关键词：自旋阀反铁磁巨磁电阻材料
Si作过渡层的Co/Cu/Co三明治膜中高灵敏度巨磁电阻效应和平面内磁各向异性
1999年
用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Ｓｉ 为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Ｓｉ 过渡层厚度达到０．９ｎｍ 时，三明治膜中开始出现较强的平面内磁各向异性。在Ｓｉ１．５ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ／Ｃｕ ３ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ结构中，在其易轴上得到了５ ．５％ 的巨磁电阻值和０．９ ％／Ｏｅ 的高磁场灵敏度。研究了过渡层Ｓｉ／Ｃｏ 界面之间的相互扩散，发现在过渡层Ｓｉ 与Ｃｏ 层间形成了ＣｏＳｉ 化合物。这个硅化物界面层诱导了三明治膜的平面内磁各向异性，从而导致了易轴上高灵敏度巨磁电阻效应。
李冠雄沈鸿烈沈勤我李铁邹世昌
关键词：巨磁电阻效应磁各向异性
超高真空电子束蒸发合成晶态AlN薄膜的研究被引量：14
1998年
用超高真空蒸发Ａｌ膜，结合氮化后处理工艺在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＡｌＮ晶态薄膜。用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）等测试分析技术研究了薄膜的微结构特征。结果表明：经过１００００Ｃ３０分钟氮化处理后，能形成具有（００２）择优取向的ＡｌＮ薄膜。
黄继颇王连卫高剑侠沈勤我林成鲁
关键词：氮化铝电子束蒸发氮化半导体
Si/Co/Cu/Co薄膜中各向异性巨磁电阻效应及其与微结构的关系
沈鸿烈李冠雄沈勤我李铁邹世昌
关键词：金属薄膜各向异性巨磁电阻效应微结构
以氧化铝为埋层的绝缘层上硅结构的衬底材料及制备方法
本发明涉及一种以Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为绝缘埋层的新型绝缘层上硅衬底材料及制备方法,属于微电子学中半导体材料及制备工艺。本发明的特征在于它由三层构成,顶层单晶硅,厚度100－2000nm,...
万青章宁琳林青沈勤我张苗林成鲁
文献传递
等离子体键合和B+/H+共注实现低温SOI工艺的研究
为了降低Smart-Cut技术的热处理温度,采用等离子体表面处理和B+/H+共注的方法增强硅/二氧化硅键合界面结合力并降低硅的剥离温度.研究了等离子体表面处理对键合界面的影响,系统研究了不同硼注入剂量和不同温度退火时硅表...
马小波詹达刘卫丽宋志棠沈勤我林梓鑫
文献传递
纳米SOI材料关键制备工艺及产业化(中科院)
封松林宋志棠刘卫丽林成鲁刘波李兆峰林梓鑫沈勤我
1、在先期工作的基础上，进一步研究了高剂量离子注入的物理机理，掌握了低剂量注入形成纳米SOI的技术。通过系统研究并优化SIMOX的注入和退火工艺，解决了SIMOX材料金属沾污、顶层硅和氧化埋层缺陷密度等产业化关键技术，实...
关键词：
关键词：纳米SOI材料
纳米半导体薄膜材料加工测试平台(中科院)
宋志棠封松林刘卫丽刘波林成鲁沈勤我林梓鑫张楷亮郭晓慧
（1）制备出了高质量3－4英寸的硫系化合物Ge_2Sb_2Te_5薄膜、纳米SOI等纳米半导体薄膜材料，并对其性能进行了初步研究，取得了一些很好的阶段性成果；（2）制备出了满足生物传感器应用要求的ZnO压电薄膜，同时对其...
关键词：
关键词：纳米半导体
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