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李先林

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇大应变
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇应变量子阱激...
  • 1篇退火
  • 1篇退火效应
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇发光
  • 1篇GA

机构

  • 2篇山东大学
  • 1篇山东华光光电...

作者

  • 2篇黄柏标
  • 2篇朱宝富
  • 2篇李先林
  • 2篇秦晓燕
  • 1篇尉吉勇
  • 1篇张琦
  • 1篇姚书山
  • 1篇潘教青
  • 1篇张晓阳

传媒

  • 1篇量子电子学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究被引量：1
2003年
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm^2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet)。
潘教青黄柏标张晓阳任忠祥秦晓燕朱宝富李先林
关键词：金属有机物化学气相沉积应变量子阱激光器INGAAS/GAAS量子阱
退火效应对MOCVD生长的ZnO薄膜的影响被引量：1
2004年
我们利用MOCVD设备在α-Al2O3衬底上生长了c轴取向的ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜进行表征,研究了退火对ZnO薄膜光电特性影响。通过退火优化,ZnO薄膜的结晶性得到提高,晶粒尺寸变大,紫外光发射峰的强度相对变强。
朱宝富黄柏标秦晓燕李先林姚书山尉吉勇张琦
关键词：退火效应氧化锌薄膜光致发光谱金属有机化学气相沉积
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