朱警生
- 作品数：48 被引量：63H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- Pd，Ge薄膜体系中的分形晶化行为被引量：3
- 1996年
- 利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）对有化合物生成（Ｐｄ＿２Ｇｅ和ＰｄＧｅ等）的Ｐｄ，Ｇｅ薄膜体系中的分形晶化行为进行了系统研究实验结果和分析表明：在各种退火温度条件下，Ｐｄ－Ｇｅ共蒸膜都难以发生分形晶化，Ｐｄ／ａ－Ｇｅ双层膜较ａ－Ｇｅ／Ｐｄ双层膜更容易导致分形结构的产生Ｚ化合物Ｐｄ＿２Ｇｅ和ＰｄＧｅ的形成对薄膜中的分形晶化有明显的抑制作用，体系中能否出现分形结构，取决于非晶Ｇｅ的成核生长和Ｐｄ，Ｇｅ化学反应两种过程的相互竟争．
- 张庶元陈志文谭舜朱警生李凡庆吴自勤
- 关键词：锗
- 多晶钠离子导体Na_5Y_(1-x)Cr_xSi_4O_(12)的正电子湮没一维角关联辐射研究被引量：1
- 1992年
- 本文用正电子湮没辐射一维角关联实验装置,测量了多晶钠离子导体Na_5Y_1—xCr_xSi_4O_(12)(简称NYCS)系列各组分的正电子湮没辐射的一维角关联曲线,对测得的电子动量分布曲线归一化后,计算了线形参数,从H、W和S参数反映出NYCS系列样品中Na^+离子空位浓度的变化。测试结果表明,Cr_2O_3的含量不同,对多晶NYCS样品的一维角关联曲线的H、W和S参数均有很大影响,随Cr_2O_3的加入,H和S参数提高,W参数下降,当x=0.05时,两者均达到极值;继续加入Cr_2O_3,则H和S参数下降,W参数提高。这些结果说明,加入Cr_2O_3后,电导率的变化和Na^+离子空位浓度的变化密切相关,Na^+离子空位浓度增加,电导率提高,反之则降低。
- 崔万秋蔡飞虎朱警生
- 关键词：离子导体正电子湮没
- 光电子能谱研究Ce表面的氧化被引量：2
- 1997年
- 利用光电子能谱技术研究了室温下Ｃｅ膜表面的氧化，分析了在不同氧气暴露量下，稀土金属Ｃｅ氧化状态和样品功函数的变化。结果表明，在Ｏ２吸附的过程中，生成两种Ｃｅ的氧化物。在低的暴露量时，氧在Ｃｅ表面的吸附十分迅速，生成Ｃｅ２Ｏ３。同时，Ｃｅ２Ｏ０３中的Ｃｅ３ｄ和Ｏｌｓ谱峰随着氧气暴露量的增加向低结合能方向漂移。在高的暴露量下，氧在表面的吸附趋于缓慢，表面的Ｃｅ２Ｏ３被氧化成ＣｅＯ２。通过对样品加热，能使得四价的Ｃｅ重新转变回三价。功函数随着Ｏ２的暴露量增加先下降后上升。
- 杨宏伟麻茂生刘先明季明荣朱警生吴建新
- 关键词：光电子能谱
- La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_z薄膜中的巨磁阻比的幂指数磁场关系
- 1996年
- <正>由于氧化物巨磁阻薄膜具有十分巨大的巨磁阻效应,因而越来越受到了人们的重视.然而其巨磁阻产生的机理却至今仍不甚清楚,有关这方面的研究显得迫切需要.在多层膜或颗粒膜中其巨磁阻产生的本质通常被理解为一种自旋相关的表面散射的结果.若磁阻比定义为MR=Δρ/ρO=(ρO-ρH)/ρO,其中ρO为零场下的电阻率,ρH为磁场H时的电阻率,则在铁磁转变温度以下MR与磁化强度M之间应该有如下的关系:MR(T,H)=[ρ(O,T)-ρ(H,T)]/ρ(O,T)=A(T)F[│M/M_S│~2],(1)其中M_S为饱和磁化强度,F是│M/M_S│~2的单调函数其值介于0与1之间,当M→0时,F[│M/M_S│~2]=0,而当M→M_S时,F[│M/M_S│~2]=1,(1)式中的A(T)只是一个与温度有关的函数.由该式可以得到如下两个结论:首先,MR的温度关系应该是由(1)式中的A(T)的温度关系来决定,与磁场无关,也即MR(H1,T):MR(H2,T)应该为一常数;其次,对于某一特定的温度,MR(T,H)=CF[│M/M_S│~2],其中C为常数,由此决定了MR的磁场依赖关系.本文将对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_z巨磁阻薄膜中的MR的温度关系和磁场关系作一较详细的实验研究.1
- 刘玲孙建三许小军方军王胜王福堂曹效文朱警生张裕恒李可斌
- 关键词：巨磁阻LCMO
- LaCaMnO/LaNdCaMnO/LaCaMnO三层膜中巨磁电阻增强效应被引量：1
- 1998年
- 通过直流磁控溅射方法在ＳｒＴｉＯ３（００１）衬底上制备了一系列Ｌａ０６７Ｃａ０３３ＭｎＯ３／（Ｌａ０３５Ｎｄ０６５）２／３Ｃａ１／３ＭｎＯ３／Ｌａ０６７Ｃａ０３３ＭｎＯ３（以下简写为ＬＣＭＯ／ＬＮＣＭＯ／ＬＣＭＯ）外延三层膜，其中间层ＬＮＣＭＯ在零场下显示半导体特征，直到４２Ｋ都没有发生顺磁性半导体到铁磁性金属的转变．零场的电阻测量表明三层膜的电阻温度特性明显地有别于单层ＬＣＭＯ或ＬＮＣＭＯ薄膜的电阻温度特性，而且在ＬＣＭＯ（７５ｎｍ）／ＬＮＣＭＯ（４５０ｎｍ）／ＬＣＭＯ（７５ｎｍ）三层膜中观察到两个电阻峰．结合磁滞回线的测量，表明在这种三层膜系统中存在一定的磁耦合作用，而且也存在内分子磁场的作用，外加磁场后电阻下降，峰温移动，产生巨磁电阻效应，同单层ＬＣＭＯ薄膜中巨磁电阻效应比较后，发现三层膜系统中，其磁电阻效应有不同程度的增强，且在很宽的温度范围内保持较大的磁电阻效应．
- 程荣胜李可斌李西军陈志祥熊曹水朱警生张裕恒
- 关键词：LCMO巨磁电阻效应
- 红、蓝、紫外光发射多孔硅的水热制备法
- 本发明多孔硅的水热制备方法，将单晶硅置于高压釜内由氟化物和酸以1∶1-10摩尔比配制而成的、含氟化物浓度为0.01-0.80摩尔/升的水溶液中，在氧化气氛中升温到100-250℃，保持1-2.5小时，通过调节氟化物浓度和...
- 陈乾旺周贵恩朱警生李晓光张裕恒
- 文献传递
- 铯对GaAs（100）表面氧化的催化作用
- 1994年
- 我们用ＸＰＳ、ＵＰＳ及功函数的测量研究了氧在Ｃｓ复盖的及清洁的ＧａＡｓ（１００）表面的吸附行为．实验结果证明，在０．６ＭＬ的Ｃｓ复盖度下，碱金属Ｃｓ可以使衬底的氧化大大增强．在氧吸附初期（＜１Ｌ），氧优先吸附在碱金属复盖层以下或碱金属原子之间的Ａｓ原子位置上．随氧的暴露量的增加，氧吸附在Ｇａ和Ａｓ的位置上．此时，Ｇａ和Ａｓ独立地被氧化形成Ｇａ_２Ｏ_３和Ａｓ_２Ｏ_３。
- 徐彭寿徐世红刘先明朱警生麻茂生张裕恒许振嘉
- 关键词：铯催化
- La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_(3-δ)薄膜中的巨磁电阻效应
- 1997年
- 采用直流磁控溅射法在ＺｒＯ２（００１），ＳｒＴｉＯ３（００１），ＬａＡｌＯ３（００１）和ＮｄＧａＯ３（１１０）等单晶衬底上成功地制备了Ｌａ０６７Ｃａ０３３ＭｎＯ３－δ薄膜。Ｘ射线衍射结果表明薄膜具有良好的外延性。低温、磁场下的电输运测量表明外加磁场后，电阻急剧下降，出现负巨磁阻现象，磁阻比ＭＲ＝（ρ０－ρ７Ｔ）／ρ７Ｔ在室温下为５０％，２２５Ｋ附近高达２０００％以上。
- 李可斌李西军曹效文曹效文朱警生张裕恒
- 关键词：巨磁电阻效应磁控溅射
- 水热腐蚀制备多孔硅的研究被引量：1
- 1997年
- 多孔硅发射可见光的意义在于:(1)量子限域效应有着丰富的物理内涵;(2)使成本合理的光电集成成为可能。目前,普遍沿用Canham所报道的电化学腐蚀法制备多孔硅。在该方法中,采用铂金丝作阴极,单晶硅片作阳极,于HF溶液中进行电化学腐蚀。
- 陈乾旺周贵恩朱警生李晓光张裕恒
- 关键词：多孔硅光发射
- 光电子能谱研究O_2和Rb在InSb（111）表面上共吸附被引量：1
- 1995年
- 本文利用光电子能谱（ＸＰＳ和ＵＰＳ）技术研究了室温ＴＯ２和Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上共吸附，分析了碱金属Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上吸附的健合状态以及对衬底的催化氢化作用。结果表明，Ｒｂ与ＩｎＳｂ表面上的Ｓｂ发生化学反应，Ｒｂ在ＩｎＳｂ表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率，衬底表面上的Ｉｎ和Ｓｂ被氧化，分别生成锑和铟的氧化物。在Ｏ２吸附的过程中，还观察到两种Ｒｂ的氧化物，即过氧化铷（Ｒｂ２Ｏ２）和超氧化铷（ＲｂＯ２）。通过芯能级和价电子的变化，揭示了各种氧离子态（Ｏ２－，Ｏ，Ｏ）的形成。
- 吴建新麻茂生刘先明朱警生季明荣
- 关键词：光电子能谱铷半导体表面
