唐煜
- 作品数：9 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划北京市科技新星计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信动力工程及工程热物理环境科学与工程更多>>
- 一种测量晶体硅体少子寿命的化学钝化方法
- 一种测量晶体硅少子寿命的化学钝化方法，将经过去损伤层处理后的硅片在常温下用去离子水稀释39％或49％的高浓度氟化氢溶液漂洗，去除硅片表面的自然氧化物，将硅片放入透明的，耐氟化氢HF，对电信号无干扰的塑料袋中，然后在晶体硅...
- 周春兰王文静唐煜李海玲
- 文献传递
- Si基太阳电池用SiN_x∶H薄膜的研究进展
- 2008年
- SiN_x:H薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用,在晶体硅太阳电池(单晶硅、多晶硅)的研究和生产中得到越来越广泛的应用。介绍了SiN_x:H薄膜在硅基太阳电池中的减反射和钝化作用,主要制备方法等研究现状,以及面临的问题和今后的研究趋势。
- 唐煜周春兰贾晓昀王文静
- 一种测量晶体硅体少子寿命的化学钝化方法
- 一种测量晶体硅少子寿命的化学钝化方法，将经过去损伤层处理后的硅片在常温下用去离子水稀释的氟化氢溶液漂洗，去除硅片表面的自然氧化物，将硅片放入透明的，耐氟化氢HF，对电信号无干扰的塑料袋中，然后在晶体硅前后表面滴几滴氟化氢...
- 周春兰王文静唐煜李海玲
- 文献传递
- 晶体硅太阳电池的SiNx:H/热氧化SiO2双层结构的表面钝化特性研究
- 为了提高晶体硅太阳电池的光电转换效率,研究了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的SiN:H以及热氧化SiO的双层表面钝化及减反射薄膜对电池性能的影响,并与单层的PECVD SiN:H薄膜进行了对比。研究结果表明这两种...
- 周春兰唐煜王文静赵雷李海玲刁宏伟
- 关键词：太阳电池表面钝化SIO2薄膜
- 文献传递
- 太阳电池用晶体硅钝化研究
- 随着能源危机和环境问题的日益突出，可再生能源技术尤其是太阳电池技术的开发利用越来越受到人们的关注。目前，晶硅太阳电池因其成本和效率上的优势占据市场主要份额，晶硅太阳电池技术成为解决未来能源和环境问题的重要途径之一。太阳电...
- 唐煜
- 关键词：氮化硅薄膜环境污染
- EWT背结电池中的激光刻槽及腐蚀工艺的研究被引量：2
- 2009年
- 采用激光刻槽的方法制备电池背面结构,用化学腐蚀的方法对槽区进行清槽和刻蚀损伤层处理。当激光刻槽工艺参数为I=7.4A,v=50mm/s,激光步长为20μm时,通过改变腐蚀溶液浓度n、腐蚀温度T、和腐蚀时间t等工艺参数,可以有效控制槽区的几何形状。结果发现,当n=12%(w/v)、T=80℃、t=20～30min时,所得槽区表面平整光滑而侧壁垂直陡峭,同时损伤层也得到较为理想的刻蚀效果,能满足后续工艺的制备要求。激光刻槽工艺简单效率高,在保证电池效率的基础上降低了成本,适合EWT背结电池产业化。
- 刘维周春兰唐煜王文静赵海雷
- 关键词：损伤层少子寿命
- 工作气氛对氮化硅薄膜结构的影响被引量：2
- 2008年
- 以石英玻璃和抛光硅片做为衬底材料,采用射频磁控反应溅射法,通过改变 Ar/N_2流量比得到了一系列氮化硅薄膜。用分光光度计对薄膜的光学特性进行了表征;X 射线光电子能谱(XPS)表明薄膜中出现了 Si-N 的键合结构;原子力显微镜(AFM)图显示了在抛光硅片上制备出的薄膜比较平整、致密。实验结果表明:纯 N_2条件下制备的薄膜比使用 Ar 和 N_2混合气体条件下制备的薄膜中的 SiN_x 含量要低;在混合气体参与的条件下,随着氮气流量的增加,薄膜中出现了微孔,缺陷态增加,并对微孔的形成机制进行了解释。
- 徐征贾晓昀赵谡玲张福俊唐煜周春兰王文静
- 关键词：射频磁控反应溅射氮化硅薄膜光学特性
- 晶体硅太阳电池的SiNz∶H/热氧化SiO2双层结构的表面钝化特性研究
- 为了提高晶体硅太阳电池的光电转换效率,研究了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的SiNx∶H以及热氧化SiO2的双层表面钝化及减反射薄膜对电池性能的影响,并与单层的PECVD SiNx∶H薄膜进行了对比。研究结果表明...
- 周春兰唐煜王文静赵雷李海玲刁宏伟
- 关键词：硅太阳能电池表面钝化光电转换效率等离子体增强化学气相沉积
- 文献传递
- 退火及溅射气氛对氮化硅薄膜光致发光的影响
- 2008年
- 利用射频磁控反应溅射方法制备富硅的氮化硅薄膜。衬底材料为抛光的硅片,靶材为硅靶,在Ar-N2气环境下,通过改变两种气体的组分比来改变样品成分,并在高纯N2气氛下对其进行高温退火处理。用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)对样品进行了表征,并测试了样品的光致发光谱(PL)。实验结果表明:X射线光电子能谱中出现了Si—N键合结构,同时还有少量的Si—O键生成,通过计算得出Si/N比值约为1.51,制备出了富硅的氮化硅薄膜;薄膜未经退火前,在可见光区域没有观察到明显的光致发光峰,经过高温退火后,XRD中新出现的衍射峰证实了纳米硅团簇的生成,PL图谱中在可见光区域出现了光致发光峰的蓝移现象,结合XRD结果,用纳米晶的量子限域效应对上述现象进行了合理解释。
- 贾晓昀徐征赵谡玲张福俊赵德威唐煜李远周春兰王文静
- 关键词：磁控反应溅射氮化硅光致发光量子限域效应
