赵炳辉
- 作品数：198 被引量：599H指数：14
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- Al、N共掺杂实现ZnO的p型转变及其掺杂机理探讨被引量：8
- 2004年
- 利用直流反应磁控溅射以Al、N共掺杂的方法生长p -ZnO薄膜。ZnO薄膜沉积于具有不同衬底温度的玻璃或Si衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来源于AlxZn1-x(x =0 0 8% )靶材。利用XRD、XPS、Hall测试对其性能进行了分析。结果表明 ,用Al、N共掺杂的方法可以得到c轴择优取向的p型ZnO薄膜 ,载流子浓度为 (10 14 ～ 10 15)cm-3 ,电阻率为 (1 5 4～3 4 3)× 10 3 Ω·cm ,迁移率为 (1 16～ 4 6 1)cm2 /V·s。由Al、N共掺杂和仅掺N的两种情况下ZnO薄膜的N1s的XPS图谱可以推断出 ,N的掺入可能是以Al-N键的形式存在 ,而且Al的存在促进了N原子作为受主的掺入。
- 钱庆叶志镇袁国栋朱丽萍赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜共掺杂SI衬底载流子浓度直流反应磁控溅射衬底温度
- 退火生长Na－N共掺p型ZnO晶体薄膜的方法
- 本发明公开的退火生长Na－N共掺p型ZnO薄膜的方法，先以Na<Sub>2</Sub>O－ZnO陶瓷靶为靶材，靶材中钠的摩尔含量为0.5％，以纯N<Sub>2</Sub>O和纯Ar为溅射气氛，采用射频反应磁控溅射法，在1...
- 叶志镇林兰龚丽吕建国赵炳辉
- 文献传递
- 一种ZnO基发光二极管
- 本实用新型公开的ZnO基发光二极管在衬底上自下而上依次沉积ZnO同质缓冲层、n型ZnO接触层、n型Zn<Sub>1－x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O层、由Zn<Sub>1－x</Sub>Mg<Sub>x</S...
- 朱丽萍顾修全叶志镇赵炳辉
- 文献传递
- 采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN
- 2003年
- 随着多晶GaN材料发光研究的不断深入 ,大面积、价格低廉的多晶GaN基光电器件的研制已成为工业生产中一个重要的研究领域。石英玻璃以其自身特有的优势 ,成为生长多晶GaN材料的较为理想的衬底。本文采用一种新的金属镓层氮化技术 ,使用无定形石英作衬底 ,在常压下制备出多晶GaN。经分析测试表明 ,生长出的多晶GaN为六方结构且质量较好 。
- 邵庆辉叶志镇Nasser N.Morgan顾星黄靖云赵炳辉
- 关键词：金属GAN氮化镓半导体多晶材料
- 固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法
- 本发明提供的固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法包括以下步骤：将衬底置于气相沉积反应室中，加热至150～700℃；以Zn的固态金属有机物作为原材料，置于反应室的石英管中，在100～400℃下升华或蒸发，成气态，并在压强...
- 叶志镇吕建国陈汉鸿赵炳辉黄靖云
- 文献传递
- 氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO_3晶体薄膜的影响被引量：6
- 2003年
- 本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3 (LN)晶体薄膜 ,研究氧气压强对薄膜质量的影响。结果表明 ,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数。X射线衍射和透射电子显微镜分析表明 ,氧压为 30Pa时生长得到了完全c轴取向的LN薄膜 ,LN(0 0 6 )衍射峰的半高宽为 0 2 1°。
- 王新昌叶志镇何军辉黄靖云顾星卢焕明赵炳辉
- 关键词：PLD法硅衬底C轴取向薄膜生长脉冲激光沉积
- Ga-N共掺方法生长p型ZnMgO薄膜及其特性研究
- 本文采用直流反应磁控溅射技术，,利用Ga-N共掺方法,在N2O+O2气氛下、玻璃衬底上制备了ZnMgO薄膜。通过不断优化N2O/O2流量比值和衬底温度，制得了p型ZnMgO薄膜。Hall实验，X射线衍射(XRD)，场发射...
- 胡少华叶志镇高国华简中祥王敬蕊马全保卢洋藩赵炳辉
- 关键词：磁控溅射衬底温度
- 文献传递
- 生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置
- 本发明的生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置，包括生长室、进样室、连接生长室和进样室的活动闸板及用于活化裂化氮源气体的原子发生器，原子发生器的出气管置入生长室内，生长室采用水冷结构，具有双层壁，夹层充冷却水冷...
- 叶志镇徐伟中赵炳辉朱丽萍黄靖云
- 文献传递
- 退火对Zn<,1-x>Cd<,x>O薄膜结晶质量的影响
- 研究了退火对溅射沉积Zn<,1-x>Cd<,x>O薄膜(0≤x≤1.0)薄膜结晶质量的影响.结果发现:500℃下退火的薄膜具有最高的XRD衍射强度,但Cd组分含量较高(x≥0.6)的薄膜易发生CdO晶相的再蒸发现象.退火...
- 马德伟叶志镇黄靖云赵炳辉朱丽萍
- 关键词：退火溅射沉积
- 文献传递
- 直流反应磁控溅射Zn_(1-x)Cd)_xO薄膜的研究被引量：4
- 2003年
- 用直流反应磁控溅射法在n Si(111)和玻璃衬底上生长高度择优取向的Zn1-xCdxO合金晶体薄膜 ,最佳生长温度为 45 0℃ (x=0 2 ) .当x≤ 0 6时 ,Zn1-xCdxO薄膜具有纯ZnO的六角结构 ,x =0 8时 ,薄膜是由ZnO六角结构晶体和CdO立方结构晶体组成的混合物 .透射光谱测试表明 ,通过改变合金薄膜中Cd的含量 ,可以调节Zn1-x CdxO薄膜的禁带宽度 .
- 马德伟叶志镇黄靖云赵炳辉
- 关键词：磁控溅射禁带宽度
