王子健
- 作品数：10 被引量：21H指数：3
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 高气压下微晶硅薄膜的生长及微结构研究(英文)被引量：1
- 2007年
- 通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪(Ram an)、扫描电镜(SEM)研究了微晶硅薄膜的微观结构。发现沉积速率在5Torr左右出现极大值,薄膜的晶化率随着沉积气压的升高而降低,薄膜表面的晶粒或团簇随着沉积气压的下降而增大,薄膜的粗糙度随着沉积气压的升高而降低。
- 杨根张丽伟卢景霄谷锦华陈永生文书堂汪昌州王子健
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜微观结构
- 透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究被引量：1
- 2007年
- 本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂(p-Si:H)膜。用拉曼(Raman)光谱测试了p-Si:H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜(SEM)观察了其形貌。结果表明:在SnO2上沉积的p-Si:H膜的晶化率较其它两种衬底高,相应的SEM形貌显示颗粒尺寸也较大。通过I-V测试仪测试了ZnO:Al/p-Si:H、SnO2/p-Si:H和SnO2/ZnO:Al/p-Si:H的接触特性,结果显示ZnO:Al/p-Si:H的接触特性并不比SnO2/p-Si:H差。
- 吴芳王海燕卢景霄郜小勇杨仕娥陈永生杨根王子健
- 关键词：透明导电膜晶化率
- 多孔硅在太阳能电池应用中的相关研究被引量：5
- 2006年
- 本文用化学腐蚀法在多晶硅基片上制作多孔硅,通过SEM、XPS对多孔硅的表面微结构及其组成进行了研究,定性地分析了氧在多孔硅层中的作用及主要热行为。分析了多孔硅用于太阳能电池时应注意的问题:多孔层微孔尺寸、太阳电池工艺中各热处理过程的温度和时间、多孔层与电极材料是否形成欧姆接触及快速热氧化(RTO)的钝化效果。
- 王海燕卢景霄吴芳王子健张宇翔靳瑞敏张丽伟
- 关键词：减反膜
- 电子束蒸发制备ZnO∶Al透明导电膜及其性能研究被引量：1
- 2006年
- 在本实验中我们利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:A l透明导电膜,并对所得样品在400℃下进行了退火处理。利用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌,利用分光光度计分析了样品的光学性质,结果表明所得样品在可见光范围具有较好的透光性。利用四探针对其进行了电学性质的测量,表明衬底温度为200℃时制备的样品电阻率可达6×10-3Ω.cm。
- 王子健王海燕郜小勇吴芳李红菊杨根刘绪伟卢景霄
- 关键词：电子束蒸发ZNO衬底温度
- 织构ZnO:Al与p-μ c-Si:H薄膜接触特性的研究被引量：1
- 2010年
- 用PECVD法在不同织构ZnO:Al上沉积了p-μc-Si:H薄膜,研究了不同织构ZnO:Al与p-μc-Si:H薄膜的接触特性,研究结果表明:在织构后的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H薄膜的晶化率均大于在未织构的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H薄膜,且织构ZnO:Al与p-μc-Si:H薄膜的接触电阻也均小于未织构的,且织构时间最佳点为15s。
- 吴芳赵先林王海燕王子健高哲
- 关键词：接触特性
- 脉冲式退火法对AZO薄膜性能的研究(英文)被引量：1
- 2007年
- 用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜,然后用脉冲式快速光热处火(PRTP)法对样品进行了600 ～800℃的退火处理。采用X射线衍射仪(XRD)、分光光度计、四探针等测试手段对AZO薄膜的结晶性能、透光率和导电性能进行了表征。结果表明:(1)薄膜退火后透光率基本维持在退火前(82 ～92%)的水平,而电阻率则由10-4Ω.cm上升了1到6个数量级,已丧失了"导电膜"意义;(2)样品具有好的结构性能有利于提高样品的导电性能。对此现象进行了理论分析。
- 张松青吴芳张丽伟高哲王子健卢景霄
- 关键词：AZO薄膜退火透过率电阻率
- ZnO/SnO_2复合透明导电膜性能的研究被引量：5
- 2008年
- 采用直流磁控溅射工艺在SnO2透明导电玻璃上沉积一层ZnO膜,制备出ZnO/SnO2复合透明导电膜,作为硅薄膜太阳电池前电极。比较了具有不同ZnO厚度的复合膜氢轰击前后的光电性能,发现适当控制ZnO膜的厚度至关重要。研究了快速热退火(RTA)对薄膜的结构及光电性能的影响,发现400℃退火能够改善薄膜的光学性能。
- 高哲卢景霄陈庆东刘玉芬王子健陈永生
- 电子束蒸发制备ZnO:Al膜及 Si:H/ZnO:Al接触特性
- 本实验选用纯度为99.7﹪的氧化锌粉末掺入不同质量比(分别为2,2.5,3﹪)的纯度为99.99﹪的氧化铝粉末,充分研磨使其混合均匀,然后在10MPa的压力下压制30s成靶,利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:A...
- 王海燕王子健卢景霄郜小勇杨氏娥谷锦华陈永生
- 关键词：电子束蒸发衬底温度氧化铝粉末
- 文献传递
- 真空退火法对AZO薄膜的研究被引量：7
- 2006年
- 磁控溅射法在玻璃衬底上制备了AZO(氧化锌掺铝)薄膜。对薄膜进行了真空退火。利用XRD、分光光度计以及四探针等测试装置,对AZO薄膜的晶粒度、透光率和导电性能进行了测试分析。结果表明,退火有利于薄膜结晶;退火有利于薄膜光电性能的提高。在本实验中,AZO薄膜的最高透光率可达90.617%;最低电阻率可达2.21×10-3(Ω.cm)。对比在真空中退火的ITO薄膜的光电性能参数,结果已有所超越。此结果说明,AZO薄膜有潜力成为透明导电膜ITO的替代产品。
- 张丽伟王子健卢景霄王海燕吴芳李红菊
- 关键词：磁控溅射法AZO薄膜退火光电特性透过率
- 磁控反应法制备氧化银薄膜的研究
- 2006年
- 采用磁控反应溅射法,分别在室温和90℃条件下制备了两个系列的氧化银薄膜,其中氧氩比从1:4变化到2:1。SEM表明薄膜中的氧化银纳米颗粒尺寸均小于30nm。XRD表明随制备温度的提高AgO衍射峰减弱,Ag2O衍射峰增强,揭示了在成膜过程中,温度提高引起AgO热分解为Ag2O。分光光度计测量的反射谱和吸收谱表明氧化银的吸收边在400 nm附近,计算的氧化银禁带宽度约为3.1 eV。通过对银的特征峰(312nm处)向短波方向的移动和消失分析证实氧氩比增大的确有助于银的完全氧化,并且氧氩比2:1条件下制备的样品质量较佳。
- 刘绪伟郜小勇赵剑涛吴芳王子健
- 关键词：磁控溅射氧化银热分解
