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林洁馨

作品数：34 被引量：9H指数：2
供职机构：贵州大学更多>>
发文基金：贵州省科学技术基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 9篇半导体
  • 7篇芯片
  • 6篇电路
  • 6篇集成度
  • 6篇功率半导体
  • 5篇片层
  • 5篇热保护
  • 5篇功率
  • 5篇功率VDMO...
  • 5篇过热保护
  • 4篇散热
  • 4篇散热问题
  • 4篇双极型
  • 4篇硅
  • 4篇衬底
  • 4篇衬底材料
  • 3篇单片
  • 3篇低漂移
  • 3篇电流容量
  • 3篇信号

机构

  • 33篇贵州大学

作者

  • 33篇林洁馨
  • 30篇杨发顺
  • 30篇马奎
  • 27篇傅兴华
  • 6篇丁召
  • 5篇唐昭焕
  • 1篇龚红
  • 1篇赵朋

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇微电子学
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇唐山学院学报

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2007
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
三维集成电路硅通孔热特性的COMSOL模型被引量：1
2016年
利用COMSOL软件建立了三维集成电路散热模型并进行仿真。仿真结果显示,在元胞块之间插入TSV网络可以有效将三维集成电路温度控制在一个安全范围之内,而且随着TSV半径的增大,三维集成电路散热效果更好。
赵朋林洁馨傅兴华
关键词：三维集成电路散热问题
一种基于键合技术的三维集成功率半导体
本实用新型公开了一种基于键合技术的三维集成功率半导体，它包括衬底（1）和隔离槽（5），隔离层（2）位于衬底（1）上，埋层（3）位于隔离层（2）上，工作层（4）位于埋层（3）上，隔离槽（5）位于工作层（4）左右侧，在隔离层...
傅兴华马奎杨发顺林洁馨
一种双极型单片三维半导体集成结构
本实用新型公开了一种双极型单片三维半导体集成结构，它包括P型衬底，轻掺杂P型外延层位于P型衬底上，轻掺杂N型外延层位于轻掺杂P型外延层上。在P型衬底和P型外延层之间集成有半导体器件，在轻掺杂N型外延层上也集成有半导体器件...
马奎杨发顺林洁馨
一种基于外延技术的三维集成功率半导体及其制作方法
本发明公开了一种基于外延技术的三维集成功率半导体及其制作方法，集成的大功率器件是VDMOS，在常规硅基厚外延高压BCD工艺前，加入了制作基底材料的步骤，该步骤以杂质浓度大于19次方数量级的重掺杂N型硅片作为衬底材料，包括...
傅兴华马奎杨发顺林洁馨
一种基于硅直通孔的三维集成系统热解析方法
本发明公开了一种基于硅直通孔的三维集成系统热解析方法，它包括将三维集成系统分解成单个功率元胞，在该功率元胞中，考虑硅通孔横向热阻和纵向热阻的影响，建立分段热阻模型；根据基尔霍夫定律得出包含上下层芯片温度的矩阵方程；根据传...
马奎杨发顺王勇勇林洁馨傅兴华
一种双极型单片三维半导体集成结构及其制备方法
本发明公开了一种双极型单片三维半导体集成结构及其制备方法，它包括P型衬底，轻掺杂P型外延层位于P型衬底上，轻掺杂N型外延层位于轻掺杂P型外延层上。在P型衬底和P型外延层之间集成有半导体器件，在轻掺杂N型外延层上也集成有半...
马奎杨发顺林洁馨
一种三维功率VDMOS器件及其集成方法
本发明公开了一种三维功率VDMOS器件及其集成方法，它包括功率单元和芯片层，所述芯片层有二个以上，每个芯片层上均匀分布有二个以上的功率单元，每个功率单元外围设置有独立的终端，每个功率单元外围设置有层间导电互连的TSV通孔...
林洁馨傅兴华马奎杨发顺
三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法
2016年
二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件,以晶格自加热效应为基础的漏极持续电流分析方法,并以一颗开关工作状态下的100 V功率VDMOS器件为研究对象,在正向设计阶段分析了功率VDMOS器件漏极持续电流的导通偏置条件。最后通过流片结果验证了该方法的可行性。
林洁馨杨发顺马奎唐昭焕傅兴华
关键词：自加热效应
一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件
本实用新型公开了一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件，它包括衬底材料，所述衬底材料上覆盖有第一外延层；第一外延层上覆盖有第二外延层；体区位于第一外延层和第二外延层之间；体区的上部二侧为源区；本实用新型一方面增加了体区的...
唐昭焕杨发顺马奎林洁馨傅兴华
一种基于硅直通孔的三维集成系统热解析方法
本发明公开了一种基于硅直通孔的三维集成系统热解析方法，它包括将三维集成系统分解成单个功率元胞，在该功率元胞中，考虑硅通孔横向热阻和纵向热阻的影响，建立分段热阻模型；根据基尔霍夫定律得出包含上下层芯片温度的矩阵方程；根据传...
马奎杨发顺王勇勇林洁馨傅兴华
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