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闫志巾

作品数：11 被引量：31H指数：4
供职机构：西安理工大学理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金甘肃省科技攻关计划中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇等离子体
  • 4篇纳米
  • 3篇光电
  • 2篇电沉积
  • 2篇电池
  • 2篇电导
  • 2篇太赫兹
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇纳米粉
  • 2篇纳米粉体
  • 2篇光电导天线
  • 2篇赫兹
  • 2篇粉体
  • 2篇GAAS
  • 1篇大学物理
  • 1篇大学物理实验
  • 1篇等离子
  • 1篇低维
  • 1篇电沉积制备
  • 1篇电磁

机构

  • 9篇西安理工大学
  • 5篇兰州大学
  • 2篇西北有色金属...
  • 1篇合肥工业大学
  • 1篇兰州理工大学

作者

  • 11篇闫志巾
  • 4篇白利锋
  • 3篇闫鹏勋
  • 2篇施卫
  • 2篇魏智强
  • 1篇阎鹏勋
  • 1篇王君
  • 1篇常敬波
  • 1篇陈素果
  • 1篇吕惠民
  • 1篇郭慧尔
  • 1篇夏天东
  • 1篇吴志国
  • 1篇黎明
  • 1篇刘雅超
  • 1篇吴治国

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇稀有金属快报
  • 1篇粉末冶金技术
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇大学物理实验
  • 1篇材料导报（纳...
  • 1篇中国材料进展

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2015
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低维金属/金属氮化物纳米材料的电弧等离子体制备与表征
本论文综述了纳米粉体材料的研究概况，探讨了电弧等离子体技术制备纳米金属材料的新方法，对动阳极等离子体装置和动阴极等离子体装置制备纳米粉体材料的原理做了介绍，同时还讨论了两种方法的优缺点。对纳米粉体的形成机理做了细致的分析...
闫志巾
关键词：纳米线等离子体
文献传递
太赫兹GaAs光电导天线阵列辐射特性被引量：6
2021年
GaAs光电导天线是太赫兹电磁波的重要辐射源之一,天线阵列可以提高THz波的辐射强度,因而光电导天线及阵列一直以来备受瞩目.本文采用CST Microwave Studio软件对光电导天线阵列辐射太赫兹电磁波的特性进行仿真计算.根据电流瞬冲模型计算了激光入射到GaAs光电导天线时产生的脉冲光电流,并作为激励源对光电导天线的辐射性能进行仿真计算,分析了天线结构和衬底材料对辐射太赫兹波的影响.在此基础上计算了GaAs光电导天线阵列辐射太赫兹波的远场辐射.仿真结果表明:光电导天线阵列辐射太赫兹波的方向性更强,主波瓣宽度减小,其远场辐射符合电场叠加的倍数关系.研制了1×2 GaAs光电导天线阵列,实验测试结果与仿真结论相一致,为制备多阵元太赫兹光电导天线阵列奠定了理论和实验基础.
闫志巾施卫
关键词：太赫兹电磁波光电导天线天线阵列
雪崩倍增GaAs光电导太赫兹辐射源研究进展被引量：6
2015年
在飞秒激光激励下用GaAs光电导开关作为太赫兹(THz)辐射天线,已经广泛用于太赫兹时域光谱系统,但目前国际上都是使用GaAs光电导开关的线性工作模式,而GaAs光电导开关的雪崩倍增工作模式所输出的超快电脉冲功率容量远大于其线性工作模式,迄今为止,还没有人提出用雪崩倍增机理的GaAs光电导开关作为辐射源产生THz电磁辐射.本文探讨了用雪崩倍增工作模式的GaAs光电导开关作为光电导天线产生THz电磁波的可能性及研究进展.通过理论分析及实验研究,在实验上实现了:1)利用nJ量级飞秒激光触发GaAs光电导天线,可以进入雪崩倍增工作模式;2)利用光激发电荷畴的猝灭模式,可以使GaAs光电导天线载流子雪崩倍增模式的延续时间(lock-on时间)变短.这为利用具有雪崩倍增机理的GaAs光电导天线产生强THz辐射奠定了基础.
施卫闫志巾
关键词：GAAS光电导开关光电导天线
约束弧等离子体制备NiO纳米粉体的研究被引量：2
2007年
利用自行研制的约束弧等离子体纳米粉体实验装置成功制备了平均晶粒尺寸为22 nm的NiO纳米粉体。通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)和红外光谱(IR)等测试手段对样品的晶体结构、晶粒尺寸以及形貌进行了表征;并利用BET氮吸附法测定样品的比表面积。结果表明:约束弧等离子体方法制备的NiO纳米粉体结晶良好、粒度均匀、分散性好,部分颗粒呈现规则菱形十二面体几何外型,比表面积为33.9 m^2/g。
闫志巾白利锋魏智强吴志国王君常敬波闫鹏勋
关键词：等离子体
约束弧等离子体制备铝纳米粉体的研究
2006年
利用自行研制的约束弧等离子体制备金属纳米粉试验装置,成功制备了平均粒度为44nm的铝纳米粉体.利用X射线衍射（XRD）、BET吸附法、透射电子显微镜（TEM）和相应选区电子衍射（SAED）等测试手段对所制备样品的晶体结构、形貌、粒度及其分布、比表面积进行性能表征.试验结果表明：约束弧等离子体法制备的铝纳米粉晶体结构为fcc结构的晶态,与体材料相比晶格常数发生膨胀.比表面积为41m^2·g^-1,粒径范围分布在20～70nm之间,平均粒径为44m,粒度均匀,分散性好,呈规则球形链状分布.
魏智强夏天东闫志巾白利锋闫鹏勋
关键词：等离子体纳米粉形貌晶体结构粒度
电沉积铜铟镓硒太阳能电池的研究进展被引量：4
2010年
铜铟镓硒薄膜太阳能电池有着巨大的应用前景。介绍了铜铟镓硒太阳能电池的结构和特点,重点介绍了电沉积技术在铜铟镓硒太阳电池中的应用。目前单纯一步电沉积还不能有效控制CIGS薄膜化学计量比,需要化学刻蚀或者和物理气相沉积来调整原子比例,对于工业化生产柔性衬底上辊到辊顺序电沉积是重要的发展方向。
白利锋闫志巾
关键词：薄膜太阳能电池铜铟镓硒电沉积
连续域束缚态赋能的太赫兹超表面:从机理到应用
2024年
太赫兹(Terahertz,THz)超表面能够在亚波长尺度下对入射光子进行捕获,并在共振频率处产生强烈的局域场增强效应,表现出卓越的光场操控能力。光子连续域束缚态(Bound states in the continuum,BIC)是位于辐射连续域内的非辐射本征态,具有无限高Q因子和动量空间偏振涡旋两个卓越特性,为在THz超表面中定制高Q共振和增强光场操控带来了新的机遇。本文从回顾光学BIC的历史发展进程出发,综述了周期性光学系统中各类BIC的物理性质及其产生机理,并从拓扑角度着重讨论了BIC的产生及演化规律。此外,着重介绍了BIC赋能的超表面在THz光子学领域的新兴应用,讨论了该领域面临的挑战并对其发展前景作了展望。
孙广成王玥李曜合闫志巾闫志巾
关键词：Q因子拓扑特性光电子器件
约束弧等离子体制备镍纳米粉体及磁学性质
2007年
采用约束弧等离子体方法成功制备出了高纯Ni纳米粉体,运用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和振动样品磁强计(VSM)对样品的结构、形貌和磁学性质进行了表征。研究了工艺条件对电弧状态和粉体形貌的影响,实验结果表明,约束弧等离子方法能制备出纯净的Ni纳米粉体,并能有效控制粒子的粒径,粉体的比饱和磁化强度低于块体,矫顽力高于块体,饱和磁化强度和矫顽力均随着颗粒度的减小而降低。
闫志巾吴治国闫鹏勋
关键词：镍纳米粉等离子体
电沉积制备CIS太阳能电池吸收层材料被引量：1
2008年
在Cu衬底上用电沉积的方法沉积金属In,再通过硒蒸气硒化处理成功制备了CuInSe2薄膜。用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)对制备的薄膜进行相组成、微观结构、表面形貌等分析,研究了制备工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明:电沉积的In在低温热处理阶段与衬底Cu扩散形成Cu-In合金预制层,预制层在硒化阶段生成CuInSe2,合金中过量Cu生成CuSe表面层,未反应的In转变为Cu16In9,形成Cu衬底/Cu16In9/CuInSe2/CuSe结构。
闫志巾白利锋
关键词：太阳能电池CUINSE2电沉积
等离子体电弧法制备的带状纳米锌的表征被引量：1
2011年
约束弧等离子体电弧法用等离子体高温热源激发高能粒子的化学反应,并与骤冷技术结合构成一个制备金属纳米粉体或化合物纳米粉末材料的等离子体过程,能极好地制备高溶点(例:Ni,Fe,C等)或低溶点(例:Al,Zn等)的纳米粉末,是当前极具工业化生产应用前景的方法之一。用约束弧等离子体电弧法制备了纳米Zn粉末,用XRD,TEM,TG,DTA技术研究了纳米Zn粉末的结构、晶粒大小、晶粒形貌和热稳定性。结果表明,该粉体平均粒径小于42 nm,晶粒形貌为带状,热稳定性好。此外该粉体具有高比表面积,可用作化学反应的催化剂。
黎明刘雅超郭慧尔闫志巾吕惠民阎鹏勋
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