郭光华
- 作品数：66 被引量：86H指数：6
- 供职机构：中南大学物理与电子学院更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 结构调制型氧化铝模板的制备及表征
- 2011年
- 采用两种不同方法制备了结构调制的多孔氧化铝(AAO)模板,一种是磷酸扩孔法,另一种是非对称阳极氧化法。磷酸扩孔法是根据传统有序氧化条件,在模板二次阳极氧化后,用磷酸对已形成的孔道进行扩孔,然后再进行第三次阳极氧化;非对称阳极氧化法是在第一次氧化后形成的有序凹痕上,在始终保持氧化电压与第一次氧化时相同,同时确保相邻两次氧化在不同类型电解液中进行的条件下,制备出孔间距相同、孔径不同的有序结构调制的AAO模板。这些方法扩展了在给定电解液中制备AAO模板的孔径,从而实现了AAO模板的结构调制。
- 何凤英唐伟郭光华秦刚
- 关键词：AAO模板有序度扩孔
- 畴壁磁子晶体及其自旋波能带结构的调制
- 磁子晶体是一种参数周期性调制的人工晶体。类似于光子或声子晶体,当自旋波在磁子晶体中传播时也会形成禁带和通带结构,利用自旋波在磁子晶体中这种传播特性可研制高性能的磁子器件[1,2]。目前所提出和研究的磁子晶体大多数是基于磁...
- 李志雄王希光郭光华
- 关键词：自旋波畴壁
- 溶胶-凝胶法纳米La_(0.75)Sr_(0.25)CoO_3材料的合成、结构及磁性研究
- 2005年
- 利用溶胶-凝胶法制备纳米多晶钙钛矿钴氧化物La0.75Sr0.25CoO3磁性多晶材料,结合XRD和ATM分析手段,对产物粉体的晶相结构和颗粒度进行了表征.通过直流磁化强度测量分析表明,La0.75Sr0.25CoO3在低温下为自旋团簇玻璃态.
- 邹代峰郭光华肖祥定
- 关键词：溶胶-凝胶法
- 双钙钛矿Sr_2Mn_(1-x)Ga_xMoO_6(x=0.0～1.0)化合物的制备及其结构的研究
- 2010年
- 采用固相反应法制备了双钙钛矿Sr_2Mn_(1-x)GaMoO_6(x=0.0～1.0)掺杂化合物。室温下的高分辨率X射线衍射分析表明,Sr_2MnMoO_6具有单斜晶体结构,空间群为P2_1/n。Ga的掺杂没有改变化合物的晶体结构,但衍射峰整体向高角度漂移。结构精修分析表明,Sr_2Mn_(1-x)Ga_xMoO_6样品的晶胞体积随Ga含量的增加而逐渐减小;B/B’位离子占位有序度伴随Ga的掺入而逐渐降低;此外,Ga的引入导致键长的缩短,键长的伸长。
- 仝阳彭文彪秦刚郭光华
- 关键词：双钙钛矿固相法结构精修
- 自旋极化电流辅助的进动反磁化
- 反磁化方式是实现磁体超快反磁化的最佳方式之一.许多研究表明,脉冲磁场可驱动磁体在几百皮秒的时间内完成进动磁反转[1-3].但实现可靠的进动磁反转需要对脉冲场的持续时间进行准确控制.存在一个时间窗口(半个磁进动周期附近),...
- 张光富王希光郭光华
- SmCo纳米线阵的制备及其微结构被引量：3
- 2008年
- 采用二次阳极氧化法,制备出高度有序的阳极氧化铝模板(AAO模板)。并以AAO模板为电极,分别用交流和直流的方法从水溶液中沉积出SmCo纳米线阵列。用原子力显微镜、场发射扫描电镜对其形貌、成分进行表征,结果表明,SmCo纳米线的线壁光滑、线径一致,约为80nm和100nm;线阵中稀土Sm的含量达16.25%(质量分数)。X射线衍射分析表明该SmCo纳米线为非晶结构。
- 孙李媛郭光华李新华
- 关键词：AAO模板电沉积
- 微波辅助下自旋极化电流驱动的畴壁运动
- 当自旋极化电流流经磁畴壁时,由于电子与畴壁间自旋角动量的转移而产生自旋转移力矩(STT),利用这一力矩可驱动畴壁运动。研究表明,存在两类STT,即绝热STT 和非绝热STT,它们驱动畴壁运动的方式完全不同。
- 郭光华王希光
- Fe<Sub>5</Sub>GeTe<Sub>2</Sub>材料的应用、磁阻角度传感器及其应用
- 本发明提供了一种Fe<Sub>5</Sub>GeTe<Sub>2</Sub>材料的应用、磁阻角度传感器及其应用。本申请提供了一种Fe<Sub>5</Sub>GeTe<Sub>2</Sub>材料在磁阻角度传感器中的应用，所...
- 丁金民郭光华罗紫彦
- 自旋流驱动的畴壁运动
- 利用自旋极化电流驱动畴壁运动可研制诸如赛道存储器之类的高性能畴壁自旋器件[1].然而过高的临界电流密度仍然是研制畴壁自旋器件的主要瓶颈.自旋极化电流产生的自旋转移力矩(STT)有两种，即绝热STT和非绝热STT.
- 王希光李志雄郭光华
- 关键词：畴壁微波
- 磁子自旋流驱动的畴壁运动
- 极化电流驱动的磁畴壁运动,由于其在基础研究领域以及自旋电子器件方面的潜在应用,受到广泛的关注[1,2].然而过高的临界电流密度以及所产生的焦耳热是阻碍畴壁自旋电子器件应用的主要因素[3].
- 王希光张光富郭光华
- 关键词：自旋流纳米带
