崔增丽
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华中师范大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- Cu底层对SmCo薄膜磁性能的影响被引量：1
- 2007年
- 通过多靶射频磁控溅射系统在玻璃基片上制备了SmCo/Cu磁性薄膜.采用控制变量法优化了磁性层溅射工艺参数,制备出了矫顽力高达2400 Oe的溅射态SmCo面内磁化膜;通过控制溅射Cu底层时的基片温度,薄膜磁化方向有从面内向垂直方向转变的趋势,并制备出矫顽力达到6215 Oe的垂直面内方向的SmCo/Cu薄膜;利用扫描隧道显微镜(STM)分析SmCo薄膜在不同温度下的表面形貌发现,150℃时薄膜的晶粒尺寸较小有利于改善薄膜磁性能.
- 张峰黄致新胡曾崔增丽董凯峰杨晓非
- 关键词：磁控溅射矫顽力
- Cu<,3>N薄膜的制备及其结构与性能研究
- 本文采用射频反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了纳米CU3N薄膜，并研究了溅射工艺参数和Ni掺杂对薄膜的成份、结构、表面形貌、电学性能和光学性能的影响。实验采用X射线能量色散谱仪（EDS）、X射线衍射分析仪（XRD）、扫描...
- 崔增丽
- 关键词：物理性能
- 文献传递
- 溅射功率对氮化铜薄膜结构及其性能的影响
- 2008年
- 采用反应射频磁控溅射方法,在氮气和氩气混合气氛下并在玻璃基底上成功制备出了纳米氮化铜(Cu3N)薄膜,并研究了溅射功率对Cu3N薄膜的择优取向、平均晶粒尺寸、电阻率、光学能隙的影响.XRD显示溅射功率对氮化铜薄膜的择优取向影响很大,在低功率时薄膜择优[111]方向,在较高功率时薄膜择优[100]方向.紫外可见光谱、四探针电阻仪等测试表明:当溅射功率从80 W逐渐增加到120 W时,薄膜的光学能隙从1.85 eV减小到1.41 eV,电阻率从1.45×102Ωcm增加到2.99×103Ωcm.
- 刘敏崔增丽黄致新郭继花张峰
- 关键词：溅射功率
- 溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.测量结果表明:基片与靶间距为72 mm,溅射功率为75 W,溅射气压为0.5 Pa,薄膜厚度为120 nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力达到5966 Oe,克尔角为0.413°.
- 郭继花黄致新崔增丽杨磊邵剑波
- 关键词：射频磁控溅射磁光性能溅射功率
- 溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响。测量结果表明,基片与靶间距为72mm,溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力为477.6kA/m,克尔角为0.413°。
- 郭继花黄致新崔增丽杨磊邵剑波朱宏生章平
- 关键词：射频磁控溅射磁光性能
- Cu3N薄膜的制备与性能研究
- 2009年
- 采用反应射频磁控溅射方法，在玻璃基底上成功制备出了氮化铜（Cu3N）薄膜，并研究了溅射参数对Cu3N薄膜的结构和性能的影响，结果显示，随着溅射功率和氮气分压的增加，氮化铜薄膜的择优取向由（111）方向向（100）方向改变。随着基底温度从70℃增加到200℃，薄膜从Cu3N相变为cu相。紫外可见光谱、四探针电阻仪等测试表明，当溅射功率从80W逐渐增加到120W时，薄膜的光学能隙从1．85eV减小到1．41eV，电阻率从1．45× 10^2Ω·cm增加到2．99× 10^3Ω·cm。
- 崔增丽黄致信郭继花
- 关键词：溅射参数物理性能
