吴清英
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺环境科学与工程更多>>
- 沉积速率对EBD制备Si基Sc薄膜结构及形貌的影响被引量：1
- 2012年
- 运用电子束蒸发(EBD)镀在Si(111)底衬上沉积了金属Sc膜。在底衬温度为650℃时,研究沉积速率对Sc膜形貌与结构的影响。SEM及XRD分析结果表明:此方法制备的膜表面平整、致密;基底温度对Sc膜结构和表面形貌影响很大,在0.5～10nm/s范围内膜的表面形貌及微观结构以2nm/s为分界线可以分为两大类,低沉积速率时膜由唯一的(001)晶粒取向组成,而高沉积速率时膜的颗粒生长方向除了(001)外,还有很多其他的取向。
- 吴清英罗顺忠邴文增刘锦华
- 关键词：电子束蒸发SC沉积速率表面形貌
- 金属钪的成膜特性与吸氘性能研究
- 金属Sc作为贮氢材料,具有热稳定性好、固溶体中H的浓度高等特点。与其他材料相比,Sc用于中子发生器的离子源或靶膜材料时,中子产额不理想但能在较短时间里达到稳态中子产额,而且,钪氘化物薄膜经氘粒子轰击后未出现烧蚀坑现象。因...
- 吴清英
- 关键词：钪微观结构
- 文献传递
- 衬底材料对Sc膜形貌、结构的影响
- 钪Sc氢化物具有极低的离解平衡压，在高温储氢方面具有极为明显的优势。为了更好地指导后期吸氘实验的进行，有必要详细地研究镀膜过程及工艺参数对Sc膜的影响。在众多的镀膜方法中，电子束沉积法因对衬底无损伤、沉积速率快且成本低而...
- 吴清英罗顺忠陈静龙兴贵邴文增
- 关键词：衬底材料工艺参数
- 文献传递
- Si基Sc膜的制备及结构分析
- 2012年
- 采用电子束镀膜方法在Si基底上制备了Sc膜,利用XRD,SEM分析了不同镀膜工艺条件下制备的Sc膜的形貌和结构。结果表明:基底温度在350～550℃时,薄膜主要由单质Sc组成,而且随着基底温度的升高,膜的颗粒尺寸增大,膜也变得更加致密;基底温度提高至650℃时,膜全部由ScSi化合物组成,膜变成颗粒状结构。沉积速率对低温时Sc膜的形貌与结构的影响不明显,颗粒尺寸随沉积速率的增大而增大,但物相结构基本没有发生变化;而在高温650℃时,沉积速率对膜的形貌与结构产生了很大的影响,随着沉积速率的增大,膜表面出现了大量微裂纹,而且较低的沉积速率有利于获得衍射峰单一的膜,增大沉积速率将会导致衍射峰数量明显增加。
- 吴清英邴文增刘锦华罗顺忠
- 关键词：钪基底温度沉积速率形貌
- 衬底材料及基底温度对Sc膜形貌、结构的影响
- 2012年
- 在不同基底温度下,用电子束蒸镀法在未抛光Mo、抛光Mo及Si〈111〉基片上制备了Sc膜,并用XRD、SEM及AFM对薄膜的微观结构和表面形貌进行了分析测试。结果表明:衬底材料、基底温度对Sc膜结构、形貌的影响极大。物相结构相同的Mo基底,抛光Mo上的Sc膜表面较平整,倾向于混合生长;而粗糙Mo基底上Sc膜凸凹不平,为岛状生长。提高基底温度有利于抛光Mo基底上Sc膜的(002)方向择优生长,但高温时会导致Si基底上膜表面的物相由单质Sc变为ScSi化合物,作为吸氢材料,ScSi化合物的形成不利于吸氢,应尽量避免其生成。
- 吴清英罗顺忠陈静龙兴贵邴文增
- 关键词：电子束蒸发钪衬底材料基底温度
- TiHf(Y)含氦膜制备与氦行为研究
- Ti对氚的衰变产物氦的容留能力不理想,氦累积到一定程度后,材料会出现鼓泡、脆化、掉粉等现象,导致机械强度较低,同时释放出来的氦会破坏密封器件的真空度,成为制约真空器件性能的瓶颈因素.本研究小组通过合金化增强机械性能、扩大...
- 邴文增吴清英梁建华龙兴贵刘实王隆保
- Hf膜的微观结构变化机制研究
- 采用电子束蒸发镀膜技术在Mo衬底上制备了Hf膜,并在高真空氢化物系统中进行氘化反应生成Hf氘化物膜,采用XRD和SEM分析了Hf膜经热处理、氘化反应前后微观结构的变化。两种不同取向的Mo衬底上制备的Hf也出现了两种不同的...
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- 关键词：微观结构晶粒大小电子束蒸发
- 文献传递
- 电子束蒸镀TiHf合金膜的制备技术研究
- 采用双源同时蒸发的电子束蒸镀技术,通过调节蒸发源束流,制备了元素分布均匀、力学性能优于纯Ti膜的Ti-Hf合金膜,并采用XRD和SEM分析手段研究了Ti-Hf合金膜的微观结构,结果表明Hf掺杂Ti形成了Ti-Hf固溶体型...
- 吴清英
- 关键词：合金膜微观结构力学性能
- Ti薄膜在Si基底上的生长模拟
- 2013年
- 利用三维动态蒙特卡洛模型模拟了Si基底上沉积Ti薄膜的初始期间的生长特性。模拟结果发现,在扩散截止步长为50的情况下,沉积温度和沉积速率对Ti薄膜初始生长模式和表面形貌有明显的影响。模拟结果表明,随着沉积温度的增加,Ti薄膜的初始晶核尺寸越来越大,数目越来越少,趋于岛状生长模式,同时Ti薄膜的相对密度越来越大,薄膜表面粗糙度也越来越小,即:较高的温度有利于Ti薄膜的岛状生长。随着沉积速率的增大,Ti薄膜表面越来越粗糙,相对密度也越来越小;较大的沉积速率不利于Ti薄膜的生长。
- 吴清英陈小龙孙灵光罗顺忠朱建国
- 关键词：表面形貌
- 衬底温度对Sc、ScD_2膜的微观结构的影响(英文)被引量：1
- 2013年
- 采用电子束沉积的方法在底衬Mo（R4≈5-8．63nm）上制备了厚度为2～3gm的Sc膜，再将Sc膜在Sievert真空系统中进行吸氘。结果表明：在底衬温度为623，823，1023K时，Sc膜呈现出柱状结构，且具有（002）的择优生长；随着沉积温度从623K增大到1023K，Sc膜的（002）择优生长变强，晶粒尺寸也随之增大，这与前人报道的结构区域模型（SZMs）是一致的。Sc膜经吸氘变为了ScD2膜，ScD2膜为（111）择优生长，而且随着衬底温度的升高，择优生长也随着增强，这说明了（111）晶面的ScD2晶核是由吸氘前（002）晶面的钪晶核生长而来的；高底衬温度下制备的sc膜经吸氘后所获的ScD2膜的晶粒尺寸反而更小，这可能是由D原子在低衬底温度制备的Sc膜中较强的扩散动力学造成的。另外，提出了一种新的制备底衬材料的方法，该方法能够简单、快速的获得Sc膜的断面形貌，而且对Sc膜不会造成任何污染，且经济便宜。
- 吴清英邴文增龙兴贵周晓松刘锦华罗顺忠
- 关键词：氘化物微观结构
