张桥保
- 作品数：3 被引量：10H指数：1
- 供职机构：厦门大学化学化工学院化学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程电子电信更多>>
- n-ZnO纳米棒/p-CuSCN异质结发光二极管
- 氧化锌(ZnO),作为宽禁带半导体材料及高的激子能(60ev),在激光、发光二极管(LED)、生物传感器等领域都拥有广泛的应用.近年来,越来越多的研究致力于开发基于ZnO的LED,然而,由于p掺杂型的ZnO低的空穴浓度和...
- 张桥保周剑章郭洪辉林仲华
- 关键词：纳米棒异质结发光二极管发光性能
- 文献传递
- CdS量子点敏化ZnO纳米棒阵列电极的制备和光电化学性能被引量：10
- 2010年
- 采用连续式离子层吸附与反应法制备了CdS量子点敏化的ZnO纳米棒电极.应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CdS量子点/ZnO纳米棒电极的形貌、晶型和颗粒尺寸进行了分析和表征;采用光电流-电位曲线和光电流谱研究了不同CdS循环沉积次数及不同沉积浓度对复合电极的光电性能影响.结果表明,前驱体浓度都为0.1mol·L-1且沉积15次敏化后的ZnO纳米棒阵列电极光电性能最好.与单纯的ZnO纳米棒阵列电极和单纯的CdS量子点电极相比,其光电转换效率显著提高,单色光光子-电流转换效率(IPCE)在380nm处达到76%.这是因为CdS量子点可以拓宽光的吸收到可见光区,并且在所形成的界面上光生载流子更容易分离.荧光光谱实验进一步说明了光电增强的原因是,两者间形成的界面中表面态大大减少,有利于减少光生电子和空穴的复合.
- 张桥保冯增芳韩楠楠林玲玲周剑章林仲华
- 关键词：ZNO纳米棒阵列CDS量子点光电化学性能
- CdS量子点敏化ZnO纳米棒电极的制备及其光电性能
- ZnO作为一种廉价,安全的材料,相对于TiO2具有很更高的电子迁移率,因此在太阳能电池中被广泛的应用. 然而其禁带宽度较大(3.2eV),导致其转换效率较低,因此要对其进行敏化,提高转换效率,达到实用的目的.CdS是一种...
- 张桥保周剑章冯增芳林仲华
- 关键词：光电性能电子迁移率禁带宽度
- 文献传递
