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陈楠

作品数:16 被引量:21H指数:2
供职机构:电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术兵器科学与技术更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 4篇元胞
  • 4篇晶闸管
  • 3篇脉冲
  • 3篇脉冲功率
  • 2篇电场
  • 2篇电离
  • 2篇电容
  • 2篇电视
  • 2篇电视信号
  • 2篇淀积
  • 2篇信号
  • 2篇栅极
  • 2篇商用
  • 2篇商用化
  • 2篇实时信号
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇碰撞电离
  • 2篇频带
  • 2篇卫星

机构

  • 16篇电子科技大学

作者

  • 16篇陈楠
  • 7篇陈万军
  • 5篇张波
  • 3篇刘超
  • 2篇韩尧
  • 2篇张云鹏
  • 2篇何羚
  • 2篇刘平
  • 2篇李恩
  • 2篇金燕华
  • 2篇阎啸
  • 2篇高冲
  • 2篇余承勇
  • 2篇刘康
  • 1篇孙瑞泽
  • 1篇郑虎
  • 1篇朱辉
  • 1篇李肇基
  • 1篇高勇
  • 1篇牛雪

传媒

  • 2篇现代电子技术
  • 1篇电子与封装

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2021
  • 5篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 2篇2004
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种卫星电视信号异常告警方法
本发明公开了一种卫星电视信号异常告警方法,包括:获取正常状态时的频谱信号作为标准信号模板;将实时信号与所述标准信号模板进行比较,当比较结果满足预设多告警模板中的告警阈值,则触发相应类别的告警;显示并保存告警结果。本发明通...
何羚彭春晓龚芹金燕华陈楠阎啸刘平韩尧刘康
文献传递
一种槽栅双极型晶体管
本发明属于半导体器件技术领域,具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案:一是采用了元胞区与假元胞区在水平方向交替排列的结构,假元胞区与元胞区通过金属化发射极相连,假元胞区内靠近发射极一侧的半导体浮空;二是在假元...
陈万军许晓锐陈楠刘超张波
文献传递
一种基于截断式同轴腔的宽频带扫描显微镜
本发明提供一种基于截断式同轴腔的宽频带扫描显微镜,属于扫描显微镜技术领域。该显微镜使用内导体与探针呈截断状态的同轴腔结构为基础,截断后的能量更多的集中在腔体内部,抑制了电磁辐射,有效提升了品质因数;除此之外,使用TEM<...
高冲陈楠朱辉张云鹏余承勇 龙嘉威牛雪李恩郑虎
一种槽栅双极型晶体管
本发明属于半导体器件技术领域,具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案:一是采用了元胞区与假元胞区在水平方向交替排列的结构,假元胞区与元胞区通过金属化发射极相连,假元胞区内靠近发射极一侧的半导体浮空;二是在假元...
陈万军许晓锐陈楠刘超张波
文献传递
3300V MOS控制晶闸管设计与实现
陈楠
采用单层金属工艺的SGTO器件及其版图结构、制造方法
本发明涉及功率半导体技术,具体的说是涉及一种采用单层金属工艺的SGTO器件及其版图结构、制造方法。本发明主要是在常规SGTO器件板图和工艺的基础上,采用单层金属工艺,将栅极金属和阴极金属图形做在同一金属层上,通过单次淀积...
陈万军陈楠许晓锐
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一种MOS栅控晶闸管及其制造方法
本发明涉及功率半导体技术,具体的说是涉及一种MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明主要是在相同元胞宽度下减小多晶硅栅极面积,从而在不牺牲器件导通及阻断特性的情况下,减小了器件的栅阳电容,具有高dv/dt抗性,可靠性高等优点...
张波陈楠陈万军
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支票磁码自动识别技术研究
隐含磁码是新一代高技术防伪产品,它具有防伪力度高、隐秘性好、成本较低以及可进行多特征编码的优点,因此应用领域很广,目前已经被大量应用于商品的防伪领域和票证防伪与自动识别领域。因此研究出一套准确、快速识别隐含磁性条码的检测...
陈楠
关键词:自动识别相关系数欧式距离防伪技术
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一种卫星电视信号异常告警方法
本发明公开了一种卫星电视信号异常告警方法,包括:获取正常状态时的频谱信号作为标准信号模板;将实时信号与所述标准信号模板进行比较,当比较结果满足预设多告警模板中的告警阈值,则触发相应类别的告警;显示并保存告警结果。本发明通...
何羚彭春晓龚芹金燕华陈楠阎啸刘平韩尧刘康
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基于新型绝缘栅触发晶闸管的高功率准矩形脉冲源被引量:1
2021年
提出了一种基于新型绝缘栅触发晶闸管(Insulated Gate Trigger Thyristor,IGTT)的高功率准矩形脉冲源。采用IGTT作为开关器件,实现了形成准矩形脉冲波所需的极低开关器件电阻,其导通电阻低、开启速度快的优点,使其非常好地满足了准矩形脉冲波对高峰值电流(IP)和电流上升率(di/dt)的需求。实验结果表明,相较于常规绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT),基于IGTT的准矩形脉冲源峰值电流提升了50%、di/dt提升了400%,且具有更好的矩形波平顶特性。在工作电压U_(0)=1200 V下,准矩形脉冲源产生了脉冲前沿约为350 ns、平顶宽度为3.05μs、峰值电流为3.7 kA、前沿di/dt=11.2 kA/μs、平顶纹波系数(ζ)仅为2.3%的准矩形脉冲电流,实现了优异的准矩形脉冲特性,为新一代全固态、紧凑型、小型化准矩形脉冲源设计提供了一种具有前景的解决方案。
陈楠陈万军尚建蓉刘超李青岭孙瑞泽李肇基张波
关键词:脉冲功率电流上升率
共2页<12>
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