李涵
- 作品数：54 被引量：49H指数：5
- 供职机构：武汉理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部“优秀青年教师资助计划”更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学经济管理更多>>
- 一种高性能Cu<Sub>3</Sub>TmTe<Sub>3</Sub>热电材料及其制备方法
- 本发明公开了一种高性能Cu<Sub>3</Sub>TmTe<Sub>3</Sub>热电材料的制备方法，以单质Tm、单质Cu和单质Te为原料，按Cu<Sub>3</Sub>TmTe<Sub>3</Sub>的化学计量比称取各...
- 唐新峰姚磊李涵
- 文献传递
- 一种日间前车灯语识别及预警方法及系统
- 本发明公开了一种日间前车灯语识别及预警方法及系统，是基于深度学习与图像处理结合的车灯检测方法，包括(R‑G)×H×V的车灯提取方法，利用颜色特征对车灯灯语识别的方法，车灯质心融合粒子滤波跟踪方法，基于车灯灯语的分级预警方...
- 黄妙华李涵
- 文献传递
- Sm填充skutterudite化合物中填充原子扰动效应研究
- 2008年
- 结合Rietveld结构解析和拉曼光谱对单相多晶的Sm原子填充的skutterudite化合物SmyFexCo4-xSb12进行了分析.Rietveld精确化结果表明:SmyFexCo4-xSb12化合物具有填充式skutterudite结构,Sm原子的热振动参数远远大于框架原子Sb,Fe和Co;与未填充的skutterudite化合物相比,SmyFexCo4-xSb12化合物的Sb—Sb键长增加.拉曼光谱分析表明:与未填充的skutterudite化合物相比,SmyFexCo4-xSb12化合物Sb原子四面环的呼吸振动模峰位偏移并宽化.这些结果证明Sm原子填充进了skutterudite化合物结构中的Sb二十面体空洞并具有扰动效应.
- 刘桃香唐新峰李涵苏贤礼张清杰
- 关键词：方钴矿拉曼散射
- 熔体旋甩工艺对n型InSb化合物的微结构及热电性能的影响被引量：1
- 2010年
- 采用新颖的熔体旋甩结合放电等离子烧结技术制备了单相InSb化合物,研究了熔体旋甩工艺对其微结构以及热电性能的影响.结果表明,熔体旋甩得到的薄带自由面主要由300nm—2μm的小柱状晶组成,薄带接触面为非晶或精细纳米晶,薄带经烧结后得到了具有大量层状精细纳米结构的致密块体,尺寸约为40nm.与熔融+放电等离子体烧结制备样品相比,在测试温度范围内(300—700K),试样的电导率略有下降,但Seebeck系数显著增加,热导率和晶格热导率显著降低,室温下晶格热导率降低幅度约为10.6%,700K下晶格热导率的降低幅度达16.64%,熔融+熔体旋甩+放电等离子体烧结制备的InSb化合物试样在700K时其最大ZT值达到0.49,与熔融+放电等离子体烧结试样相比提高了29%.
- 苏贤礼唐新峰李涵
- 关键词：微结构热电性能
- 一种提高Cu<sub>2</sub>Se基热电材料相转变温度的方法
- 本发明公开了一种提高Cu<Sub>2</Sub>Se基热电材料相转变温度的方法，在Cu<Sub>2</Sub>Se的Cu位掺入Cd元素，具体包括以下步骤：1)根据Cd<Sub>x</Sub>Cu<Sub>2-x</Sub...
- 李涵张海龙唐新峰苏贤礼
- 一种熔融旋甩快速制备Bi<Sub>1-x</Sub>Sb<Sub>x</Sub>热电材料的方法
- 本发明属于新能源材料领域，具体涉及一种熔融旋甩快速制备Bi<Sub>1-x</Sub>Sb<Sub>x</Sub>热电材料的方法。一种熔融旋甩快速制备Bi<Sub>1-x</Sub>Sb<Sub>x</Sub>热电材料的...
- 唐新峰罗婷婷王善禹李涵
- 文献传递
- B掺杂Si80Ge20合金的快速制备及热电性能
- 采用电弧熔炼、快速球磨结合放电等离子烧结快速制备了Si80Ge20Bx（x=0.5、1、1.5、2）合金。对烧结后试样相组成和微结构进行了表征，并对试样的热电性能进行了测试。XRD 分析表明所有样品均为单相。FESEM和...
- 罗文辉李涵郝文胡小龙唐新峰
- 关键词：硅锗合金热电性能
- 一种机械合金化一步制备单相BiCuSeO热电材料粉体的方法
- 本发明涉及一种BiCuSeO热电材料粉体的制备方法。一种机械合金化一步制备单相BiCuSeO热电材料粉体的方法，其特征在于它包括如下步骤：1）以单质Bi、单质Cu、单质Se和Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</...
- 唐新峰程鑫李涵
- 文献传递
- In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律
- 2010年
- 用熔融退火法结合放电等离子烧结(SPS)技术成功制备了具有不同In含量的InxCo4Sb12(x=0.1—0.4)方钴矿化合物.X射线衍射分析和扫描电镜分析结果表明,当In的掺杂量超过一定值时,化合物中会原位析出纳米InSb的第二相,且其含量会随In掺杂量的增加而增大.研究结果表明,InSb第二相的存在增大了化合物的功率因子,降低了化合物的晶格热导率,显著提高了化合物的热电性能.在温度为800K时,In0.35Co4Sb12样品的最大热电优值(ZT值)达到了1.21。
- 周龙李涵苏贤礼唐新峰
- 关键词：INSB热电性能
- Ba和Ce两种原子复合填充Ba_mCe_nFeCo_3Sb_(12)化合物的合成及热电性能被引量：13
- 2004年
- 用多步固相反应法结合熔融法合成了单相的两种原子复合填充的p型方钴矿化合物BamCenFeCo3Sb1 2 .并探索了两种原子复合填充对其热电性能的影响规律 ,研究结果表明在相同填充分数时BamCenFeCo3Sb1 2 化合物的电导率介于单原子BamFeCo3Sb1 2 和CenFeCo3Sb1 2 填充的化合物之间 ,随Ba,Ce填充分数的增加 ,电导率下降 ;当填充分数相同时 。
- 罗派峰唐新峰李涵刘桃香
- 关键词：方钴矿晶格热导率热电材料
