您的位置： 专家智库 > >

夏晓翔

作品数：36 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 13篇刻蚀
  • 12篇纳米
  • 12篇金属
  • 8篇光刻
  • 7篇掩膜
  • 7篇衬底
  • 6篇阵列
  • 6篇阵列结构
  • 6篇金属结构
  • 4篇等离子体
  • 4篇牺牲层
  • 4篇离子束
  • 4篇离子束刻蚀
  • 4篇金属纳米
  • 4篇光刻胶
  • 4篇硅表面
  • 4篇发光
  • 4篇感应耦合
  • 4篇感应耦合等离...
  • 4篇衬底材料

机构

  • 36篇中国科学院

作者

  • 36篇夏晓翔
  • 35篇顾长志
  • 26篇杨海方
  • 25篇李俊杰
  • 15篇刘哲
  • 9篇尹红星
  • 8篇田士兵
  • 7篇金爱子
  • 6篇全保刚
  • 6篇孙旺宁
  • 4篇罗强
  • 4篇李林
  • 3篇孙伟杰
  • 2篇张异光
  • 2篇李无暇
  • 1篇刘宝利

传媒

  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 7篇2016
  • 4篇2015
  • 6篇2014
  • 7篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2005
共 36 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
氮化镓材料层表面粗化的方法
本发明公开了一种氮化镓材料层表面粗化的方法，包括：在所述氮化镓材料层的上表面形成一层掩膜，所述掩膜成形为在所述上表面分散分布的多个柱体；采用电感耦合等离子体刻蚀工艺，利用刻蚀气体对所述上表面进行刻蚀；其中，在将所述掩膜完...
夏晓翔刘哲杨海方李俊杰顾长志
文献传递
一种金属纳米结构的制备方法
本发明提供一种金属纳米结构的制备方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层，并利用纳米压印法在所述第一光刻胶层中形成纳米结构，其中所述第一光刻胶层具有第一玻璃化温度；在所述具有纳米图案的第一光刻胶层上沉积金属材料层；在转移衬底...
李俊杰孙旺宁顾长志金爱子夏晓翔杨海方全宝刚李无暇
文献传递
一种金属纳米叉指光栅的制备方法
本发明公开了一种金属纳米叉指光栅的制备方法，其包括以下步骤：步骤A：在清洗好的衬底基片上，采用镀膜设备生长一定厚度的金属膜；步骤B：对所述金属膜旋涂光刻胶，采用电子束光刻方法在光刻胶上制备叉指光栅；步骤C：采用离子束刻蚀...
李俊杰孙伟杰李林全保刚夏晓翔顾长志
文献传递
在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法
本发明是一种在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法，其步骤包括：在AlGaInP基LED的GaP表面旋涂光刻胶，利用热板或烘箱对其进行烘烤；根据所要制备的图形尺寸及形状制备掩膜版；利用紫外光刻设备，采用...
杨海方尹红星顾长志刘哲夏晓翔
文献传递
一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法
本发明是一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，在发光二极管样品表面上旋涂光刻胶，利用纳米尺度图形在光刻胶上制备圆形体结构光刻胶阵列图形，得到含有圆形体结构光刻胶阵列样品；利用蒸发工艺，在含有圆形体结构光刻胶阵...
杨海方刘哲顾长志夏晓翔尹红星
文献传递
一种制备纳米金属结构的方法
本发明公开了一种制备纳米金属结构的方法，涉及金属纳米技术，通过在硅表面实现一定深宽比的刻蚀结构，能够实现相互分立的纳米金属线条，从而扩展了传统方法的应用范围，利用高温接触和低温剥离，大大提高了工艺的成功率与可靠性，更加有...
夏晓翔刘哲杨海方李俊杰顾长志
一种制备自封闭纳米通道的方法
本发明公开了一种制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：对衬底进行清洗并烘干，在清洗好的衬底表面依次生长支撑层、牺牲层和自封闭层；步骤B：在所述自封闭层上采用光刻的方法制备相应的光刻胶图形；步骤C：采...
顾长志尹红星李俊杰田士兵全保刚夏晓翔杨海方
文献传递
一种金属纳米结构的制备方法
本发明提供一种金属纳米结构的制备方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层，并利用纳米压印法在所述第一光刻胶层中形成纳米结构，其中所述第一光刻胶层具有第一玻璃化温度；在所述具有纳米图案的第一光刻胶层上沉积金属材料层；在转移衬底...
李俊杰孙旺宁顾长志金爱子夏晓翔杨海方全宝刚李无暇
文献传递
一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法
一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法：将硅片放入ICP系统中，在基础真空1.0×10<Sup>-6</Sup>Torr，温度-100℃～-140℃，气体流量比(SF<Sub>6</Sub>/O<Sub>2</Sub>)...
孙旺宁李俊杰夏晓翔田士兵顾长志
文献传递
一种制备纳米金属结构的方法
本发明公开了一种制备纳米金属结构的方法，涉及金属纳米技术，通过在硅表面实现一定深宽比的刻蚀结构，能够实现相互分立的纳米金属线条，从而扩展了传统方法的应用范围，利用高温接触和低温剥离，大大提高了工艺的成功率与可靠性，更加有...
夏晓翔刘哲杨海方李俊杰顾长志
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0