郭福隆
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：清华大学更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe被引量：1
- 2006年
- 通过离子注人硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延SiGe发生驰豫,以制备薄的高弛豫SiGe.利用微区Raman和Tapping AFM技术,对所生长的SiGe材料进行了表征.结果表明,上述方法能够制备厚度为100nm、弛豫度达94%的大面积(直径为125mm)均匀SiGe材料.然而,相同条件下,如果高能离子直接辐照SiGe层,将极大地损坏外延材料的晶体结构,得到多晶SiGe.此外,还通过选择性腐蚀外层SiGe的实验,对相关微观机制进行了研究.
- 许向东郭福隆周卫刘志弘张兆健李希有张伟钱佩信
- 关键词：UHV/CVD离子注入
- 离子注入间接诱导的高驰豫锗硅
- 应变硅是新一代超高速材料,是当前微电子学的研究热点.高驰豫的锗硅缓冲层在应变硅的制备中起重要作用.目前,驰豫锗硅的生长主要采用递增锗浓度的方法,其缺点是锗硅层厚达数微米、加工难度大、器件性能不稳定.本文通过离子注入硅衬底...
- 许向东郭福隆周卫张兆健鲁勇张伟刘志弘钱佩信
- 关键词：超高真空化学气相沉积离子注入
- 文献传递
